Hvad ændrer sig i 14A2?

Den almindelige Intel 14A-proces benytter allerede PowerDirect, Intels netværk til strømforsyning fra bagsiden af wafer’en – også kaldet BSPDN (backside power delivery network) .

Den rapporterede 14A2-variant går et skridt videre ved at fordele strømmen fra både for- og bagsiden af chippen. Målet er at frigøre plads i metallagene og dermed gøre det muligt at placere transistorerne tættere .

De vigtigste tal er:

• M0-metalafstand i 14A: 28 nm
• Mål for M0-metalafstanden i 14A2: cirka 21 nm
• Forventet densitetsforbedring for 14A: op til cirka 30 procent sammenlignet med Intel 18A

Ifølge rapporteringen skal forbedringer inden for blandt andet dobbeltmønstring (double patterning) gøre den mindre metalafstand mulig i 14A2 . Intel har dog ikke offentliggjort, hvor meget højere transistortætheden konkret bliver i forhold til standard-14A.

Hvorfor overvejer Intel ændringen?

Den primære drivkraft er konkurrencen på de mest avancerede procesnoder. TSMC arbejder på A14, mens Samsung forsøger at etablere sin egen 1,4-nm-klasse med SF1.4 .

Intel har derfor brug for et tydeligt teknologisk argument ud over den densitetsforbedring, som allerede er lovet for 14A. En dobbeltsidet strømforsyning kan i teorien give Intel mulighed for at presse metalafstandene og transistorplaceringen yderligere.

Til gengæld er løsningen ikke uden problemer. Den meget tætte struktur kan øge den elektriske modstand, og strømforsyningen skal håndtere en højere belastning. De eksisterende nanogennemføringer i silicium, såkaldte nTSV’er, kan ifølge rapporten have svært ved direkte at håndtere den øgede strømtæthed .

Den omtalte løsning er derfor en sammensat arkitektur: Den bagudvendte strømforsyning skal fortsat være den vigtigste kilde, mens en del af strømmen også fordeles gennem metallagene på forsiden .

Intels tidsplan for 14A

Intels administrerende direktør, Lip-Bu Tan, har opdateret tidsplanen for processen. Et PDK – et Process Design Kit med de værktøjer og data, som kunder skal bruge til at designe chips – er en central milepæl for eksterne foundry-kunder.

Tan har omtalt PDK 0.9 som 14A-processens ”hellige gral” og en afgørende milepæl for kundernes vurdering af teknologien . Den nuværende tidsplan er omtrent ét år senere end tidligere meldinger, der pegede på risikoproduktion i 2027 .

Sådan ligger Intel i forhold til TSMC og Samsung

TSMC planlægger ifølge Bloomberg at begynde produktion med A14 i 2028 . Andre kilder peger ligeledes på masseproduktion i 2028 . Den første A14-version får dog ikke strømforsyning fra bagsiden; en variant med bagudvendte strømrails, omtalt som A14P, er planlagt til 2029 .

Samsung indgår i den bredere konkurrence om 1,4-nm-klassen, men de tilgængelige kilder dokumenterer ikke en bekræftet tidsplan for risikoproduktion eller masseproduktion af SF1.4 .

På papiret betyder det, at Intels mål om masseproduktion i 2029 ligger cirka ét år efter TSMC’s rapporterede A14-plan for 2028. Tan har dog sagt, at Intel ser 14A-tidspunktet som tæt sammenfaldende med TSMC’s A14, eftersom begge processer befinder sig i samme 1,4-nm-klasse .

Intel ser allerede længere frem

Intel forsøger ikke kun at indhente konkurrenterne med 14A. Lip-Bu Tan har bekræftet, at virksomheden allerede har sat udviklingen af to efterfølgende procesnoder i gang :

• 10A, der placerer sig i 1-nm-klassen
• 7A, der går under 1 nm

Tan fortalte om planerne under J.P. Morgans 54. årlige Global Technology, Media and Communications Conference i Boston . Det viser, at Intel arbejder med en fler generationers plan for procesnoder i ångstrøm-klassen – altså noder, der navngives med enheden ångstrøm i stedet for nanometer.

Konklusion

Intel 14A kombinerer anden generation af RibbonFET-transistorer med PowerDirect-strømforsyning fra bagsiden. Intel siger, at processen kan give op til 30 procent højere chipdensitet end 18A .

Den rapporterede 14A2-variant kan blive mere ambitiøs med strømforsyning fra både for- og bagsiden samt en M0-metalafstand på cirka 21 nm . Det kan øge transistortætheden, men Intel har endnu ikke offentliggjort en præcis densitetsgevinst for 14A2.

De næste afgørende datoer er PDK 0.9 i oktober 2026, risikoproduktion i 2028 og masseproduktion i 2029 . Det er cirka ét år efter TSMC’s rapporterede A14-plan for 2028 . Samtidig har Intel allerede rettet blikket mod 10A og 7A, som skal føre virksomhedens processtrategi videre efter 14A .

