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Nvidia setzt offenbar gemeinsame Fertigungsvorgaben für seinen neuen HBM-Speicher
Nvidia soll Samsung, SK hynix und Micron aufgefordert haben, für NVHBM dieselbe 3 nm Fertigung für die Basisdies und 1c DRAM für die Speicherlagen zu verwenden. Samsung habe der Vorgabe nach einer internen Prüfung zugestimmt.
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Forschungsantwort
Wichtige Erkenntnisse
- Nvidia soll Samsung, SK hynix und Micron aufgefordert haben, für NVHBM dieselbe 3 nm Fertigung für die Basisdies und 1c DRAM für die Speicherlagen zu verwenden.
- Samsung habe der Vorgabe nach einer internen Prüfung zugestimmt. Der Schritt beträfe demnach NVHBM, während Samsung Basisdies für seine Standard HBM Produkte weiterhin selbst fertigen soll.
- Die Vereinbarung ist bislang nicht offiziell bestätigt. Sie würde Samsungs Komplettfertigung für dieses Produkt einschränken, aber nicht das gesamte HBM Geschäft betreffen.
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openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What does Samsung’s reported first collaboration with foundry rival TSMC at the HBM manufacturing stage—using TSMC’s 3nm process for the bas. Article summary: Samsung’s reported move is best understood as a customer-specific exception to its in-house turnkey model: for Nvidia’s NVHBM, Samsung would use its foundry rival’s process for the logic base die rather than manufacture . Topic tags: general, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fa
Samsung soll für den Basisdie von Nvidias maßgeschneidertem Speicher NVHBM auf TSMCs 3-nm-Prozess setzen. Das wäre eine bemerkenswerte Zusammenarbeit zweier Konkurrenten in der Chipfertigung – und zugleich eine begrenzte Ausnahme von Samsungs üblicher Komplettfertigung. Die Berichte sprechen von einer Entscheidung für Nvidias Produkt, nicht von einem generellen Rückzug aus der eigenen HBM-Produktion. Offiziell bestätigt haben die Unternehmen die Vereinbarung bislang nicht. 32
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Was Nvidia von seinen Speicherlieferanten verlangt
Berichten zufolge bat Nvidia Samsung, SK hynix und Micron, die Basisdies für NVHBM mit TSMCs 3-nm-Prozess herzustellen. Für die darüber gestapelten Speicherchips soll einheitlich DRAM der Generation 1c zum Einsatz kommen – die sechste Generation von DRAM im 10-Nanometer-Klassenbereich. Samsung habe der Vorgabe nach einer internen Prüfung zugestimmt. 1
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Die beiden Bauteile erfüllen unterschiedliche Aufgaben: Der Basisdie sitzt am unteren Ende des HBM-Stapels und enthält Logik; darüber liegen die eigentlichen Speicherchips, auch Core Dies genannt. Gemeinsame Fertigungsvorgaben könnten Nvidia eine einheitlichere Grundlage für Integration und Prüfung der Produkte bieten. Das bedeutet jedoch nicht, dass die fertigen Speicher aller drei Anbieter identisch wären. 5
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Eine gezielte Ausnahme von Samsungs Komplettfertigung
Samsungs sogenanntes Turnkey-Modell bündelt die Fertigung: Das Unternehmen kann sowohl den Logik-Basisdie als auch die Speicherchips selbst herstellen. Bei NVHBM würde TSMCs Prozess für den Basisdie genutzt, während Samsung weiterhin als Speicherlieferant beteiligt wäre. Samsung gäbe damit für dieses Produkt einen Teil der Fertigung aus der Hand – nicht aber sein gesamtes HBM-Geschäft. 32
Den Berichten zufolge will Samsung Basisdies für seine Standard-HBM-Produkte weiterhin selbst fertigen. Das spricht für eine gezielte Anpassung an Nvidias Vorgaben statt für einen umfassenden Wechsel weg von der vertikalen Integration. 11
Warum der Basisdie bei NVHBM besonders wichtig ist
Bei NVHBM soll der Speichercontroller vom Prozessorchip in den HBM-Basisdie verlagert werden. Damit ist der Basisdie mehr als nur das Fundament des Speicherstapels: Er übernimmt zusätzliche Logikfunktionen. 40
Nvidia zufolge kann NVHBM im Vergleich zu standardisiertem HBM4E bis zu 30 Prozent mehr Bandbreite und 15 Prozent weniger HBM-Stromverbrauch bieten. Das sind angegebene Produktwerte; sie garantieren nicht, dass jedes System dieselben Verbesserungen erreicht. 43
Die zusätzlichen Funktionen erklären, weshalb der Fertigungsprozess des Basisdies für das Produkt eine zentrale Rolle spielt. Belegt ist in den vorliegenden Berichten allerdings eine gemeldete Vorgabe und Samsungs angebliche Zustimmung – keine öffentlich zugängliche technische Vereinbarung, die konkrete Fertigungs- oder Leistungsresultate festlegt.
