Los centros de datos de IA necesitan memoria HBM, DRAM convencional para servidores y SSD empresariales, por lo que la presión de oferta ya no se limita a un solo tipo de chip. TrendForce prevé que la demanda de bits de DRAM para servidores y HBM crezca a una tasa anual compuesta del 37,4 % hasta 2028.[33] Los infor...
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Respuesta de investigación

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: How is AI data-center demand causing an unprecedented global memory-chip shortage—with DRAM prices forecast to rise more than 200% year-on-y. Article summary: AI data-center build-outs are turning memory—not just GPUs—into the binding constraint: training and inference servers require very large amounts of HBM, server DRAM, and enterprise SSD capacity, while manufacturers are . Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
La construcción de centros de datos para inteligencia artificial está convirtiendo la memoria en un cuello de botella de todo el sistema, no solo los aceleradores de IA. Estos despliegues requieren memoria de alto ancho de banda (HBM), DRAM convencional para servidores y SSD empresariales. Cuando los fabricantes priorizan esos productos de mayor valor, los equipos de PC y móviles afrontan más costes y un suministro menos flexible. El resultado podría ser un ciclo prolongado de tensión en la memoria, no una escasez pasajera de un componente. 33
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La HBM es una memoria apilada y especializada que se utiliza junto a los aceleradores de IA, pero representa solo una parte de la factura de memoria de un servidor de IA. Los grandes sistemas también necesitan DRAM convencional para las CPU y la memoria del sistema; además, la demanda de almacenamiento en centros de datos impulsa los SSD empresariales. TrendForce proyecta que la demanda conjunta de bits de DRAM para servidores y HBM crecerá a una tasa anual compuesta del 37,4 % hasta 2028. 33
La HBM exige capacidad escasa de DRAM avanzada y empaquetado avanzado. Por eso, cuando un fabricante da prioridad a HBM y a memorias de servidor de alta capacidad, quedan menos recursos para la DRAM más estandarizada que usan ordenadores y teléfonos. TrendForce señala que los servidores de IA impulsan tanto la DRAM convencional como la HBM, mientras que esa priorización de capacidad añade presión de costes a los mercados de PC y smartphones. 34
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La oferta no puede reaccionar de inmediato. No basta con anunciar una fábrica: hay que construir salas blancas, instalar equipos, cualificar procesos, mejorar rendimientos y ampliar el empaquetado avanzado antes de que el volumen llegue de forma significativa a los clientes.
Una previsión de TechInsights difundida en septiembre apuntaba a que los precios de la DRAM podrían subir más de un 200 % interanual. Es una proyección particularmente agresiva, no un resultado de mercado ya confirmado. Por separado, informaciones basadas en estimaciones de TrendForce situaban el alza interanual de los precios de componentes de DRAM para servidores en 2026 en torno al 270 %, y la de los SSD empresariales en el 235 %. 49
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El mercado también se estrecha por las compras anticipadas. Informes basados en DigiTimes sostienen que Samsung, SK hynix y Micron asignaron con antelación su capacidad de DRAM y HBM para 2027. Conviene tratar esa afirmación con cautela: procede de información sectorial, no de una declaración formal de los fabricantes de que cada unidad futura esté indisponible. Sin embargo, otros indicios respaldan la tensión de oferta. El consejero delegado de SK hynix, Kwak Noh-jung, dijo a Reuters que espera que 2027 sea el peor año de la historia del sector desde el punto de vista del suministro. 3
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La inflación de la memoria no se traduce automáticamente en la misma subida de precio para todos los dispositivos. Las marcas pueden absorber parte del coste, modificar configuraciones, desplazar la producción hacia modelos de mayor margen o elevar el precio de venta. Aun así, la dirección de la presión es clara: TrendForce espera que la demanda de PC y smartphones se ralentice ante la prioridad de suministro para servidores de IA y el aumento de los costes de componentes. 34
Los efectos más probables son:
No existe una previsión única y fiable sobre los envíos globales de PC o smartphones que pueda atribuirse exclusivamente a la memoria. Los ciclos de renovación, los tipos de cambio, los aranceles y la demanda económica general también influirán. La conclusión más sólida es que una memoria cara dificulta mantener estrategias basadas en dispositivos asequibles.