Hvad ændrer sig i 14A2?

Den almindelige Intel 14A-proces benytter allerede PowerDirect, Intels netværk til strømforsyning fra bagsiden af wafer’en – også kaldet BSPDN (backside power delivery network) .

Den rapporterede 14A2-variant går et skridt videre ved at fordele strømmen fra både for- og bagsiden af chippen. Målet er at frigøre plads i metallagene og dermed gøre det muligt at placere transistorerne tættere .

De vigtigste tal er:

• M0-metalafstand i 14A: 28 nm
• Mål for M0-metalafstanden i 14A2: cirka 21 nm
• Forventet densitetsforbedring for 14A: op til cirka 30 procent sammenlignet med Intel 18A

Ifølge rapporteringen skal forbedringer inden for blandt andet dobbeltmønstring (double patterning) gøre den mindre metalafstand mulig i 14A2 . Intel har dog ikke offentliggjort, hvor meget højere transistortætheden konkret bliver i forhold til standard-14A.

Hvorfor overvejer Intel ændringen?

Den primære drivkraft er konkurrencen på de mest avancerede procesnoder. TSMC arbejder på A14, mens Samsung forsøger at etablere sin egen 1,4-nm-klasse med SF1.4 .

Intel har derfor brug for et tydeligt teknologisk argument ud over den densitetsforbedring, som allerede er lovet for 14A. En dobbeltsidet strømforsyning kan i teorien give Intel mulighed for at presse metalafstandene og transistorplaceringen yderligere.

Til gengæld er løsningen ikke uden problemer. Den meget tætte struktur kan øge den elektriske modstand, og strømforsyningen skal håndtere en højere belastning. De eksisterende nanogennemføringer i silicium, såkaldte nTSV’er, kan ifølge rapporten have svært ved direkte at håndtere den øgede strømtæthed .

Den omtalte løsning er derfor en sammensat arkitektur: Den bagudvendte strømforsyning skal fortsat være den vigtigste kilde, mens en del af strømmen også fordeles gennem metallagene på forsiden .

Intels tidsplan for 14A

Intels administrerende direktør, Lip-Bu Tan, har opdateret tidsplanen for processen. Et PDK – et Process Design Kit med de værktøjer og data, som kunder skal bruge til at designe chips – er en central milepæl for eksterne foundry-kunder.

Tan har omtalt PDK 0.9 som 14A-processens ”hellige gral” og en afgørende milepæl for kundernes vurdering af teknologien . Den nuværende tidsplan er omtrent ét år senere end tidligere meldinger, der pegede på risikoproduktion i 2027 .

Sådan ligger Intel i forhold til TSMC og Samsung

TSMC planlægger ifølge Bloomberg at begynde produktion med A14 i 2028 . Andre kilder peger ligeledes på masseproduktion i 2028 . Den første A14-version får dog ikke strømforsyning fra bagsiden; en variant med bagudvendte strømrails, omtalt som A14P, er planlagt til 2029 .

Samsung indgår i den bredere konkurrence om 1,4-nm-klassen, men de tilgængelige kilder dokumenterer ikke en bekræftet tidsplan for risikoproduktion eller masseproduktion af SF1.4 .

På papiret betyder det, at Intels mål om masseproduktion i 2029 ligger cirka ét år efter TSMC’s rapporterede A14-plan for 2028. Tan har dog sagt, at Intel ser 14A-tidspunktet som tæt sammenfaldende med TSMC’s A14, eftersom begge processer befinder sig i samme 1,4-nm-klasse .

Intel ser allerede længere frem

Intel forsøger ikke kun at indhente konkurrenterne med 14A. Lip-Bu Tan har bekræftet, at virksomheden allerede har sat udviklingen af to efterfølgende procesnoder i gang :

• 10A, der placerer sig i 1-nm-klassen
• 7A, der går under 1 nm

Tan fortalte om planerne under J.P. Morgans 54. årlige Global Technology, Media and Communications Conference i Boston . Det viser, at Intel arbejder med en fler generationers plan for procesnoder i ångstrøm-klassen – altså noder, der navngives med enheden ångstrøm i stedet for nanometer.

Konklusion

Intel 14A kombinerer anden generation af RibbonFET-transistorer med PowerDirect-strømforsyning fra bagsiden. Intel siger, at processen kan give op til 30 procent højere chipdensitet end 18A .

Den rapporterede 14A2-variant kan blive mere ambitiøs med strømforsyning fra både for- og bagsiden samt en M0-metalafstand på cirka 21 nm . Det kan øge transistortætheden, men Intel har endnu ikke offentliggjort en præcis densitetsgevinst for 14A2.

De næste afgørende datoer er PDK 0.9 i oktober 2026, risikoproduktion i 2028 og masseproduktion i 2029 . Det er cirka ét år efter TSMC’s rapporterede A14-plan for 2028 . Samtidig har Intel allerede rettet blikket mod 10A og 7A, som skal føre virksomhedens processtrategi videre efter 14A .