Samsung angiver følgende mål for en fremtidig zHBM-baseret grænseflade:

• Ydeevne: Op til otte gange HBM5’s ydeevne . Andre rapporter beskriver op til fire gange højere dataoverførselshastighed end HBM4 ved en fjerdedel af strømforbruget .
• Tæthed: Over ti gange så høj hukommelsestæthed som konventionel HBM ved brug af næste generations wafer bonding .
• Energieffektivitet: Omkring tre gange bedre energieffektivitet end HBM5, svarende til cirka 66 procent lavere energiforbrug .
• Status: zHBM er fortsat en konceptmodel og er ikke et produkt i masseproduktion .

Samsung viste også zNAND-O, en konceptarkitektur målrettet AI-inferens i kanten – altså behandling tæt på den enhed eller det sted, hvor data bliver skabt .

V10 BV-NAND passerer 400 lag – og er allerede i produktion

Den mere konkrete produktnyhed var Samsungs V10 BV-NAND. Forkortelsen står for Bonding V-NAND og beskriver en NAND-arkitektur, hvor hukommelsesceller og perifer logik fremstilles separat og derefter forbindes ved hjælp af wafer bonding .

Teknologien har:

• Mere end 400 aktive lag, det højeste antal Samsung hidtil har offentliggjort for V-NAND .
• Cirka 58 procent højere hukommelsestæthed end den tidligere V9-generation .
• Forbedringer i læse-, skrive- og I/O-ydeevne samt lavere termisk modstand .
• Ifølge Samsung omkring tre gange bedre energieffektivitet .

V10 BV-NAND er allerede i masseproduktion. Det gør den til den første kommercielle NAND-teknologi, der passerer 400 lag, ifølge de tilgængelige rapporter .

Forskellen mellem de to Samsung-nyheder er derfor væsentlig: zHBM viser en mulig fremtidig retning for AI-hukommelse, mens V10 BV-NAND er en konkret teknologi, der allerede fremstilles.

HBF skal udfylde hullet mellem HBM og SSD’er

SK hynix og SanDisk offentliggjorde på FMS 2026 den første åbne tekniske specifikation for High Bandwidth Flash (HBF) gennem Open Compute Project (OCP) . OCP er et brancheprojekt, der udvikler åbne standarder for blandt andet servere, datacentre og AI-infrastruktur.

Den første HBF-specifikation understøtter:

• Op til 512 GB kapacitet.
• NAND-stakke med otte eller 16 lagrede dies.
• Op til 3,0 TB/s båndbredde via en UCIe-grænseflade .

HBF er tænkt som et kapacitetsorienteret hukommelseslag mellem den meget hurtige HBM og traditionelle NVMe-SSD’er. Målet er at afhjælpe flaskehalse under AI-inferens, hvor modeller og deres kontekst kan kræve mere hukommelse, end GPU’ens HBM kan levere .

Google DeepMind og Tenstorrent er gået med i HBF-alliancen . Det giver initiativet opbakning både fra en stor AI-platform og fra en virksomhed, der udvikler AI-processorer.

Branchen ser ud til at opgive idéen om én hukommelsestype

Et gennemgående budskab fra oplæg og paneler på FMS 2026 var, at HBM alene ikke kan følge med AI-systemernes voksende behov. I stedet ventes en hierarkisk hukommelsesarkitektur, hvor forskellige typer hukommelse bruges til forskellige opgaver.

En sådan model kan kombinere:

• HBM tæt på AI-acceleratoren til de mest tidskritiske data.
• HBF- eller anden flashbaseret hukommelse til større mængder data med krav om høj båndbredde.
• CXL-forbundet hukommelse, som kan udvides og deles mellem systemkomponenter.
• NVMe-lager til større datamængder, der ikke behøver at være tilgængelige med samme hastighed .

Marvells præsentationer fokuserede eksempelvis på infrastruktur til agentbaseret AI-inferens, hvor en bred portefølje af hukommelse og lager er nødvendig i stedet for HBM alene .

To opsigtsvækkende påstande er ikke bekræftet

To udsagn fra det oprindelige spørgsmål kunne ikke dokumenteres i de offentliggjorte kilder fra FMS 2026.

Det gælder for det første påstanden om, at Nvidia forudså, at antallet af AI-agenter på et tidspunkt vil overstige verdens befolkning, og at prissætningen af hukommelse derfor vil bevæge sig fra pris pr. gigabyte til pris pr. I/O-operation.

For det andet kunne påstanden om, at Samsung, SK hynix og Micron allerede har udsolgt hele deres DRAM- og HBM-produktion for 2027, mens kunder kun får dækket 60-70 procent af deres efterspørgsel, heller ikke bekræftes.

Begge udsagn kan være fremsat under et oplæg eller en paneldebat, som endnu ikke er gengivet i de indekserede rapporter. De bør derfor ikke behandles som dokumenterede resultater fra konferencen.

Konklusion

De bedst dokumenterede nyheder fra FMS 2026 er Samsungs zHBM-koncept, V10 BV-NAND med over 400 lag og den åbne HBF-standard fra SK hynix og SanDisk. Tilsammen peger de på en AI-infrastruktur, hvor hukommelse ikke længere er én enkelt komponent, men et helt system af lag med forskellige kompromiser mellem hastighed, kapacitet, energiforbrug og pris.

