Samsung forsøger at angribe AI-industriens hukommelsesflaskehals fra en ny vinkel: Ikke bare med hurtigere chips, men ved at gøre selve hukommelsessystemet mere tredimensionelt.

På Memory Executive Summit under SEMICON Taiwan 2026 præsenterede virksomheden strategien CUBE, der står for Capacity, Utilization, Bandwidth og Efficiency – på dansk kapacitet, udnyttelse, båndbredde og effektivitet. 24

CUBE samler en mere nærliggende produktretning, HBM5, med mere eksperimentelle arkitekturer, hvor hukommelse og logik placeres tættere på hinanden. Det afgørende forbehold er, at Samsung har offentliggjort udviklingsmål og koncepter – ikke et komplet sæt endelige specifikationer for produkter, der kan købes.

Fire prioriteter i CUBE-strategien

Kapacitet: Byg opad i stedet for udad

Samsung vil øge hukommelseskapaciteten lodret uden at udvide arealet på printpladen. Det er relevant i AI-systemer, hvor acceleratorer skal have adgang til stadig større hukommelsespuljer, samtidig med at plads, pakkestørrelse og strømforsyning er begrænsede. 249

Udnyttelse: Få hvert lag til at yde mere

CUBE handler ikke kun om at tilføje flere stablede hukommelseslag. Samsung beskriver også en optimering af placeringen og samspillet mellem logik og hukommelse, så data ikke skal bevæge sig unødigt eller vente i ineffektive forbindelser. 449

Båndbredde: Kortere vej for data

Målet er at øge båndbredden ved at forkorte afstanden mellem processorkredsløb og hukommelse. I zHBM-konceptet sker det gennem tætte, lodrette forbindelser i stedet for den konventionelle konstruktion, hvor HBM placeres ved siden af AI-acceleratoren. 812

Effektivitet: Brug mindre energi på dataflytning

Effektivitetspillen omfatter både strømforbrug og varme. Dataflytning kræver energi, og tættere AI-pakker udvikler mere varme. Derfor behandler CUBE båndbredde, strømforbrug og termisk modstand som forbundne designproblemer – ikke som tre uafhængige tal i et datablad. 551

HBM5: Store mål, men få absolutte tal

Samsung udvikler HBM5 som efterfølgeren til HBM4E. De offentliggjorte mål er:

• Dobbelt ydeevne i forhold til HBM4E
• 20 procent højere ydeevne pr. watt
• 20 procent lavere termisk modstand 126

Omtalen af teknologien peger desuden på en 1c-klasse DRAM-proces, en egenudviklet 2 nm-basematrist og en såkaldt Heat Path Block, der skal hjælpe med at lede varme væk fra stakken. 37

Tallene bør dog læses som udviklingsmål – ikke som uafhængigt demonstrerede produktresultater. Samsung har ikke oplyst en absolut båndbredde for HBM5, den endelige kapacitet, en bekræftet stakhøjde eller præcist, hvad formuleringen “dobbelt ydeevne” måler. Det kan være en grænseflademåling, gennemløbet pr. stak eller en bredere systemegenskab. De tilgængelige oplysninger afgør ikke spørgsmålet. 7

Derfor kan påstanden om 2× ikke omsættes pålideligt til et bestemt antal terabyte pr. sekund. En fair sammenligning med en HBM4E-demonstration kræver samme definition af ydeevne, samme stakkonfiguration og ens testbetingelser.

zHBM flytter hukommelsen oven på acceleratoren

Den mest vidtgående del af planen er zHBM. I et traditionelt HBM-design ligger hukommelsen ved siden af en AI-accelerator og forbindes typisk via en avanceret pakke eller en interposer. zHBM vil i stedet placere hukommelsen direkte oven på CPU’en, GPU’en eller en anden accelerator og dermed skabe en lodret struktur med hukommelse og logik. 81217

Samsung foreslår wafer-baseret integration med hybrid kobberbinding. Direkte kobber-til-kobber-forbindelser kan give kortere og tættere signalveje end en konventionel placering. Tanken er at øge båndbredden og samtidig reducere den energi, der bruges på at flytte data. 17

