AntwortenVeröffentlicht21 Quellen
Samsung V10 BV-NAND erklärt: Was die 400-plus-Schichten für KI-Speicher bedeuten
Samsung beschreibt V10 BV NAND als 3D NAND der zehnten Generation mit mehr als 400 Wordlines und einer um über 58 Prozent höheren Bitdichte als V9. Die Architektur trennt Speicherzellen und Peripherieschaltungen auf unterschiedlichen Wafern.
Veröffentlicht vonBearbeitet mit GPT-5.6 LunaBilder erstellt mit GPT Image 1.5
Forschungsantwort
Wichtige Erkenntnisse
- Samsung beschreibt V10 BV NAND als 3D NAND der zehnten Generation mit mehr als 400 Wordlines und einer um über 58 Prozent höheren Bitdichte als V9.
- Die Architektur trennt Speicherzellen und Peripherieschaltungen auf unterschiedlichen Wafern.
- Samsung nennt mehr als 4,8 Gbit/s I/O, über 33 Prozent mehr Leistung und über 25 Prozent weniger Stromverbrauch; ein fester Termin für die Massenproduktion ist jedoch nicht bekannt.
KI-Prompt
openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What technical details did Samsung reveal on August 31, 2026, about its 10th-generation V10 BV-NAND flash memory chip—including its “full ca. Article summary: Samsung said V10 BV-NAND is a 10th-generation, 3D bonded NAND design intended to raise capacity, throughput, and energy efficiency for AI storage. Its disclosed performance claims versus V9 were over 58% higher bit densi. Topic tags: general, news, general web. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fake numbers
Samsung präsentiert V10 Bonding V-NAND, kurz BV-NAND, als seine NAND-Technologie für das Zeitalter der künstlichen Intelligenz. Der Prototyp der zehnten 3D-NAND-Generation verfügt über mehr als 400 Wordlines und kombiniert eine besonders hohe Speicherdichte mit schnellerem Datentransfer und niedrigerem Energieverbrauch. 1
2
In den am 31. August veröffentlichten Details nennt Samsung gegenüber der Vorgängergeneration V9 eine um mehr als 58 Prozent höhere Bitdichte, I/O-Geschwindigkeiten von über 4,8 Gbit/s – mehr als 33 Prozent schneller – sowie einen um mehr als 25 Prozent niedrigeren Stromverbrauch. 2
8
Wie Samsung die Marke von 400 Schichten erreicht
Die entscheidende Idee lautet nicht einfach, einen einzigen NAND-Turm immer weiter in die Höhe zu bauen. Samsung setzt bei V10 auf einen Drei-Stack-HARC-Merge-Prozess. Dabei wird die Zellstruktur in drei Stapelabschnitte aufgeteilt, separat gefertigt und anschließend vertikal miteinander verbunden. Ergänzend kommen die Verfahren Multi Hole und Zero Dummy Hole zum Einsatz. 13
17
Das ist relevant, weil mit jeder zusätzlichen Schicht nicht nur die Bauhöhe steigt. Auch Fertigung, Ausrichtung der Strukturen und elektrische Eigenschaften werden schwieriger kontrollierbar. Die Aufteilung in mehrere Segmente soll diese Belastungen reduzieren und die vertikale Architektur über die 400-Schichten-Marke hinaus erweitern.
Die vorliegenden Quellen belegen den Drei-Stack-Aufbau und die genannten unterstützenden Verfahren. Eine vollständige Beschreibung jedes einzelnen Fertigungsschritts liefern sie jedoch nicht.
Was das Wafer-Bonding verändert
Beim V10 werden die NAND-Speicherzellen und die Peripherie – also die Schaltungen zur Ansteuerung und Datenübertragung – getrennt voneinander hergestellt. Samsung fertigt beide Bereiche auf unterschiedlichen Wafern und verbindet sie anschließend durch Wafer-Bonding. Dadurch können Zellarray und Peripherieschaltungen zunächst unabhängig voneinander entwickelt und optimiert werden. 2
5
12
Der Ansatz soll die Speicherdichte und die Leistung erhöhen, ohne allein auf einen noch höheren Einzelstapel angewiesen zu sein. Samsung zufolge ermöglicht die getrennte Fertigung außerdem leistungsfähigere Peripherieschaltungen. Sie sollen zu den höheren Datenraten und zur besseren Energieeffizienz des V10 beitragen. 2
13
Die offene Frage rund um Full Capping
In den vorliegenden Berichten wird Full Capping als ein Layout beschrieben, bei dem der untere Peripherie-Chip dieselbe Grundfläche wie der darüberliegende Zellarray-Chip einnimmt. Die Peripherie würde demnach nicht über die Fläche des oberen Dies hinausragen. Das könnte helfen, die Chip- und Gehäusefläche trotz der getrennten Fertigung effizient zu nutzen.
Vorsicht ist allerdings bei der technischen Auslegung des Begriffs angebracht: Die offiziellen Samsung-Materialien und die bereitgestellten Quellenauszüge bestätigen klar die getrennte Fertigung von Zellen und Peripherie sowie deren Verbindung. Die genaue Geometrie von Full Capping und eine konkrete Umsetzung der Flächenanpassung werden darin nicht unabhängig im Detail belegt. Die Grundarchitektur ist also dokumentiert, die präzise Layout-Interpretation bleibt vorerst unsicher.
