Samsung zeigt auf der FMS 2026 seine nächste Speicher-Generation

Die Architektur trennt die Fertigung der Speicherzellen von den peripheren Schaltkreisen. Beide Teile werden separat hergestellt und anschließend per Wafer-Bonding vertikal miteinander verbunden . Samsung beziffert die Speicherdichte auf rund 58 Prozent mehr als bei V9 . Gleichzeitig sollen Lese-, Schreib- und I/O-Leistung steigen und der Energieverbrauch sinken .

Der Schritt hat auch symbolischen Wert: Samsung hatte seine V-NAND-Technologie erstmals 2013 auf derselben Veranstaltung vorgestellt. Dreizehn Jahre später will der Konzern damit erneut eine neue Größenordnung beim 3D-Stacking markieren .

zHBM: HBM nicht neben, sondern über dem KI-Chip

Noch weitreichender ist zHBM. Bei herkömmlichen HBM-Generationen liegt der Hochleistungsspeicher neben dem KI-Beschleuniger und ist über einen Silizium-Interposer angebunden. Samsungs Konzept stapelt den HBM dagegen vertikal direkt über dem KI-Beschleuniger . Möglich werden soll dies durch fortgeschrittene Wafer-Bonding-Verfahren .

Samsung stellt für eine mögliche Umsetzung folgende Werte in Aussicht:

• etwa achtfache Leistung gegenüber HBM5,
• mehr als zehnfache Speicherdichte gegenüber HBM5,
• etwa dreifache Energieeffizienz,
• eine um mehr als die Hälfte verringerte thermische Resistenz .

Wichtig ist die Einordnung: zHBM war in Santa Clara lediglich als physisches Konzeptmodell beziehungsweise Mock-up zu sehen. Samsung nannte weder einen Starttermin für die Serienproduktion noch einen konkreten Zeitplan für die Vermarktung . Sollte die Architektur jedoch realisiert werden, könnte sie den bislang für HBM üblichen Silizium-Interposer überflüssig machen .

zNAND-O richtet sich an Edge-KI

Mit zNAND-O präsentierte Samsung ein weiteres 3D-Konzept. Dabei werden V-NAND und sogenannte Through-Silicon-Vias (TSV) kombiniert, um vier oder acht NAND-Chips in einem einzigen Gehäuse vertikal zu stapeln .

Die Lösung ist vor allem für Edge-KI gedacht – also für KI-Verarbeitung direkt in Geräten oder an der Datenquelle statt ausschließlich im Rechenzentrum. Samsung hebt eine bessere Platzausnutzung, höhere I/O-Leistung und geringere Latenzen hervor . Auch zNAND-O ist bislang ein Konzept ohne genannten Termin für die Kommerzialisierung .

Von HBM4E bis Processing-in-Memory

Neben den visionären Bauformen zeigte Samsung konkretere Stationen seiner HBM-Roadmap. Am Messestand waren HBM4E-Muster sowie HBM5-Konzeptmodelle zu sehen . Die Serienproduktion von HBM4E ist für 2027 vorgesehen. Dabei will Samsung seine 1c-DRAM-Technologie und einen Hybrid-Bonding-Prozess der vierten Generation einsetzen .

Samsung erklärte außerdem, im Februar 2026 als erstes Unternehmen HBM4 in Serie produziert zu haben – auf Basis von 1c-DRAM und 4-Nanometer-Chiptechnologie. Im Mai seien anschließend die ersten HBM4E-Muster an internationale Kunden geliefert worden .

Eine weitere vorgestellte Technologie war LPDDR5X-PIM. PIM steht für „Processing-in-Memory“, also Rechenoperationen direkt im Speicher. Statt sämtliche Daten zwischen Speicher und CPU oder GPU hin- und her zu bewegen, werden bestimmte Teilschritte im Speicher ausgeführt. Das kann bei passenden KI-Inferenzaufgaben die Datenbewegung reduzieren, die Effizienz erhöhen und den Energiebedarf senken .

Für KI-Infrastrukturen zeigte Samsung zudem die Enterprise-SSD-Plattformen PM1763 und BM1773 .

Samsung holt sich die DRAM-Führung zurück

Die Technologieoffensive fällt in eine Phase, in der sich die Kräfteverhältnisse im Speichermarkt verschieben. Nach Zahlen von Counterpoint Research kam Samsung im zweiten Quartal 2026 auf 39 Prozent des weltweiten DRAM-Umsatzes. Damit lag der Konzern vor SK hynix mit 26 Prozent und Micron mit 25 Prozent .

Samsung profitierte dabei von der Nachfrage nach herkömmlichem DRAM sowie vom Ausbau seines HBM-Geschäfts. Bei SK hynix entwickelten sich die HBM-Preise dagegen weniger dynamisch . Obwohl der Umsatz von SK hynix im Jahresvergleich um 214 Prozent gestiegen sein soll, sank der Marktanteil von 39 Prozent im zweiten Quartal 2025 auf 26 Prozent im zweiten Quartal 2026 . Samsung übernahm damit wieder die Spitzenposition, nachdem SK hynix sie zeitweise gehalten hatte .

