Samsung na FMS 2026 ukázal, jak chce přestavět paměť pro éru umělé inteligence

Technologie využívá wafer bonding neboli spojování waferů. Paměťové buňky a obvodové prvky se vyrábějí odděleně a následně se vertikálně spojí . Samsung uvádí, že výsledkem je přibližně o 58 % vyšší hustota než u předchozí generace V9 . Současně má nová architektura zlepšit rychlost čtení, zápisu i vstupně-výstupních operací a snížit spotřebu energie .

Jde o symbolický milník i z historického hlediska. Samsung technologii V-NAND poprvé představil na stejné konferenci v roce 2013; V10 je tak už její desátou generací .

zHBM: paměť přímo nad AI akcelerátorem

Největší pozornost ale vzbudil zHBM. Jde o koncepční architekturu, která neumisťuje vysokorychlostní paměť HBM vedle AI akcelerátoru na křemíkový interposer, jak je dnes běžné, ale přímo nad něj . K propojení má sloužit pokročilé wafer bonding.

Kratší cesta mezi výpočetní částí a pamětí by mohla omezit datové přesuny a zvýšit výkon celého systému. Samsung tvrdí, že zHBM by při realizaci mohl nabídnout:

• přibližně osminásobný výkon oproti HBM5,
• více než desetinásobnou hustotu paměti,
• až trojnásobnou energetickou efektivitu,
• a snížení tepelného odporu o více než polovinu .

Tato čísla je však třeba číst jako tvrzení výrobce pro budoucí koncepci, nikoli jako výsledky komerčně dostupného produktu. Samsung na FMS ukázal fyzický model neboli mock-up a neuvedl termín uvedení na trh . Pokud by se zHBM podařilo převést do sériové výroby, změnila by se konstrukce HBM, která dosud využívá křemíkový interposer pro umístění paměti vedle procesoru .

zNAND-O míří na edge AI

Dalším koncepčním návrhem je zNAND-O. Ten kombinuje V-NAND s technologií TSV, tedy s průchozími křemíkovými spoji, a umožňuje vertikálně zabalit čtyři nebo osm NAND čipů do jediného pouzdra .

Samsung jej navrhl především pro úlohy edge AI — tedy zpracování umělé inteligence přímo v zařízeních, nikoli pouze ve vzdálených datových centrech. Výrobce zdůrazňuje lepší využití prostoru, vyšší výkon vstupně-výstupních operací a nižší latenci . Stejně jako zHBM šlo zatím pouze o koncepční model bez oznámeného termínu komercializace .

HBM4E, HBM5 a výpočty přímo v paměti

Na stánku Samsung vystavil také vzorky HBM4E a koncepční modely HBM5 . Společnost zahájila sériovou výrobu HBM4 v únoru 2026 s využitím 1c DRAM a 4nm čipové technologie. V květnu pak podle vlastního oznámení jako první dodala vzorky HBM4E globálním zákazníkům .

Sériová výroba HBM4E je plánována na rok 2027. Samsung pro ni počítá se svou čtvrtou generací procesu Hybrid Bonding .

Pozornost si zasloužila také paměť LPDDR5X-PIM. Zkratka PIM znamená processing-in-memory, tedy zpracování přímo v paměti. Část datových operací se v tomto návrhu provádí uvnitř paměťového čipu, takže mezi pamětí a procesorem či grafickým akcelerátorem nemusí putovat tolik dat. U vhodných úloh AI inference to může zvýšit efektivitu a snížit spotřebu .

Samsung současně představil podnikové SSD platformy PM1763 a BM1773, které cílí na infrastrukturu pro AI .

Samsung se v DRAM vrátil na první místo

Technologické novinky přicházejí v době, kdy Samsung posílil i svou pozici na trhu. Podle Counterpoint Research měl ve druhém čtvrtletí 2026 39% podíl na globálním trhu DRAM podle tržeb. SK hynix klesl na 26 % a Micron držel 25 % .

