China acorta distancias en memorias, pero el rendimiento de la HBM pone a prueba a CXMT

China se acerca a Corea del Sur en las generaciones de memoria que puede ofrecer. Pero lanzar un producto no equivale a fabricarlo de manera competitiva. Para CXMT, la prueba más exigente no es su anuncio de LPDDR6, sino el rendimiento —la proporción de unidades que superan el proceso de fabricación y las pruebas— de su memoria de alto ancho de banda, o HBM. 51

Una brecha que cambia según el tipo de memoria

La Asociación de la Industria de Semiconductores de Corea estima que China va unos tres años por detrás en HBM, dos en DRAM y uno en memoria flash NAND. Son estimaciones generales de distancia tecnológica: no demuestran que ambos países produzcan con el mismo rendimiento, volumen o coste. La comparación de NAND se refiere principalmente a YMTC; las de DRAM y HBM, a CXMT. 52

CXMT ha avanzado desde DDR5 hasta la producción en volumen de LPDDR5X y afirma que LPDDR6 ya ha entrado en producción masiva. También ha anunciado la producción masiva de su plataforma DRAM G5, que incluye productos LPDDR5X de 24 gigabits. Son avances en disponibilidad de productos, pero la empresa no ha divulgado el rendimiento ni la producción mensual de G5. Por tanto, esos anuncios no prueban una capacidad de fabricación equiparable a la de Samsung Electronics o SK hynix. 20342726

Por qué apilar HBM complica la fabricación

La HBM reúne varios chips de DRAM en una pila. Unas conexiones verticales que atraviesan el silicio, llamadas TSV, comunican sus capas. Formar esas conexiones y después apilar, alinear y unir los chips añade posibles defectos que no aparecen al fabricar cada chip de DRAM por separado. 119

Según informes, el rendimiento de las primeras pruebas de HBM3 de CXMT ronda el 25 %. Una publicación surcoreana cita aproximadamente el 80 % como referencia para la producción masiva, pero ninguna de las dos cifras debe confundirse con un resultado de producción comunicado por CXMT ni con un umbral universal para toda HBM. Por separado, SemiAnalysis modeló un rendimiento total cercano al 25 % a partir de sus propias hipótesis sobre las distintas etapas de fabricación. Los informes tampoco coinciden en si el producto piloto es HBM3 o HBM3E. 1337

La posible ayuda de YMTC y la prueba pendiente

Un informe describe un plan para aplicar a chips DRAM fabricados con el nodo G4 de CXMT los conocimientos de YMTC sobre unión híbrida de cobre con cobre, desarrollados para su tecnología XStacking. Esa técnica podría abordar parte del desafío de unir las capas. Sin embargo, un plan reportado no demuestra que la transferencia se haya completado, que el proceso esté validado ni que haya elevado el rendimiento de la HBM terminada. Tampoco resuelve por sí solo la formación de los TSV ni todas las demás posibles pérdidas de fabricación. 101

El siguiente hito es lograr, de forma repetida y a escala comercial, un rendimiento suficiente en pilas HBM completas y sometidas a pruebas. Los avances de CXMT en LPDDR muestran progreso en DRAM; el rendimiento reportado de sus pruebas de HBM recuerda que alcanzar una generación de producto no es lo mismo que fabricarla competitivamente. 27133