Die behaupteten Verbesserungen gegenüber V9
Samsung nennt für V10 im Vergleich zur neunten V-NAND-Generation folgende Werte:
- Bitdichte: mehr als 58 Prozent höher.
- I/O-Geschwindigkeit: über 4,8 Gbit/s und damit mehr als 33 Prozent höher.
- Stromverbrauch: mehr als 25 Prozent niedriger.
2
8
17
Eine höhere Bitdichte kann mehr Speicherkapazität auf vergleichbarer Fläche ermöglichen. Samsung bringt V10 deshalb mit künftigen SSDs hoher Kapazität in Verbindung, darunter Lösungen mit bis zu 128 TB sowie SSDs der nächsten PCIe-Gen7-Generation. 13
Wichtig ist die Einordnung: Bei diesen Zahlen handelt es sich um Angaben von Samsung, nicht um unabhängige Benchmark-Ergebnisse. Die verfügbaren Quellen zeigen außerdem nicht, wie stark sich die Verbesserungen in konkreten SSD-Produkten, bei unterschiedlichen Arbeitslasten oder mit verschiedenen Controller-Konfigurationen bemerkbar machen werden.
Warum V10 für KI-Rechenzentren gedacht ist
KI-Rechenzentren benötigen große Speichermengen für Trainingsdaten, Modell-Zwischenstände und andere datenintensive Prozesse. NAND ersetzt dabei nicht den besonders hohen Durchsatz von HBM oder anderem Hochgeschwindigkeits-DRAM. Es kann jedoch die kapazitätsorientierte Speicherebene übernehmen, bei der Dichte, Kosten und Energieverbrauch besonders wichtig sind.
Samsung ordnet V10 in eine breitere KI-Speicherstrategie ein, zu der auch zHBM und zNAND-O gehören. zHBM beschreibt das Konzept, Hochbandbreitenspeicher näher an oder direkt über einem KI-Beschleuniger zu platzieren. zNAND-O ist eine in Entwicklung befindliche Hochleistungs-NAND-Architektur, die in Varianten mit vier und acht Schichten vorgesehen ist. 5
6
7
Der gemeinsame Gedanke ist die stärkere Nutzung der dritten Dimension: Speicher- und Packaging-Strukturen sollen auf kleiner Fläche mehr Kapazität und Bandbreite bereitstellen und zugleich Energie- sowie Wärmeprobleme begrenzen. V10 ist dabei der auf Massenspeicher ausgerichtete Teil des Portfolios. zHBM und zNAND-O werden in den vorliegenden Belegen dagegen als Konzept- beziehungsweise Entwicklungsarchitekturen beschrieben – nicht als Produkte mit bestätigtem Serienstart. 1
6
7
Serienstart und langfristige Roadmap bleiben offen
Samsung stellte V10 auf der Future of Memory and Storage 2026 als Prototyp und Technologie der nächsten Generation vor. Die am 31. August veröffentlichten Aussagen nennen jedoch keinen verbindlichen Termin für Massenproduktion oder Auslieferung. 1
2
Auch weiterreichende Roadmap-Angaben sollten daher nicht als feste Zusagen behandelt werden. Die vorliegenden Belege bestätigen weder einen konkreten Vermarktungszeitplan für V10 noch einen Start der elften NAND-Generation im Jahr 2027 oder ein Ziel von 1.000 NAND-Schichten bis 2030. Frühere Berichte haben ein solches Ziel thematisiert, stellen aber keinen bestätigten Zeitplan von Samsung dar. 25
26
Die belastbarste Schlussfolgerung fällt deshalb etwas nüchterner aus: V10 zeigt, wie Samsung über 400 NAND-Schichten hinausgehen will – mit einer in drei Bereiche geteilten Zellstruktur sowie getrennt gefertigten und anschließend verbundenen Wafern für Speicherzellen und Peripherie. Die von Samsung genannten Fortschritte bei Dichte, I/O und Energieeffizienz sind deutlich. Wann daraus verfügbare SSD-Produkte werden und wie schnell die nächsten NAND-Generationen folgen, ist noch nicht entschieden.
Studio Global AI
Setzen Sie Ihre Recherche fort
Diese Seite enthält eine quellengestützte Antwort, die Sie in Studio Global fortsetzen können.
Die Leute fragen auch
Wie lautet die kurze Antwort auf „Samsung V10 BV-NAND erklärt: Was die 400-plus-Schichten für KI-Speicher bedeuten“?
Samsung beschreibt V10 BV NAND als 3D NAND der zehnten Generation mit mehr als 400 Wordlines und einer um über 58 Prozent höheren Bitdichte als V9.
Was sind die wichtigsten Punkte, die zuerst validiert werden müssen?
Samsung beschreibt V10 BV NAND als 3D NAND der zehnten Generation mit mehr als 400 Wordlines und einer um über 58 Prozent höheren Bitdichte als V9. Die Architektur trennt Speicherzellen und Peripherieschaltungen auf unterschiedlichen Wafern.
Was soll ich als nächstes in der Praxis tun?
Samsung nennt mehr als 4,8 Gbit/s I/O, über 33 Prozent mehr Leistung und über 25 Prozent weniger Stromverbrauch; ein fester Termin für die Massenproduktion ist jedoch nicht bekannt.