Samsung har offentliggjort et mål om op til otte gange ydeevnen i forhold til en reference for HBM samt op til tre gange højere ydeevne pr. watt, kombineret med en markant reduktion i termisk modstand. 1618

Hvorfor zHBM nogle gange omtales som 4× og andre gange som 8×

Tallene for zHBM er ikke altid direkte sammenlignelige. Samsungs tydeligste offentlige formulering beskriver et næste generations grænsefladesystem med zHBM, der kan nå cirka 8× ydeevne i forhold til HBM5. 1822 Andre artikler sammenligner i stedet med HBM4E eller angiver et interval på 4–8×. 11352

Forskellen kan skyldes forskellige referencegenerationer, forskellige definitioner af “ydeevne” eller en forskel mellem grænsefladens ydeevne og et komplet hukommelsesstacks gennemløb. Samsung har endnu ikke offentliggjort tilstrækkeligt mange absolutte målepunkter til at forene sammenligningerne.

Den forsigtige konklusion er derfor, at zHBM er et forslag til en langt tættere og kortere hukommelsesgrænseflade – ikke en verificeret 4×- eller 8×-forbedring i et AI-system, der allerede er i produktion.

Hvornår kommer zHBM på markedet?

Samsung har præsenteret zHBM som en konceptarkitektur, men har ifølge den tilgængelige omtale ikke fastlagt en produktionstidsplan. Påstande om kommercialisering i et bestemt år bør derfor opfattes som brancheforventninger og ikke som en tidsplan, Samsung har bekræftet. 1323

Det er vigtigt, fordi arkitekturen introducerer en række produktions- og pakkeudfordringer, som ikke fremgår af de store multiplikatorer i præsentationen.

zNAND-O løser et andet AI-problem

Samsungs zNAND-O er adskilt fra den serverorienterede HBM-strategi. Teknologien er tænkt som en vertikalt integreret NAND-baseret løsning til on-device-AI og andre anvendelser, der har brug for høj lagertæthed og hurtigere adgang end konventionel NAND kan tilbyde. Omtalen beskriver et mål om væsentligt højere bit-tæthed end DRAM samt forbedret læsebåndbredde og energieffektivitet sammenlignet med almindelig NAND. 4613

Nogle artikler nævner kundesampling fra 2028, men den tilgængelige dækning er ikke entydig om tidsplanens status. Datoen bør derfor behandles som en rapporteret plan – ikke som en garanteret lanceringsdato. 131416

Samsungs DRAM-føring afgør ikke HBM-kapløbet

Samsung gik ind i præsentationen fra en stærk position på det bredere DRAM-marked. Ifølge data fra Counterpoint Research havde Samsung 39 procent af den globale DRAM-omsætning i andet kvartal 2026, foran SK hynix med 26 procent og Micron med 25 procent. 33

Det er dog ikke det samme som førerposition i hver enkelt HBM-generation eller inden for 3D-pakning af hukommelse. Den samlede DRAM-omsætning dækker også markeder uden for avancerede AI-acceleratorer og beviser derfor ikke, at Samsung allerede fører inden for HBM5, zHBM eller hybridbundet hukommelse.

Det reelle konkurrencespørgsmål handler derfor mindre om, hvem der sælger mest DRAM i dag, og mere om hvem der kan omsætte en lovende arkitektur til stabile pakker i stort volumen, som kunderne faktisk kan integrere i AI-systemer.

De tekniske spørgsmål, der kan afgøre CUBE’s skæbne

Varmehåndtering

At placere hukommelsen direkte oven på en kraftig accelerator forkorter den elektriske forbindelsesvej, men kan samtidig skabe et vanskeligere termisk miljø. De afgørende tests vil omfatte vedvarende temperaturer, temperaturforskelle i pakken, kontrol af hotspots, kompatibilitet med køleløsninger og stabilitet under virkelige AI-belastninger – ikke kun en lovet reduktion i termisk modstand.

