FMS 2026: Samsung ukázal zHBM a NAND s více než 400 vrstvami

Smyslem je co nejvíce zkrátit vzdálenost, kterou musí data mezi pamětí a výpočetním čipem urazit. Kratší datové propojení může znamenat vyšší propustnost i nižší energetické nároky .

Samsung u budoucího rozhraní založeného na zHBM uvádí:

• až osminásobný výkon oproti HBM5 ,
• potenciálně více než desetinásobnou hustotu paměti ve srovnání s konvenční HBM díky nové generaci spojování waferů ,
• přibližně trojnásobnou energetickou účinnost, tedy zhruba o 66 % nižší spotřebu než u HBM5 .

Je však potřeba oddělit marketingový příslib od hotového produktu: zHBM je zatím pouze koncept, nikoli technologie v sériové výrobě . Samsung současně ukázal také koncept zNAND-O, zaměřený na inferenci AI na okraji sítě, tedy přímo v zařízeních nebo lokálních serverech .

V10 BV-NAND překonává hranici 400 vrstev

Konkrétnějším produktem je V10 BV-NAND neboli Bonding V-NAND. Samsung u něj odděluje paměťové pole od obvodů řídicí logiky a následně oba wafery spojuje technologií wafer bonding .

Výsledkem je NAND čip s více než 400 aktivními vrstvami, což je nejvyšší počet, který Samsung u své řady V-NAND dosud zveřejnil . Podle firmy nabízí V10 přibližně o 58 % vyšší hustotu paměti než předchozí generace V9 .

Samsung zároveň uvádí zhruba trojnásobné zlepšení energetické účinnosti a nižší tepelný odpor . Na rozdíl od zHBM nejde jen o výhled do budoucna: V10 BV-NAND je podle dostupných zpráv již v sériové výrobě, takže jde o první komerční NAND, který překonal hranici 400 vrstev .

HBF: mezivrstva mezi HBM a SSD

Druhou velkou zprávou z FMS 2026 bylo zveřejnění první otevřené technické specifikace pro High Bandwidth Flash (HBF). Na standardu spolupracují SK hynix a SanDisk a specifikace vyšla prostřednictvím Open Compute Project (OCP), což je průmyslová iniciativa zaměřená mimo jiné na otevřené návrhy a interoperabilitu datových center .

První specifikace počítá s:

• kapacitou až 512 GB,
• osmivrstvými a šestnáctivrstvými NAND sestavami,
• propustností až 3,0 TB/s přes rozhraní UCIe .

HBF nemá jednoduše nahradit HBM. Jeho účelem je vytvořit kapacitní a rychlou vrstvu mezi velmi drahou vysokorychlostní pamětí DRAM/HBM a klasickými NVMe SSD. Taková vrstva by mohla pomoci řešit nedostatek paměti při inferenci AI, kdy modely pracují s velkým množstvím kontextu a mezivýsledků .

Do aliance HBF se zapojily také Google DeepMind a Tenstorrent, což dává standardu podporu jak ze strany provozovatele AI infrastruktury, tak ze strany vývojáře AI procesorů .

Proč samotná HBM nebude stačit

Z prezentací a panelových diskusí na FMS 2026 vyplynul širší závěr: HBM sama o sobě nedokáže pokrýt všechny budoucí nároky AI. Místo jediné univerzální paměti se proto prosazuje hierarchická architektura, v níž mají jednotlivé vrstvy rozdílný poměr rychlosti, kapacity a ceny.

V praxi může jít o kombinaci:

• HBM pro nejcitlivější a nejrychlejší výpočty,
• paměti připojené přes CXL pro rozšíření a sdílení kapacity,
• HBF nebo podobné flashové vrstvy pro rychlý přístup k větším objemům dat,
• NVMe úložiště pro kapacitu a dlouhodobější data .

Prezentace společnosti Marvell se podobně zaměřily na infrastrukturu pro agentní AI a zdůraznily potřebu širšího portfolia pamětí a úložišť namísto spoléhání pouze na HBM .

Co se naopak nepodařilo ověřit

V dostupných zveřejněných materiálech z FMS 2026 se nepodařilo potvrdit dvě tvrzení z původního zadání.

Prvním je údajná předpověď společnosti Nvidia, že počet AI agentů překoná počet lidí na světě a že se cena paměti přesune od nákladů za gigabajt k nákladům za jednu I/O operaci. Druhým je tvrzení, že Samsung, SK hynix a Micron již vyprodaly celou kapacitu výroby DRAM a HBM na rok 2027 a zákazníci dostávají pouze 60 až 70 % požadovaných objemů.

Mohlo jít o výroky z keynote nebo panelu, které zatím nebyly zachyceny v dostupných a indexovaných zprávách. Na základě nyní ověřitelných zdrojů je proto nelze prezentovat jako potvrzená fakta.

Co FMS 2026 skutečně potvrdil

Největší význam letošního ročníku nespočívá v jediném rekordním čísle. Samsung ukázal, kam může směřovat fyzické vrstvení paměti, V10 BV-NAND dokládá, že wafer bonding už proniká do sériové výroby, a HBF se pokouší vytvořit otevřenou mezivrstvu pro AI systémy.

Společný směr je zřejmý: budoucí AI servery budou pravděpodobně pracovat s více úrovněmi paměti a úložiště, které budou společně vyvažovat rychlost, kapacitu, spotřebu a cenu.