Samsung verbindet damit große Leistungs- und Effizienzversprechen:

• Leistung: Ein künftiges Interfacesystem auf Basis von zHBM soll laut Samsung etwa achtmal die Leistung von HBM5 erreichen . Andere Berichte nennen gegenüber HBM4 eine bis zu vierfach höhere Datenübertragungsrate bei einem Viertel des Energieverbrauchs .
• Dichte: Durch eine neue Generation des Wafer-Bondings soll die Speicherdichte im Vergleich zu herkömmlichem HBM um mehr als das Zehnfache steigen können .
• Energieeffizienz: Samsung beschreibt eine rund dreifach höhere Energieeffizienz gegenüber HBM5 – das entspräche ungefähr 66 Prozent weniger Energieverbrauch .
• Einordnung: Wichtig ist der Status der Technik: zHBM ist derzeit ein Konzeptmodell und noch kein Serienprodukt .

Samsung zeigte außerdem zNAND-O, eine Konzeptarchitektur, die insbesondere für KI-Inferenz am Netzwerkrand – also etwa in Edge-Systemen – gedacht ist .

V10 BV-NAND: Mehr als 400 Schichten und bereits in Produktion

Konkreter ist Samsungs V10 BV-NAND. Das Kürzel steht für „Bonding V-NAND“. Bei diesem Ansatz werden Speicherzellen und periphere Logik getrennt gefertigt und anschließend über Wafer-Bonding miteinander verbunden .

Die vorliegenden Angaben zu V10 BV-NAND:

• Schichten: Der Speicher überschreitet die Marke von 400 aktiven Schichten – der höchste von Samsung bislang für die V-NAND-Reihe genannte Wert .
• Speicherdichte: Gegenüber der vorherigen Generation V9 steigt die Dichte laut Samsung um etwa 58 Prozent .
• Effizienz und Wärme: Das Wafer-Bonding soll die Energieeffizienz ungefähr verdreifachen und den thermischen Widerstand senken .
• Produktionsstatus: Anders als zHBM handelt es sich nicht nur um eine Zukunftsvision: V10 BV-NAND befindet sich laut den verfügbaren Berichten bereits in der Massenproduktion .

Damit markiert V10 BV-NAND einen wichtigen Unterschied innerhalb von Samsungs Roadmap: Die vertikale zHBM-Architektur ist noch ein Konzept, während die 400-plus-Schichten-NAND-Technik bereits den Übergang in die kommerzielle Fertigung geschafft hat.

SK hynix und SanDisk veröffentlichen offenen HBF-Standard

Auch bei SK hynix stand eine neue Speicherebene für KI-Systeme im Fokus. Gemeinsam mit SanDisk veröffentlichte das Unternehmen auf der FMS 2026 die erste offene technische Spezifikation für High Bandwidth Flash (HBF) über das Open Compute Project (OCP) .

HBF soll die Lücke zwischen sehr schnellem, aber vergleichsweise begrenztem HBM und herkömmlichen NVMe-SSDs schließen. Die Technik kombiniert dafür die höhere Kapazität von NAND-Flash mit einem deutlich schnelleren Zugriff als bei klassischem Massenspeicher .

Die erste Spezifikation sieht vor:

• Kapazitäten von bis zu 512 GB,
• NAND-Stacks mit acht oder 16 übereinander angeordneten Dies,
• eine Bandbreite von bis zu 3,0 TB/s,
• und die Anbindung über die offene UCIe-Schnittstelle .

Für den Aufbau des Ökosystems ist außerdem relevant, dass Google DeepMind und Tenstorrent der HBF-Allianz beigetreten sind . Ein offener Standard könnte Herstellern von Beschleunigern, Speichern und Servern die Integration erleichtern und proprietäre Insellösungen vermeiden.

Warum HBM allein nicht mehr ausreicht

In Vorträgen und Diskussionsrunden der FMS 2026 zeichnete sich ein gemeinsames Bild ab: HBM allein kann den wachsenden Speicherbedarf von KI-Systemen nicht decken. Besonders bei der Inferenz entstehen große Datenmengen und Zwischenspeicher, die nicht dauerhaft im knapp bemessenen GPU- oder HBM-Speicher liegen können .

Als Antwort setzt die Branche auf hierarchische Speicherarchitekturen. Dabei übernimmt jede Ebene eine andere Aufgabe:

1. HBM liefert maximale Bandbreite direkt am KI-Beschleuniger.
2. HBF-ähnlicher Flash stellt zusätzliche Kapazität mit höherem Durchsatz als klassische SSDs bereit.
3. CXL-Speicher kann die verfügbare Kapazität flexibel erweitern und zwischen Systemkomponenten teilen.
4. NVMe-SSDs dienen als große, kostengünstigere Speicherebene.