Udbytte ved hybridbinding

zHBM kræver ekstremt præcis waferjustering samt rene og plane overflader. Defekter får større betydning, når det bundne areal og forbindelsestætheden vokser. Producenterne får brug for effektiv sortering af såkaldte known-good dies, stram proceskontrol og metoder til at håndtere fejlbehæftede eller delvist fejlbehæftede samlinger.

Test og langsigtet drift

En lodret pakke skal testes efter sammenbindingen. Samtidig skal producenterne kunne finde skjulte forbindelsesfejl og kontrollere skævhed, mekanisk belastning, elektromigration og effekten af gentagne opvarmnings- og afkølingscyklusser. Kravene kan få direkte betydning for både udbytte og pris.

Stakhøjde og integration i systemet

Flere lag kan øge kapaciteten, men kan også gøre køling, strømforsyning og mekanisk stabilitet vanskeligere. Den optimale konstruktion vil afhænge af acceleratorens effektforbrug, kundens pakke- og kølesystem, den nødvendige kapacitet og resten af produktionsøkosystemet.

Konklusion

CUBE er Samsungs forsøg på at konkurrere om AI-hukommelse gennem vertikal integration i stedet for kun hurtigere DRAM. HBM5 er den mere nærliggende produktretning med mål om dobbelt ydeevne i forhold til HBM4E, 20 procent bedre ydeevne pr. watt og 20 procent lavere termisk modstand.

zHBM er det langsigtede arkitektursats: Hukommelsen placeres direkte oven på acceleratoren, mens hybrid kobberbinding skal forkorte dataenes vej og gøre forbindelserne tættere.

Roadmappen er teknologisk interessant, men de største tal er fortsat mål med ufuldstændige definitioner. Samsungs endelige position vil derfor ikke alene afhænge af, om en præsentation kan love 2× eller 8× ydeevne. Det afgørende bliver, om virksomheden kan levere den nødvendige varmehåndtering, bindingsudbytte, testdækning, pålidelighed og integration i kundernes komplette AI-pakker.

Samsung forsøger at angribe AI-industriens hukommelsesflaskehals fra en ny vinkel: Ikke bare med hurtigere chips, men ved at gøre selve hukommelsessystemet mere tredimensionelt.

På Memory Executive Summit under SEMICON Taiwan 2026 præsenterede virksomheden strategien CUBE, der står for Capacity, Utilization, Bandwidth og Efficiency – på dansk kapacitet, udnyttelse, båndbredde og effektivitet. 24

CUBE samler en mere nærliggende produktretning, HBM5, med mere eksperimentelle arkitekturer, hvor hukommelse og logik placeres tættere på hinanden. Det afgørende forbehold er, at Samsung har offentliggjort udviklingsmål og koncepter – ikke et komplet sæt endelige specifikationer for produkter, der kan købes.

Fire prioriteter i CUBE-strategien

Kapacitet: Byg opad i stedet for udad

Samsung vil øge hukommelseskapaciteten lodret uden at udvide arealet på printpladen. Det er relevant i AI-systemer, hvor acceleratorer skal have adgang til stadig større hukommelsespuljer, samtidig med at plads, pakkestørrelse og strømforsyning er begrænsede. 249

Udnyttelse: Få hvert lag til at yde mere

CUBE handler ikke kun om at tilføje flere stablede hukommelseslag. Samsung beskriver også en optimering af placeringen og samspillet mellem logik og hukommelse, så data ikke skal bevæge sig unødigt eller vente i ineffektive forbindelser. 449

Båndbredde: Kortere vej for data

Målet er at øge båndbredden ved at forkorte afstanden mellem processorkredsløb og hukommelse. I zHBM-konceptet sker det gennem tætte, lodrette forbindelser i stedet for den konventionelle konstruktion, hvor HBM placeres ved siden af AI-acceleratoren. 812

Effektivitet: Brug mindre energi på dataflytning

Effektivitetspillen omfatter både strømforbrug og varme. Dataflytning kræver energi, og tættere AI-pakker udvikler mere varme. Derfor behandler CUBE båndbredde, strømforbrug og termisk modstand som forbundne designproblemer – ikke som tre uafhængige tal i et datablad. 551

