Intel chce posunout AI čipy za hranici reticle: EMIB-T míří k balíčkům o velikosti až 24×
EMIB T přidává k propojovacím můstkům Intel EMIB vertikální průchody TSV a umožňuje hustší datové i napájecí propojení. Intel technologii ověřil při rozteči výstupků 36/35 µm na pouzdru o velikosti 2× reticle; proti 45µm rozteči u Granite Rapids jde o 65% zvýšení hustoty propojení [1][12].
PublikovalUpraveno pomocí DeepSeek-V4-FlashObrázky vytvořeny pomocí GPT Image 1.5
EMIB T přidává k propojovacím můstkům Intel EMIB vertikální průchody TSV a umožňuje hustší datové i napájecí propojení.
Intel technologii ověřil při rozteči výstupků 36/35 µm na pouzdru o velikosti 2× reticle; proti 45µm rozteči u Granite Rapids jde o 65% zvýšení hustoty propojení [1][12].
Distribuované podplnění DMU má omezit praskání, delaminaci a vznik dutin u pouzder výrazně větších než jeden reticle, v budoucnu až do konceptuální velikosti 24× [1][2][3].
Rio Rancho dnes podle Intelu vyrábí pouzdra o velikosti až 8× reticle; plán pro rok 2028 počítá s více než 12× reticle, tedy s plochou přes 10 000 mm² [2][3][13].
What technical breakthrough did Intel announce in advanced chip packaging at its Rio Rancho facility, how does it solve underfill encapsulatIntel's EMIB-T (Embedded Multi-die Interconnect Bridge with TSVs) is the key technology enabling packages up to 24× reticle size, validated at 36/35 µm bump pitch with production rollout in 2026.
AI Prompt
Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What technical breakthrough did Intel announce in advanced chip packaging at its Rio Rancho facility, how does it solve underfill encapsulat. Article summary: Here is a comprehensive breakdown of Intel's recent advanced packaging announcements and the competitive landscape.. Topic tags: general, general web, user generated, education. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts with fake numbers, clickbait thumbnails, icons, and tiny thumbnail layouts. Make it useful as an illu
openai.com
Intel v závodě o stále větší AI akcelerátory nesází jen na výkonnější tranzistory. Klíčová bitva se odehrává také v jejich pouzdření – tedy v části, která propojuje jednotlivé čipletové bloky, paměti a napájení do jednoho systému.
V závodě Intel Foundry v Rio Rancho v Novém Mexiku firma rozvíjí technologii EMIB-T. Ta má umožnit stavět obří vícedílná pouzdra, která překonávají běžný limit daný velikostí jednoho výrobního reticle, a současně zvládat výkon v řádu desítek kilowattů.
Co je EMIB-T a proč je důležitá
EMIB-T znamená Embedded Multi-die Interconnect Bridge with Through-Silicon Vias. Jde o další vývoj technologie EMIB, v níž je malý křemíkový propojovací můstek zapuštěn přímo do substrátu pouzdra. Můstek zajišťuje husté boční propojení mezi čiplety; varianta EMIB-T k němu přidává také vertikální průchody křemíkem, známé jako TSV.
Tyto průchody mohou vést napájení a signály přímo skrz můstek. Intel tak chce řešit jeden z hlavních problémů velkých AI pouzder: jak dostat k výpočetním čipům a pamětem HBM dostatek elektrického proudu bez nepřiměřených ztrát a složitosti .
Studio Global AI
Continue your research
This page includes a source-backed answer you can continue inside Studio Global.
What is the short answer to "Intel chce posunout AI čipy za hranici reticle: EMIB-T míří k balíčkům o velikosti až 24×"?
EMIB T přidává k propojovacím můstkům Intel EMIB vertikální průchody TSV a umožňuje hustší datové i napájecí propojení.
What are the key points to validate first?
EMIB T přidává k propojovacím můstkům Intel EMIB vertikální průchody TSV a umožňuje hustší datové i napájecí propojení. Intel technologii ověřil při rozteči výstupků 36/35 µm na pouzdru o velikosti 2× reticle; proti 45µm rozteči u Granite Rapids jde o 65% zvýšení hustoty propojení [1][12].
What should I do next in practice?
Distribuované podplnění DMU má omezit praskání, delaminaci a vznik dutin u pouzder výrazně větších než jeden reticle, v budoucnu až do konceptuální velikosti 24× [1][2][3].