Was bisher bekannt ist – und was nicht
Strategisch wäre der Schritt bedeutsam, weil er zeigt, wie stark Nvidia die Fertigungsvorgaben für ein eigenes Speicherprodukt mitprägen könnte. Für Samsung läge der mögliche Ausgleich darin, bei NVHBM weniger Kontrolle über die Basisdie-Fertigung zu haben und dafür Nvidias gewünschte Prozessvorgabe zu erfüllen. 1
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Die Informationslage hat jedoch klare Grenzen: Reuters gab die Meldung als Bericht der Seoul Economic Daily wieder; ein weiterer Bericht hält fest, dass die Unternehmen die konkreten Fertigungsvereinbarungen nicht bestätigt haben. 32
35 Aussagen zu Ausschussraten, einer möglichen Ausweichfertigung bei Samsung oder verfügbaren Kapazitäten bei TSMC lassen sich auf Grundlage der hier vorliegenden Belege daher nicht als gesicherte Ergebnisse darstellen.
Derzeit deutet am meisten darauf hin, dass Samsung sein Turnkey-Modell für NVHBM flexibel handhabt, statt es aufzugeben: Für Nvidias Produkt könnten die geforderten Spezifikationen Vorrang haben, während Samsung andere HBM-Produkte weiterhin selbst fertigt.
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Die Leute fragen auch
Wie lautet die kurze Antwort auf „Nvidia setzt offenbar gemeinsame Fertigungsvorgaben für seinen neuen HBM-Speicher“?
Nvidia soll Samsung, SK hynix und Micron aufgefordert haben, für NVHBM dieselbe 3 nm Fertigung für die Basisdies und 1c DRAM für die Speicherlagen zu verwenden.
Was sind die wichtigsten Punkte, die zuerst validiert werden müssen?
Nvidia soll Samsung, SK hynix und Micron aufgefordert haben, für NVHBM dieselbe 3 nm Fertigung für die Basisdies und 1c DRAM für die Speicherlagen zu verwenden. Samsung habe der Vorgabe nach einer internen Prüfung zugestimmt. Der Schritt beträfe demnach NVHBM, während Samsung Basisdies für seine Standard HBM Produkte weiterhin selbst fertigen soll.
Was soll ich als nächstes in der Praxis tun?
Die Vereinbarung ist bislang nicht offiziell bestätigt. Sie würde Samsungs Komplettfertigung für dieses Produkt einschränken, aber nicht das gesamte HBM Geschäft betreffen.
Quellen
fidelity.comSamsung to use TSMC technology for Nvidia's next-generation memory chips, Seoul newspaper reports
tradingkey.comSamsung Reportedly Adopts TSMC 3nm Solution for Nvidia HBM: Will SK Hynix and Micron Follow?
aistockwire.comaistockwire.com · blog · samsung-tsmc-3nm-base-die-nvidiaSamsung to use TSMC 3nm for Nvidia's custom HBM base die
en.sedaily.comSamsung to Tap TSMC for Nvidia's Custom HBM Base Die