HBM5: Store mål, men få absolutte tal

Samsung udvikler HBM5 som efterfølgeren til HBM4E. De offentliggjorte mål er:

• Dobbelt ydeevne i forhold til HBM4E
• 20 procent højere ydeevne pr. watt
• 20 procent lavere termisk modstand 126

Omtalen af teknologien peger desuden på en 1c-klasse DRAM-proces, en egenudviklet 2 nm-basematrist og en såkaldt Heat Path Block, der skal hjælpe med at lede varme væk fra stakken. 37

Tallene bør dog læses som udviklingsmål – ikke som uafhængigt demonstrerede produktresultater. Samsung har ikke oplyst en absolut båndbredde for HBM5, den endelige kapacitet, en bekræftet stakhøjde eller præcist, hvad formuleringen “dobbelt ydeevne” måler. Det kan være en grænseflademåling, gennemløbet pr. stak eller en bredere systemegenskab. De tilgængelige oplysninger afgør ikke spørgsmålet. 7

Derfor kan påstanden om 2× ikke omsættes pålideligt til et bestemt antal terabyte pr. sekund. En fair sammenligning med en HBM4E-demonstration kræver samme definition af ydeevne, samme stakkonfiguration og ens testbetingelser.

zHBM flytter hukommelsen oven på acceleratoren

Den mest vidtgående del af planen er zHBM. I et traditionelt HBM-design ligger hukommelsen ved siden af en AI-accelerator og forbindes typisk via en avanceret pakke eller en interposer. zHBM vil i stedet placere hukommelsen direkte oven på CPU’en, GPU’en eller en anden accelerator og dermed skabe en lodret struktur med hukommelse og logik. 81217

Samsung foreslår wafer-baseret integration med hybrid kobberbinding. Direkte kobber-til-kobber-forbindelser kan give kortere og tættere signalveje end en konventionel placering. Tanken er at øge båndbredden og samtidig reducere den energi, der bruges på at flytte data. 17

Samsung har offentliggjort et mål om op til otte gange ydeevnen i forhold til en reference for HBM samt op til tre gange højere ydeevne pr. watt, kombineret med en markant reduktion i termisk modstand. 1618

Hvorfor zHBM nogle gange omtales som 4× og andre gange som 8×

Tallene for zHBM er ikke altid direkte sammenlignelige. Samsungs tydeligste offentlige formulering beskriver et næste generations grænsefladesystem med zHBM, der kan nå cirka 8× ydeevne i forhold til HBM5. 1822 Andre artikler sammenligner i stedet med HBM4E eller angiver et interval på 4–8×. 11352

Forskellen kan skyldes forskellige referencegenerationer, forskellige definitioner af “ydeevne” eller en forskel mellem grænsefladens ydeevne og et komplet hukommelsesstacks gennemløb. Samsung har endnu ikke offentliggjort tilstrækkeligt mange absolutte målepunkter til at forene sammenligningerne.

Den forsigtige konklusion er derfor, at zHBM er et forslag til en langt tættere og kortere hukommelsesgrænseflade – ikke en verificeret 4×- eller 8×-forbedring i et AI-system, der allerede er i produktion.

Hvornår kommer zHBM på markedet?

Samsung har præsenteret zHBM som en konceptarkitektur, men har ifølge den tilgængelige omtale ikke fastlagt en produktionstidsplan. Påstande om kommercialisering i et bestemt år bør derfor opfattes som brancheforventninger og ikke som en tidsplan, Samsung har bekræftet. 1323

Det er vigtigt, fordi arkitekturen introducerer en række produktions- og pakkeudfordringer, som ikke fremgår af de store multiplikatorer i præsentationen.