Auch Marvells Beiträge zur Infrastruktur für agentische KI-Inferenz stellten ein breiteres Portfolio aus Speicher- und Speichertechnologien in den Vordergrund, statt ausschließlich auf HBM zu setzen .

Zwei weitreichende Behauptungen bleiben unbelegt

Zwei Aussagen aus der ursprünglichen Fragestellung konnten anhand der verfügbaren, veröffentlichten FMS-Berichte nicht bestätigt werden:

• Nvidia soll prognostiziert haben, dass die Zahl der KI-Agenten eines Tages die Weltbevölkerung übertreffen werde und sich die Speicherpreislogik von Kosten pro Gigabyte zu Kosten pro I/O-Vorgang verschiebe.
• Samsung, SK hynix und Micron sollen ihre gesamte DRAM- und HBM-Produktionskapazität für 2027 ausverkauft haben, wobei Kunden lediglich 60 bis 70 Prozent ihrer bestellten Mengen erhielten.

Beide Aussagen könnten aus einem Vortrag oder einer Podiumsdiskussion stammen, die in den bislang indexierten Quellen nicht vollständig dokumentiert wurden. Sie sind daher nicht verifiziert und sollten nicht wie bestätigte Ergebnisse der FMS 2026 behandelt werden.

Fazit: Der Speicher-Stack wird breiter und dreidimensionaler

Die belastbarsten Ergebnisse der FMS 2026 sind drei Ankündigungen: Samsungs zHBM-Konzept für vertikal gestapelten HBM, das bereits in Massenproduktion befindliche V10 BV-NAND mit mehr als 400 Schichten sowie der offene HBF-Standard von SK hynix und SanDisk.

Gemeinsam weisen sie in dieselbe Richtung: KI-Infrastruktur entwickelt sich weg von einer einzelnen Hochleistungsspeicherlösung und hin zu einem mehrstufigen, zunehmend dreidimensionalen Speicher-Stack. Die spektakulären zHBM-Werte sind dabei Zukunftsversprechen eines Konzeptmodells. V10 BV-NAND und HBF zeigen hingegen, welche Teile dieser Entwicklung bereits in konkrete Produkte und Standards übergehen.

Samsung verbindet damit große Leistungs- und Effizienzversprechen:

• Leistung: Ein künftiges Interfacesystem auf Basis von zHBM soll laut Samsung etwa achtmal die Leistung von HBM5 erreichen . Andere Berichte nennen gegenüber HBM4 eine bis zu vierfach höhere Datenübertragungsrate bei einem Viertel des Energieverbrauchs .
• Dichte: Durch eine neue Generation des Wafer-Bondings soll die Speicherdichte im Vergleich zu herkömmlichem HBM um mehr als das Zehnfache steigen können .
• Energieeffizienz: Samsung beschreibt eine rund dreifach höhere Energieeffizienz gegenüber HBM5 – das entspräche ungefähr 66 Prozent weniger Energieverbrauch .
• Einordnung: Wichtig ist der Status der Technik: zHBM ist derzeit ein Konzeptmodell und noch kein Serienprodukt .

Samsung zeigte außerdem zNAND-O, eine Konzeptarchitektur, die insbesondere für KI-Inferenz am Netzwerkrand – also etwa in Edge-Systemen – gedacht ist .

V10 BV-NAND: Mehr als 400 Schichten und bereits in Produktion

Konkreter ist Samsungs V10 BV-NAND. Das Kürzel steht für „Bonding V-NAND“. Bei diesem Ansatz werden Speicherzellen und periphere Logik getrennt gefertigt und anschließend über Wafer-Bonding miteinander verbunden .

Die vorliegenden Angaben zu V10 BV-NAND:

• Schichten: Der Speicher überschreitet die Marke von 400 aktiven Schichten – der höchste von Samsung bislang für die V-NAND-Reihe genannte Wert .
• Speicherdichte: Gegenüber der vorherigen Generation V9 steigt die Dichte laut Samsung um etwa 58 Prozent .
• Effizienz und Wärme: Das Wafer-Bonding soll die Energieeffizienz ungefähr verdreifachen und den thermischen Widerstand senken .
• Produktionsstatus: Anders als zHBM handelt es sich nicht nur um eine Zukunftsvision: V10 BV-NAND befindet sich laut den verfügbaren Berichten bereits in der Massenproduktion .