Das neue Geschäftsmodell: Speicher auf fünf Jahre reservieren

Die strategisch möglicherweise wichtigste Ankündigung kam nicht von einem Messestand, sondern aus Samsungs Bilanzgespräch am 30. Juli. Der Konzern plant, 60 bis 70 Prozent seiner gesamten Speicherkapazität über langfristige Lieferverträge, sogenannte LTAs, zu vergeben .

Das Vertragsmodell sieht laut Samsung eine „5-Jahres-Rolling-Struktur“ vor: fünf Jahre Grundlaufzeit, die durch jährliche Verhandlungen jeweils verlängert werden kann . Zu den Bedingungen gehören Vorauszahlungen. Samsung erklärte, bereits rund ein Viertel der gesamten vereinbarten Anzahlungen erhalten zu haben .

Auch die Preisgestaltung stärkt offenbar die Position des Lieferanten. Laut einer Analyse beziehungsweise Umfrage von Bank of America Merrill Lynch sind Preisnachlässe auf maximal fünf Prozent pro Quartal begrenzt, während bei steigenden Preisen deutlich mehr Spielraum besteht .

Samsung hat nach eigenen Angaben bereits LTAs mit fünf großen globalen Rechenzentrumskunden abgeschlossen und verhandelt mit fünf weiteren Unternehmen. Medienberichte nennen als erste Gruppe Amazon Web Services, Microsoft, Google Cloud, Meta und Oracle; diese Zuordnung wird in den Berichten als mutmaßlich beziehungsweise bekannt aus Branchenkreisen dargestellt . Zum Vergleich: Micron rechnet damit, rund 50 Prozent seines Absatzes über strategische Kundenvereinbarungen abzuwickeln .

Für Samsung bedeutet das Modell mehr Planungssicherheit und frühzeitig zugesagte Nachfrage. Für Kunden bedeutet es, sich in einem angespannten Markt langfristig Speicherkapazität zu sichern. Gleichzeitig wird ein größerer Teil der Produktion weniger flexibel für kurzfristige Marktchancen verfügbar.

Die Konkurrenz baut eigene Speicherstufen auf

Samsung war nicht der einzige Anbieter mit einer weitreichenden KI-Roadmap auf der FMS 2026:

• SK hynix und Sandisk stellten gemeinsam die ersten Spezifikationen für High Bandwidth Flash (HBF) vor. HBF soll als Zwischenstufe die Lücke zwischen sehr schnellem HBM und klassischen SSDs schließen. Vorgesehen sind Kapazitäten bis 512 GB, Bandbreiten von etwa 0,4 bis 3,0 TB/s und die Anbindung über UCIe, den Universal Chiplet Interconnect Express . Google und Tenstorrent beteiligen sich am HBF-Konsortium .
• Kioxia zeigte die GP1-Serie von PCIe-6.0-NVMe-SSDs für den direkten GPU-Zugriff und präsentierte gemeinsam mit Nvidia Konzepte für Flash-Speicher in KI-Infrastrukturen. Die CM10- und NX1-Serien unterstützen zudem direkte Flüssigkühlung .
• Micron produziert seit Februar 2026 den Enterprise-Datenträger 9650 PCIe 6.0 in Serie. Er gilt in den vorliegenden Berichten als erste kommerzielle PCIe-6.0-SSD .
• SK hynix präsentierte außerdem eine V10-4D-NAND-Generation mit 375 Schichten und stellte dabei eine 2,5-fache Steigerung der Energieeffizienz heraus .

Fazit: Der Speicher wird zur Systemarchitektur

Samsungs Auftritt in Santa Clara war mehr als eine Präsentation neuer Speicherchips. V10 BV-NAND soll die Dichte klassischer 3D-NAND-Strukturen weiter erhöhen, während zHBM den Speicher direkt mit dem KI-Beschleuniger verschmelzen könnte. zNAND-O zielt auf kompakte Edge-KI-Systeme, und LPDDR5X-PIM verlagert bestimmte Rechenaufgaben in den Speicher selbst.

Parallel versucht Samsung, die starke Nachfrage wirtschaftlich abzusichern: Mit LTAs für 60 bis 70 Prozent der Kapazität bindet der Konzern große KI-Kunden über Jahre. Zusammen mit neuen Zwischenstufen wie HBF und der zunehmenden Verbreitung von PCIe 6.0 deutet das auf einen grundlegenden Wandel hin. Die nächste Generation der KI-Infrastruktur wird nicht nur von schnelleren Prozessoren abhängen, sondern von einer fein abgestimmten Hierarchie aus HBM, Hochgeschwindigkeits-Flash und Enterprise-SSDs.