Samsung viser næste generation af AI-hukommelse ved FMS 2026

Teknologien adskiller sig fra traditionel NAND-produktion ved, at hukommelsesceller og perifere kredsløb fremstilles separat, hvorefter wafere forbindes lodret ved hjælp af wafer bonding . Samsung kombinerer desuden arkitekturen med en såkaldt 3-Stack-struktur.

Selskabet oplyser, at V10 BV-NAND har omkring 58 procent højere hukommelsestæthed end den tidligere V9-generation . Ifølge Samsung skal teknologien samtidig forbedre læse-, skrive- og I/O-ydeevnen samt sænke strømforbruget .

Det er 13 år siden, Samsung første gang præsenterede V-NAND ved samme branchebegivenhed, dengang i 2013 .

zHBM flytter hukommelsen oven på AI-chippen

Det mest opsigtsvækkende koncept var zHBM. I dagens HBM-systemer placeres de stablede hukommelseschips typisk ved siden af AI-acceleratoren på en silicium-interposer. zHBM vender denne opbygning på hovedet: Her stables HBM lodret direkte oven på AI-acceleratoren .

Samsung fremhæver, at kortere afstand mellem processor og hukommelse kan mindske den datatransport, som ofte udgør en flaskehals i AI-systemer. Ved hjælp af avanceret wafer bonding anslår virksomheden, at zHBM på sigt kan levere:

• omkring otte gange HBM5-ydeevnen
• over 10 gange HBM5's hukommelsestæthed
• tre gange bedre energieffektivitet
• mere end halveret termisk modstand

Tallene er Samsungs egne forventninger til arkitekturen og ikke resultater fra et kommercielt produkt. zHBM blev vist som en fysisk konceptmodel, ikke som en færdig salgsvare, og Samsung har ikke oplyst en tidsplan for kommercialisering . Hvis arkitekturen bliver realiseret, vil den samtidig gøre op med den silicium-interposer, som har været central i alle tidligere HBM-generationer .

zNAND-O er målrettet edge-AI

Samsung præsenterede også zNAND-O, en konceptarkitektur baseret på V-NAND og gennemgående siliciumforbindelser, kendt som TSV. Løsningen kan stable fire eller otte NAND-chips i én samlet pakke .

Målet er især AI-opgaver ved kanten af netværket – såkaldt edge AI – hvor plads, latenstid og strømforbrug er afgørende. Samsung fremhæver forbedret pladsudnyttelse, højere I/O-ydeevne og lavere latenstid .

Ligesom zHBM er zNAND-O fortsat et koncept uden en offentliggjort dato for kommerciel lancering .

HBM4E, HBM5 og hukommelse med indbygget databehandling

På standen viste Samsung desuden HBM4E-prøver og HBM5-konceptmodeller . Selskabet begyndte ifølge egne oplysninger masseproduktion af HBM4 i februar 2026 med 1c-DRAM og 4-nanometerteknologi. I maj oplyste Samsung, at det var den første producent til at levere HBM4E-prøver til globale kunder .

Masseproduktion af HBM4E er planlagt til 2027 og skal benytte Samsungs fjerde generation af Hybrid Bonding-processen .

Samsung viste også LPDDR5X-PIM. PIM står for processing-in-memory – databehandling i hukommelsen. I stedet for at sende alle data frem og tilbage mellem hukommelsen og CPU'en eller GPU'en kan dele af beregningerne udføres direkte i hukommelsen. Det kan især være relevant for AI-inferens og kan i passende arbejdsbelastninger forbedre effektiviteten og reducere strømforbruget .

På lagringssiden fremhævede Samsung desuden enterprise-SSD-platformene PM1763 og BM1773, som er udviklet med AI-infrastruktur for øje .

Samsung tilbage på førstepladsen i DRAM

Teknologiplanen kommer på et tidspunkt, hvor Samsung igen har taget føringen på DRAM-markedet. Ifølge Counterpoint Research stod Samsung for 39 procent af det globale DRAM-marked målt på omsætning i andet kvartal 2026. SK hynix havde 26 procent, mens Micron lå på 25 procent .