Tratar toda la memoria como si fuera un único mercado oculta una diferencia relevante. La DRAM —en especial la HBM y la DRAM para servidores— parece encaminada a seguir estructuralmente ajustada, mientras que la NAND tiene una vía más clara hacia el equilibrio a medida que crece la producción de bits.
| Segmento | Perspectiva para 2027 | Qué podría ocurrir después |
|---|---|---|
| DRAM y HBM | Se espera que la demanda de IA, la asignación continuada de capacidad a HBM y las mayores compras de memoria para CPU mantengan restringida la oferta y los precios al alza. |
La nueva capacidad y mejores rendimientos podrían aliviar el desequilibrio con el tiempo, pero la fecha y la magnitud de una normalización de precios siguen siendo inciertas. |
| NAND y SSD empresariales | La demanda de almacenamiento vinculada a la IA mantuvo a la NAND en déficit de oferta durante 2026. |
TrendForce espera que las migraciones de proceso, el crecimiento de la producción de bits y la débil demanda de electrónica de consumo alivien la tensión en la NAND durante la segunda mitad de 2027, con posible presión bajista sobre los precios. |
Esta divergencia es clave para el horizonte 2027-2028. La conversión de capacidad a HBM y la demanda de DRAM de los servidores de IA restringen la DRAM de una manera que no se traslada directamente a la NAND. La NAND puede seguir siendo volátil, pero la evidencia disponible apunta a un mercado más holgado antes que la DRAM, no a una garantía de escasez prolongada como la de la HBM. 39
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La expansión de memoria en China puede reforzar la resiliencia del suministro interno, pero todavía no supone un sustituto directo de la HBM avanzada y la DRAM para servidores que producen los líderes establecidos.
CXMT, el principal aspirante chino en DRAM, habría iniciado una producción de HBM3E a pequeña escala para desarrolladores nacionales de chips de IA. La integración comercial depende de que las pruebas tengan éxito, y la empresa apunta a ampliar capacidad en 2027. 18
YMTC es el gran fabricante chino de NAND. Juntas, CXMT y YMTC pueden añadir capacidad estratégicamente importante de DRAM y NAND para dispositivos, SSD y despliegues de centros de datos dentro de China. Pero las restricciones a la exportación de HBM avanzada y de herramientas de fabricación complican la capacidad del país para ampliar memoria de vanguardia y el ecosistema de empaquetado asociado. Estados Unidos incorporó la HBM avanzada a sus controles de exportación en diciembre de 2024. 18
El despliegue chino no tiene por qué aliviar rápidamente la escasez fuera del país. Según las informaciones disponibles, la producción adicional de CXMT probablemente será absorbida por proveedores chinos de servicios en la nube, mientras que las restricciones dificultan el suministro directo de memoria avanzada de fabricantes coreanos a esos proveedores. 17
La tensión en la memoria provocada por la IA no se explica únicamente por una HBM agotada. Los clústeres de IA elevan a la vez la demanda de varias categorías de memoria, mientras que la producción y el empaquetado especializados de la HBM limitan la rapidez con que los proveedores pueden ampliar la oferta. Esa combinación refuerza la posición negociadora de los fabricantes de memoria en los contratos y traslada presión de costes hacia la electrónica de consumo. 44
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El escenario central que sugieren los datos disponibles es una DRAM ajustada durante 2027, con los mayores efectos concentrados en HBM y DRAM para servidores. La NAND puede seguir bajo presión a corto plazo, pero tiene una trayectoria más plausible hacia el alivio a finales de 2027. Para quien compra dispositivos, el impacto probablemente se verá menos como un encarecimiento idéntico para todos y más como productos convencionales más caros, menos opciones de bajo precio y menor disponibilidad en segmentos de menor margen. 39
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Los centros de datos de IA necesitan memoria HBM, DRAM convencional para servidores y SSD empresariales, por lo que la presión de oferta ya no se limita a un solo tipo de chip.
Los centros de datos de IA necesitan memoria HBM, DRAM convencional para servidores y SSD empresariales, por lo que la presión de oferta ya no se limita a un solo tipo de chip. TrendForce prevé que la demanda de bits de DRAM para servidores y HBM crezca a una tasa anual compuesta del 37,4 % hasta 2028.[33]
Los informes sobre que Samsung, SK hynix y Micron habrían asignado anticipadamente toda su capacidad de DRAM y HBM para 2027 deben leerse con cautela: son reportes sectoriales, no una confirmación formal de las compañ...