Na konferenci ECTC 2026 Intel ověřil EMIB-T při rozteči výstupků 36/35 µm na pouzdru s křemíkem o velikosti 2× reticle. Ve srovnání s 45µm roztečí použitou u Granite Rapids to podle firmy představuje 65% zvýšení hustoty propojení . Zavedení technologie do výrobních provozů je plánováno na rok 2026 .
Proč obří pouzdro potřebuje nové podplnění
Samotné propojení čipletů ale nestačí. Jakmile pouzdro výrazně naroste, komplikuje se i jeho mechanická výroba. Materiál, který vyplňuje prostor pod čipy a kolem propojení, se musí rozprostřít rovnoměrně. Jinak mohou vznikat dutiny, praskliny nebo oddělení vrstev.
Intel k tomu používá distributed mold underfill (DMU), tedy distribuované podplnění z více dávkovacích zón. Namísto jediného místa se materiál nanáší řízeně na více místech pouzdra. Cílem je zmenšit mechanické namáhání a omezit vznik dutin či delaminace při zpracování velmi rozsáhlých konstrukcí .
Tento krok je zásadní pro další zvětšování pouzder. Intel dnes uvádí výrobu konstrukcí o velikosti až 8× reticle a pro rok 2028 plánuje přesáhnout 12× reticle. Firma zároveň popisuje koncepty, které by mohly dosáhnout až 24× reticle pro budoucí AI superčipy . Číslo 24× je přitom dlouhodobý konceptuální cíl, nikoli současná sériová konfigurace.
Od dnešní výroby k pouzdru přes 10 000 mm²
Intelova roadmapa podle dostupných údajů vypadá následovně:
Současná výroba: pouzdra o velikosti až 8× reticle v závodě Rio Rancho.
Ověření na ECTC 2026: pouzdro 2× reticle s EMIB-T a roztečí 36/35 µm .
Rok 2026: plánovaný přechod EMIB-T do výrobních provozů .
Rok 2028: více než 12× reticle, tedy jedno pouzdro s plochou přes 10 000 mm² .
Budoucí cíl: až 24× reticle pro extrémně rozsáhlé AI systémy .
Vedle EMIB-T Intel představil také substrát s tlustým skleněným jádrem v uspořádání 10-2-10 na veletrhu NEPCON Japan 2026. Skleněné substráty mají nabídnout cestu k větší rozměrové stabilitě a vyšší hustotě propojení u budoucích velkých pouzder .
Jak uchladit 15–25 kW v jediném pouzdře
Příkon 15–25 kW je pro jedno pouzdro mimořádně vysoký. Nejde pouze o to přivést energii, ale také průběžně odvést vznikající teplo a vyrovnat krátkodobé výkyvy odběru.
Intel proto kombinuje několik technologií:
Napájení přes TSV v EMIB-T: vertikální průchody mají umožnit vyšší proudovou kapacitu a podpořit požadavky pamětí třídy HBM4 a HBM4e .
Distribuovaný odvod tepla: teplo se nemá odvádět jen z jediného centrálního místa, ale pomocí architektury rozložené po větší ploše pouzdra .
Mikrofluidní chlazení: Intel představil řešení, v němž jsou chladicí kanálky integrovány přímo do substrátu pouzdra. To má pomoci zvládnout vysokou tepelnou hustotu vícečipových AI systémů .
Energie uložená přímo v pouzdře: substrát s integrovanými kondenzátory může vyrovnávat krátkodobé špičky v odběru a stabilizovat napájení domén s výkonem 15–25 kW .
Smyslem není jediná „zázračná“ součástka, ale kombinace propojení, napájení, chlazení a řízení energie. V ideálním případě by tak jedno pouzdro zvládlo výkon, který byl dříve typický spíše pro celý serverový systém.
Intel rozšiřuje ekosystém kolem EMIB a skla
Takto složité pouzdro nelze navrhovat bez specializovaných nástrojů a partnerů. Intel proto buduje širší ekosystém pro zákazníky své divize Intel Foundry.
Tessolve pomůže s návrhem EMIB
Společnost Tessolve v červenci 2026 oznámila spolupráci s Intel Foundry na návrhu pouzder využívajících EMIB . Její role spočívá v podpoře heterogenních čipletových konstrukcí a v poskytování služeb od návrhu po simulace a pouzdření.
Pro zákazníky to znamená možnost využít EMIB bez budování kompletního interního týmu pro pokročilé pouzdření. Tessolve už podle dostupných informací dokončila projekt zahrnující návrh a simulaci pouzdra .