Samsung angiver følgende mål for en fremtidig zHBM-baseret grænseflade:

• Ydeevne: Op til otte gange HBM5’s ydeevne . Andre rapporter beskriver op til fire gange højere dataoverførselshastighed end HBM4 ved en fjerdedel af strømforbruget .
• Tæthed: Over ti gange så høj hukommelsestæthed som konventionel HBM ved brug af næste generations wafer bonding .
• Energieffektivitet: Omkring tre gange bedre energieffektivitet end HBM5, svarende til cirka 66 procent lavere energiforbrug .
• Status: zHBM er fortsat en konceptmodel og er ikke et produkt i masseproduktion .

Samsung viste også zNAND-O, en konceptarkitektur målrettet AI-inferens i kanten – altså behandling tæt på den enhed eller det sted, hvor data bliver skabt .

V10 BV-NAND passerer 400 lag – og er allerede i produktion

Den mere konkrete produktnyhed var Samsungs V10 BV-NAND. Forkortelsen står for Bonding V-NAND og beskriver en NAND-arkitektur, hvor hukommelsesceller og perifer logik fremstilles separat og derefter forbindes ved hjælp af wafer bonding .

Teknologien har:

• Mere end 400 aktive lag, det højeste antal Samsung hidtil har offentliggjort for V-NAND .
• Cirka 58 procent højere hukommelsestæthed end den tidligere V9-generation .
• Forbedringer i læse-, skrive- og I/O-ydeevne samt lavere termisk modstand .
• Ifølge Samsung omkring tre gange bedre energieffektivitet .

V10 BV-NAND er allerede i masseproduktion. Det gør den til den første kommercielle NAND-teknologi, der passerer 400 lag, ifølge de tilgængelige rapporter .

Forskellen mellem de to Samsung-nyheder er derfor væsentlig: zHBM viser en mulig fremtidig retning for AI-hukommelse, mens V10 BV-NAND er en konkret teknologi, der allerede fremstilles.

HBF skal udfylde hullet mellem HBM og SSD’er

SK hynix og SanDisk offentliggjorde på FMS 2026 den første åbne tekniske specifikation for High Bandwidth Flash (HBF) gennem Open Compute Project (OCP) . OCP er et brancheprojekt, der udvikler åbne standarder for blandt andet servere, datacentre og AI-infrastruktur.

Den første HBF-specifikation understøtter:

• Op til 512 GB kapacitet.
• NAND-stakke med otte eller 16 lagrede dies.
• Op til 3,0 TB/s båndbredde via en UCIe-grænseflade .

HBF er tænkt som et kapacitetsorienteret hukommelseslag mellem den meget hurtige HBM og traditionelle NVMe-SSD’er. Målet er at afhjælpe flaskehalse under AI-inferens, hvor modeller og deres kontekst kan kræve mere hukommelse, end GPU’ens HBM kan levere .

Google DeepMind og Tenstorrent er gået med i HBF-alliancen . Det giver initiativet opbakning både fra en stor AI-platform og fra en virksomhed, der udvikler AI-processorer.

Branchen ser ud til at opgive idéen om én hukommelsestype

Et gennemgående budskab fra oplæg og paneler på FMS 2026 var, at HBM alene ikke kan følge med AI-systemernes voksende behov. I stedet ventes en hierarkisk hukommelsesarkitektur, hvor forskellige typer hukommelse bruges til forskellige opgaver.

En sådan model kan kombinere:

• HBM tæt på AI-acceleratoren til de mest tidskritiske data.
• HBF- eller anden flashbaseret hukommelse til større mængder data med krav om høj båndbredde.
• CXL-forbundet hukommelse, som kan udvides og deles mellem systemkomponenter.
• NVMe-lager til større datamængder, der ikke behøver at være tilgængelige med samme hastighed .

Marvells præsentationer fokuserede eksempelvis på infrastruktur til agentbaseret AI-inferens, hvor en bred portefølje af hukommelse og lager er nødvendig i stedet for HBM alene .

To opsigtsvækkende påstande er ikke bekræftet

To udsagn fra det oprindelige spørgsmål kunne ikke dokumenteres i de offentliggjorte kilder fra FMS 2026.

Det gælder for det første påstanden om, at Nvidia forudså, at antallet af AI-agenter på et tidspunkt vil overstige verdens befolkning, og at prissætningen af hukommelse derfor vil bevæge sig fra pris pr. gigabyte til pris pr. I/O-operation.

For det andet kunne påstanden om, at Samsung, SK hynix og Micron allerede har udsolgt hele deres DRAM- og HBM-produktion for 2027, mens kunder kun får dækket 60-70 procent af deres efterspørgsel, heller ikke bekræftes.

Begge udsagn kan være fremsat under et oplæg eller en paneldebat, som endnu ikke er gengivet i de indekserede rapporter. De bør derfor ikke behandles som dokumenterede resultater fra konferencen.

Konklusion

De bedst dokumenterede nyheder fra FMS 2026 er Samsungs zHBM-koncept, V10 BV-NAND med over 400 lag og den åbne HBF-standard fra SK hynix og SanDisk. Tilsammen peger de på en AI-infrastruktur, hvor hukommelse ikke længere er én enkelt komponent, men et helt system af lag med forskellige kompromiser mellem hastighed, kapacitet, energiforbrug og pris.