zNAND-O løser et andet AI-problem

Samsungs zNAND-O er adskilt fra den serverorienterede HBM-strategi. Teknologien er tænkt som en vertikalt integreret NAND-baseret løsning til on-device-AI og andre anvendelser, der har brug for høj lagertæthed og hurtigere adgang end konventionel NAND kan tilbyde. Omtalen beskriver et mål om væsentligt højere bit-tæthed end DRAM samt forbedret læsebåndbredde og energieffektivitet sammenlignet med almindelig NAND. 4613

Nogle artikler nævner kundesampling fra 2028, men den tilgængelige dækning er ikke entydig om tidsplanens status. Datoen bør derfor behandles som en rapporteret plan – ikke som en garanteret lanceringsdato. 131416

Samsungs DRAM-føring afgør ikke HBM-kapløbet

Samsung gik ind i præsentationen fra en stærk position på det bredere DRAM-marked. Ifølge data fra Counterpoint Research havde Samsung 39 procent af den globale DRAM-omsætning i andet kvartal 2026, foran SK hynix med 26 procent og Micron med 25 procent. 33

Det er dog ikke det samme som førerposition i hver enkelt HBM-generation eller inden for 3D-pakning af hukommelse. Den samlede DRAM-omsætning dækker også markeder uden for avancerede AI-acceleratorer og beviser derfor ikke, at Samsung allerede fører inden for HBM5, zHBM eller hybridbundet hukommelse.

Det reelle konkurrencespørgsmål handler derfor mindre om, hvem der sælger mest DRAM i dag, og mere om hvem der kan omsætte en lovende arkitektur til stabile pakker i stort volumen, som kunderne faktisk kan integrere i AI-systemer.

De tekniske spørgsmål, der kan afgøre CUBE’s skæbne

Varmehåndtering

At placere hukommelsen direkte oven på en kraftig accelerator forkorter den elektriske forbindelsesvej, men kan samtidig skabe et vanskeligere termisk miljø. De afgørende tests vil omfatte vedvarende temperaturer, temperaturforskelle i pakken, kontrol af hotspots, kompatibilitet med køleløsninger og stabilitet under virkelige AI-belastninger – ikke kun en lovet reduktion i termisk modstand.

Udbytte ved hybridbinding

zHBM kræver ekstremt præcis waferjustering samt rene og plane overflader. Defekter får større betydning, når det bundne areal og forbindelsestætheden vokser. Producenterne får brug for effektiv sortering af såkaldte known-good dies, stram proceskontrol og metoder til at håndtere fejlbehæftede eller delvist fejlbehæftede samlinger.

Test og langsigtet drift

En lodret pakke skal testes efter sammenbindingen. Samtidig skal producenterne kunne finde skjulte forbindelsesfejl og kontrollere skævhed, mekanisk belastning, elektromigration og effekten af gentagne opvarmnings- og afkølingscyklusser. Kravene kan få direkte betydning for både udbytte og pris.

Stakhøjde og integration i systemet

Flere lag kan øge kapaciteten, men kan også gøre køling, strømforsyning og mekanisk stabilitet vanskeligere. Den optimale konstruktion vil afhænge af acceleratorens effektforbrug, kundens pakke- og kølesystem, den nødvendige kapacitet og resten af produktionsøkosystemet.

Konklusion

CUBE er Samsungs forsøg på at konkurrere om AI-hukommelse gennem vertikal integration i stedet for kun hurtigere DRAM. HBM5 er den mere nærliggende produktretning med mål om dobbelt ydeevne i forhold til HBM4E, 20 procent bedre ydeevne pr. watt og 20 procent lavere termisk modstand.

zHBM er det langsigtede arkitektursats: Hukommelsen placeres direkte oven på acceleratoren, mens hybrid kobberbinding skal forkorte dataenes vej og gøre forbindelserne tættere.

Roadmappen er teknologisk interessant, men de største tal er fortsat mål med ufuldstændige definitioner. Samsungs endelige position vil derfor ikke alene afhænge af, om en præsentation kan love 2× eller 8× ydeevne. Det afgørende bliver, om virksomheden kan levere den nødvendige varmehåndtering, bindingsudbytte, testdækning, pålidelighed og integration i kundernes komplette AI-pakker.