Die drei etablierten Player der Branche investieren auf einem beispiellosen Niveau, um die Angebotslücke zu schließen:
Ein Großteil dieser neuen Kapazitäten fließt in HBM (High Bandwidth Memory) – Samsung und SK Hynix widmen 80 bis 90 Prozent ihrer Fertigungskapazität in modernen Knoten dem HBM, während Micron etwa 70 Prozent umleitet .
Chinas CXMT (ChangXin Memory Technologies) entwickelt sich zu einer ernstzunehmenden vierten Kraft im DRAM-Markt:
Befürchtungen, CXMT könnte ein Überangebot auslösen, sind laut SemiAnalysis für die nächsten zwei Jahre wahrscheinlich übertrieben, angesichts des Ausmaßes des gesamten Nachfragewachstums .
SK-Group-Chef Chey Tae-won warnt eindringlich vor den Preisrisiken:
Die Branche ist zwischen zwei gegensätzlichen Kräften gefangen:
Die Aktienkurse spiegeln den Boom wider: Memory-Aktien legten im Mai 2026 an einer einzigen Woche um rund 30 Prozent zu , und die Aktien aller drei großen Hersteller erreichten bis Mitte 2026 Rekordhöhen . Genaue prozentuale Jahresvergleichszahlen für Samsung und SK Hynix konnten nicht unabhängig über eine primäre Marktdatenquelle innerhalb der Suchergebnisse verifiziert werden, der Richtungsrallye ist jedoch gut dokumentiert.
Für Investoren, Technologiekäufer und Branchenanalysten stellt sich die entscheidende Frage: Kann die Branche diesen Superzyklus meistern, ohne das historische Boom-Bust-Muster zu wiederholen, das die Memory-Märkte seit jeher prägt?