Fremgangen blev ifølge markedsdata understøttet af efterspørgsel efter almindelig DRAM og Samsungs voksende HBM-produktion. Samtidig blev SK hynix' markedsandel påvirket af stagnerende HBM-priser . SK hynix' omsætning steg ganske vist 214 procent sammenlignet med året før, men markedsandelen faldt fra 39 procent i andet kvartal 2025 til 26 procent i andet kvartal 2026 .

Resultatet betyder, at Samsung har generobret førstepladsen, efter at SK hynix i en periode havde ligget øverst .

Langtidsaftaler skal sikre AI-kunderne hukommelse

På Samsungs regnskabstelefonkonference den 30. juli annoncerede selskabet en ny model for langsigtede leveringsaftaler, såkaldte LTA'er (long-term agreements). Målet er at placere 60–70 procent af den samlede hukommelseskapacitet under sådanne aftaler .

Aftalerne er opbygget som en »femårig rullende« kontrakt: en grundperiode på fem år, som kan forlænges med ét år ad gangen gennem årlige forhandlinger . De indeholder også forudbetalinger og prislofter. Samsung har oplyst, at selskabet allerede havde modtaget omkring en fjerdedel af de samlede forventede forudbetalinger .

Ifølge oplysninger om kontraktstrukturen er prisfald begrænset til højst 5 procent pr. kvartal, mens prisstigninger i praksis ikke har den samme begrænsning . En undersøgelse fra Bank of America Merrill Lynch vurderede derfor, at vilkårene i høj grad favoriserer leverandøren .

Samsung har oplyst, at aftaler allerede er indgået med fem store globale datacenterkunder, mens forhandlingerne med yderligere fem AI-kunder er i slutfasen . Medier har identificeret de fem første som AWS, Microsoft, Google Cloud, Meta og Oracle, men Samsung har ikke selv offentliggjort alle kundenavne i forbindelse med aftalerne .

Til sammenligning sigter Micron efter, at omkring 50 procent af salget skal være dækket af virksomhedens egne Strategic Customer Agreements .

Konkurrenterne bygger nye lag i AI-hukommelsen

Samsung var langt fra alene om at sætte AI-hukommelse på dagsordenen ved FMS 2026.

• SK hynix og Sandisk præsenterede de første specifikationer for High Bandwidth Flash (HBF). Teknologien er tænkt som et mellemlag mellem HBM og SSD'er og skal udfylde afstanden mellem høj hastighed og stor kapacitet. Specifikationerne omfatter kapaciteter på op til 512 GB, båndbredder fra omkring 0,4 TB/s til 3,0 TB/s og UCIe-grænsefladen. Google og Tenstorrent deltager i HBF-konsortiet .
• Kioxia viste GP1-serien af PCIe 6.0 NVMe-SSD'er, der er optimeret til direkte adgang fra GPU'er. Selskabet præsenterede også CM10- og NX1-serierne, som understøtter direkte væskekøling, og havde en fælles præsentation med Nvidia om flashlagring til AI-infrastruktur .
• Micron har siden februar 2026 haft sin 9650 PCIe 6.0 enterprise-SSD i masseproduktion. Ifølge de tilgængelige oplysninger var det den første kommercielle PCIe 6.0-SSD .
• SK hynix viste desuden sin tiende generation af 4D-NAND med 375 lag og hævdede en forbedring af energieffektiviteten på 2,5 gange .

En ny kamp om hele hukommelseshierarkiet

Samsungs budskab ved FMS 2026 handlede derfor ikke kun om flere lag eller hurtigere hukommelse. Det handlede om at gentænke hele forbindelsen mellem AI-beregning, hukommelse og lagring.

zHBM forsøger at flytte hukommelsen tættere på selve AI-processoren. zNAND-O retter sig mod kompakte edge-systemer, mens V10 BV-NAND skal presse mere kapacitet ind i NAND-flash. Samtidig viser HBF-initiativerne fra SK hynix og Sandisk, at branchen undersøger nye mellemniveauer mellem HBM og SSD.

Med langtidsaftaler for 60–70 procent af kapaciteten forsøger Samsung desuden at gøre AI-boomet mere forudsigeligt for sin egen forretning. De mest spektakulære teknologier er stadig koncepter, men retningen er tydelig: AI-infrastrukturens næste kapitel skal bygges med flere hukommelseslag, tættere integration og langt mere langsigtet planlægning af leverancerne.