Damit markiert V10 BV-NAND einen wichtigen Unterschied innerhalb von Samsungs Roadmap: Die vertikale zHBM-Architektur ist noch ein Konzept, während die 400-plus-Schichten-NAND-Technik bereits den Übergang in die kommerzielle Fertigung geschafft hat.

SK hynix und SanDisk veröffentlichen offenen HBF-Standard

Auch bei SK hynix stand eine neue Speicherebene für KI-Systeme im Fokus. Gemeinsam mit SanDisk veröffentlichte das Unternehmen auf der FMS 2026 die erste offene technische Spezifikation für High Bandwidth Flash (HBF) über das Open Compute Project (OCP) .

HBF soll die Lücke zwischen sehr schnellem, aber vergleichsweise begrenztem HBM und herkömmlichen NVMe-SSDs schließen. Die Technik kombiniert dafür die höhere Kapazität von NAND-Flash mit einem deutlich schnelleren Zugriff als bei klassischem Massenspeicher .

Die erste Spezifikation sieht vor:

• Kapazitäten von bis zu 512 GB,
• NAND-Stacks mit acht oder 16 übereinander angeordneten Dies,
• eine Bandbreite von bis zu 3,0 TB/s,
• und die Anbindung über die offene UCIe-Schnittstelle .

Für den Aufbau des Ökosystems ist außerdem relevant, dass Google DeepMind und Tenstorrent der HBF-Allianz beigetreten sind . Ein offener Standard könnte Herstellern von Beschleunigern, Speichern und Servern die Integration erleichtern und proprietäre Insellösungen vermeiden.

Warum HBM allein nicht mehr ausreicht

In Vorträgen und Diskussionsrunden der FMS 2026 zeichnete sich ein gemeinsames Bild ab: HBM allein kann den wachsenden Speicherbedarf von KI-Systemen nicht decken. Besonders bei der Inferenz entstehen große Datenmengen und Zwischenspeicher, die nicht dauerhaft im knapp bemessenen GPU- oder HBM-Speicher liegen können .

Als Antwort setzt die Branche auf hierarchische Speicherarchitekturen. Dabei übernimmt jede Ebene eine andere Aufgabe:

1. HBM liefert maximale Bandbreite direkt am KI-Beschleuniger.
2. HBF-ähnlicher Flash stellt zusätzliche Kapazität mit höherem Durchsatz als klassische SSDs bereit.
3. CXL-Speicher kann die verfügbare Kapazität flexibel erweitern und zwischen Systemkomponenten teilen.
4. NVMe-SSDs dienen als große, kostengünstigere Speicherebene.

Auch Marvells Beiträge zur Infrastruktur für agentische KI-Inferenz stellten ein breiteres Portfolio aus Speicher- und Speichertechnologien in den Vordergrund, statt ausschließlich auf HBM zu setzen .

Zwei weitreichende Behauptungen bleiben unbelegt

Zwei Aussagen aus der ursprünglichen Fragestellung konnten anhand der verfügbaren, veröffentlichten FMS-Berichte nicht bestätigt werden:

• Nvidia soll prognostiziert haben, dass die Zahl der KI-Agenten eines Tages die Weltbevölkerung übertreffen werde und sich die Speicherpreislogik von Kosten pro Gigabyte zu Kosten pro I/O-Vorgang verschiebe.
• Samsung, SK hynix und Micron sollen ihre gesamte DRAM- und HBM-Produktionskapazität für 2027 ausverkauft haben, wobei Kunden lediglich 60 bis 70 Prozent ihrer bestellten Mengen erhielten.

Beide Aussagen könnten aus einem Vortrag oder einer Podiumsdiskussion stammen, die in den bislang indexierten Quellen nicht vollständig dokumentiert wurden. Sie sind daher nicht verifiziert und sollten nicht wie bestätigte Ergebnisse der FMS 2026 behandelt werden.

Fazit: Der Speicher-Stack wird breiter und dreidimensionaler

Die belastbarsten Ergebnisse der FMS 2026 sind drei Ankündigungen: Samsungs zHBM-Konzept für vertikal gestapelten HBM, das bereits in Massenproduktion befindliche V10 BV-NAND mit mehr als 400 Schichten sowie der offene HBF-Standard von SK hynix und SanDisk.

Gemeinsam weisen sie in dieselbe Richtung: KI-Infrastruktur entwickelt sich weg von einer einzelnen Hochleistungsspeicherlösung und hin zu einem mehrstufigen, zunehmend dreidimensionalen Speicher-Stack. Die spektakulären zHBM-Werte sind dabei Zukunftsversprechen eines Konzeptmodells. V10 BV-NAND und HBF zeigen hingegen, welche Teile dieser Entwicklung bereits in konkrete Produkte und Standards übergehen.