Lens Technology zkoumá průchody sklem
Intel zároveň podepsal s čínskou společností Lens Technology memorandum o spolupráci na pouzdření se skleněnými substráty a technologii through-glass via (TGV), tedy vodivých průchodů skrz sklo . Lens Technology pro tento směr buduje specializovaný areál o ploše 30 000 m² .
Důležitá je však míra závazku: současné memorandum je nezávazné a týká se především vývoje a ověřování procesů. Nejde zatím o potvrzenou smlouvu na sériovou výrobu ani o garantované výrobní objemy .
Na návrhové straně Intel spolupracuje také s velkými dodavateli nástrojů EDA, mezi něž patří Cadence, Synopsys a Siemens EDA. Ti připravují pracovní postupy pro návrh, simulaci a ověřování komplexních EMIB a EMIB-T pouzder .
Intel proti TSMC, Samsungu a AMD
Nejvýznamnějším soupeřem Intelu v pokročilém pouzdření je TSMC. Tchajwanský výrobce zůstává lídrem ve velkoobjemové výrobě a jeho platforma CoWoS je klíčovým řešením pro řadu AI akcelerátorů od firem Nvidia a AMD.
TSMC na ECTC 2025 předvedla přímé kapalinové chlazení křemíku v platformě CoWoS. Demonstrace dosáhla tepelného odporu 0,055 °C/W při tepelném návrhovém výkonu přes 2,6 kW na interposeru o ploše 3 300 mm² . TSMC současně rozvíjí skleněné substráty, avšak jejich výrobu cílí až na druhou polovinu této dekády .
Podle CNBC Nvidia v dubnu 2026 skupovala kapacitu pro pokročilé pouzdření u TSMC a zvažovala Intel jako druhého dodavatele, což ukazuje, že kapacita CoWoS je pro trh významným omezením .
Samsung nabízí vlastní platformy I-Cube pro 2,5D pouzdření a X-Cube pro 3D vrstvení. Aktivně také pracuje na hybridním měděném spojování a skleněných substrátech. Ve veřejně popsaných materiálech však zatím zveřejnil méně detailů o pouzdrech v měřítku výrazně přesahujícím reticle.
AMD je v této oblasti především zákazníkem výrobního ekosystému TSMC. Akcelerátory řad MI300 a MI400 využívají pouzdření CoWoS, zatímco AMD pro propojování čipletů používá vlastní Infinity Architecture. AMD tedy nepředstavuje přímého konkurenta Intelu jako provozovatel vlastní pokročilé balicí továrny.
Ukazatel
Intel, Rio Rancho
TSMC, CoWoS
Dnešní maximální uváděná velikost
8× reticle, přibližně 7 000 mm²
přibližně 3,3× reticle, interposer kolem 3 300 mm²
Roadmapa
přes 12× do roku 2028, dlouhodobě až 24×
postupné zvětšování
Ověřená rozteč výstupků
36/35 µm u EMIB-T
přibližně 40–45 µm u CoWoS-L
Tepelná kapacita
cíl 15–25 kW pro vícečipové pouzdro
předvedeno přes 2,6 kW
Skleněné substráty
demonstrace 10-2-10 s tlustým jádrem, výrobní cíl 2026–2027
výroba plánovaná na druhou polovinu dekády
Co bude rozhodovat
Intel má nejsilnější argument v rozměru pouzdra a ve vertikální integraci návrhu, výroby i pouzdření. EMIB-T navíc řeší napájení přímo v propojovacím můstku, což je pro budoucí akcelerátory s pamětí HBM zásadní.
TSMC však disponuje ověřenější velkoobjemovou výrobou, rozsáhlejší zákaznickou základnou a dnes přesvědčivěji doloženým tepelným výkonem na jednotku plochy. Intel proto nevyhrává automaticky tím, že slibuje větší pouzdra. Musí ještě prokázat, že je dokáže vyrábět s dostatečnou výtěžností, spolehlivostí a v objemu, který bude trh s AI akcelerátory vyžadovat.
Právě v tom spočívá význam EMIB-T: nejde jen o nové propojení čipletů, ale o pokus změnit měřítko celého AI procesoru – od jediného reticle k systému, který se rozkládá přes tisíce čtverečních milimetrů a spotřebovává energii srovnatelnou s částí serverového racku.
cyberogz.comIntel details U.S. advanced packaging push for larger AI ...