Za změnou pořadí stála především silná poptávka po standardních DRAM a rostoucí výroba HBM u Samsungu. SK hynix naopak čelil stagnujícím cenám HBM . Jeho tržby přesto meziročně vzrostly o 214 %, podíl na trhu však klesl z 39 % ve druhém čtvrtletí 2025 na 26 % ve stejném období roku 2026 . Samsung tak znovu získal první příčku poté, co jej SK hynix v předchozích čtvrtletích krátce předstihl .

Až 70 % kapacity pod dlouhodobými smlouvami

Ještě zásadnější než samotné exponáty může být změna v obchodním modelu. Na výsledkovém hovoru za druhé čtvrtletí 30. července Samsung oznámil, že chce prostřednictvím dlouhodobých dodavatelských smluv, známých jako LTA, pokrýt 60–70 % celkové výrobní kapacity pamětí .

Smlouvy mají fungovat na principu pětiletého průběžného kontraktu: základní období trvá pět let a následně se každý rok vyjednává jeho prodloužení . Součástí mají být také zálohy placené předem. Samsung uvedl, že už obdržel přibližně čtvrtinu celkových zálohových plateb .

Podle dostupných zpráv už společnost podepsala smlouvy s pěti velkými globálními provozovateli datových center. Mezi uváděné firmy patří AWS, Microsoft, Google, Meta a Oracle; s dalšími pěti zákazníky jsou jednání v závěrečné fázi . Tato jména jsou založena na mediálních zprávách, protože konkrétní podmínky smluv podléhají dohodám o mlčenlivosti.

Podmínky podle průzkumu Bank of America Merrill Lynch výrazně zvýhodňují dodavatele. Případné čtvrtletní snížení ceny má být omezeno na maximálně 5 %, zatímco prostor pro růst ceny je v zásadě neomezený . Pro Samsung to znamená předvídatelnější odběr, zálohy a lepší plánování výroby. Zákazníci si na oplátku zajišťují přístup k omezené kapacitě v době, kdy AI datová centra spotřebovávají stále více pamětí.

Micron chce prostřednictvím svých obdobných Strategic Customer Agreements pokrývat přibližně 50 % prodejů, takže plán Samsungu je ještě agresivnější .

FMS 2026: paměť se rozděluje do více vrstev

Samsung nebyl jedinou firmou, která na konferenci ukázala směr pro AI infrastrukturu. SK hynix a Sandisk představily první specifikace standardu High Bandwidth Flash (HBF). Ten má vytvořit mezistupeň mezi velmi rychlou pamětí HBM a kapacitnějšími, ale pomalejšími SSD.

HBF počítá s kapacitou až 512 GB v konfiguracích s osmi nebo šestnácti NAND čipy a s propustností přibližně od 0,4 do 3,0 TB/s. Využívá rozhraní UCIe, které má usnadnit propojení s procesory, GPU a dalšími čipy . Do konsorcia se zapojily také Google a Tenstorrent .

Kioxia představila SSD řady GP1 s rozhraním PCIe 6.0 NVMe, optimalizovaná pro přímý přístup GPU, a společně s Nvidií hovořila o flash úložištích pro AI infrastrukturu . Ukázala rovněž podnikové SSD řady CM10 a NX1 s podporou přímého kapalinového chlazení .

Micron má od února 2026 v sériové výrobě model 9650, který je označován za první komerční podnikové SSD s PCIe 6.0 . SK hynix navíc vystavil svou NAND desáté generace V10 se 375 vrstvami a deklarovaným 2,5násobným zvýšením energetické efektivity .

Co z toho plyne

Samsung na FMS 2026 nepředstavil pouze rychlejší paměťové čipy. Ukázal snahu změnit celou architekturu AI systémů — od vertikálního skládání paměti přímo na akcelerátory přes nové mezivrstvy mezi HBM a SSD až po výpočty uvnitř paměti.

Nejodvážnější návrhy, zHBM a zNAND-O, zatím zůstávají koncepty bez termínu uvedení na trh. V10 BV-NAND a HBM4E jsou naopak konkrétnějšími kroky v roadmapě. Paralelní sázka na dlouhodobé smlouvy pak ukazuje, že v AI infrastruktuře se nebojuje jen o technologický náskok, ale také o přístup k výrobní kapacitě. Samsung si chce její značnou část zajistit dříve, než se nedostatek pamětí pro AI změní v ještě větší překážku.