CXMT už dokáže nabídnout další generace pamětí DRAM. Samotné uvedení produktu ale neříká, kolik čipů lze vyrobit bez vad a za konkurenceschopných nákladů. Právě tento rozdíl mezi dostupností produktu a zvládnutou výrobou je nejdůležitější u HBM, tedy vysokorychlostních pamětí skládaných z několika vrstev čipů.
20
34
1
Tři roky u HBM neznamenají stejnou výtěžnost
Jihokorejské Sdružení polovodičového průmyslu odhaduje, že Čína za Jižní Koreou technologicky zaostává přibližně o tři roky v HBM, o dva roky v DRAM a o jeden rok v pamětech NAND flash. Jde o orientační srovnání technologií, nikoli o potvrzení stejného objemu výroby, výtěžnosti nebo nákladů. U NAND se odhad týká především firmy YMTC, zatímco u DRAM a HBM společnosti CXMT.
5
2
Co ukazují nové paměti CXMT
CXMT postoupila od DDR5 k sériově vyráběným LPDDR5X a uvádí, že do sériové výroby vstoupily také její LPDDR6. Oznámila rovněž sériovou výrobu platformy DRAM G5, na níž představila mimo jiné čipy LPDDR5X s kapacitou 24 gigabitů. Nabídka produktů se tak rozšiřuje. CXMT však nezveřejnila výtěžnost ani měsíční objem výroby platformy G5, takže z těchto oznámení nelze vyvozovat výrobní rovnocennost se Samsung Electronics či SK hynix.
20
34
27
26
Proč je HBM těžší zkouška
Zatímco u běžného čipu DRAM je potřeba vyrobit funkční jednotlivou součástku, u HBM musí společně fungovat více čipů poskládaných na sebe. Svislá propojení procházející křemíkem, označovaná jako TSV, musí být spolehlivá. Další vady mohou vzniknout při skládání, přesném zarovnávání a spojování vrstev.
1
19
Podle mediálních zpráv dosahovala počáteční zkušební výroba HBM3 u CXMT výtěžnosti kolem 25 %. Jedna jihokorejská zpráva uvádí přibližně 80 % jako měřítko pro sériovou výrobu. Ani jedno číslo ale není výsledkem výroby zveřejněným CXMT a 80 % není univerzální hranice pro každou paměť HBM. Analytická společnost SemiAnalysis nezávisle na tom modelovala celkovou výtěžnost kolem 25 % na základě vlastních předpokladů o jednotlivých fázích výroby. Zprávy se navíc rozcházejí v tom, zda zkušební produkt označují jako HBM3, nebo HBM3E.
1
33
7
Může pomoci technologie YMTC?
Podle jedné zprávy se počítá s využitím zkušeností firmy YMTC s technologií XStacking, která spojuje vrstvy hybridní vazbou měď–měď, u čipů DRAM vyráběných postupem G4 společnosti CXMT. Takový postup by se zaměřil na část obtížného procesu skládání vrstev. Zpráva o plánu ale nedokládá, že technologie už byla převedena do výroby HBM, ověřena pro zákazníky a že zvýšila výtěžnost hotových čipů. Sama o sobě neřeší ani vytváření propojení TSV či všechny další možné zdroje vad.
10
1
Rozhodujícím milníkem bude opakovaně dosahovaná výtěžnost kompletně sestavených a otestovaných HBM při výrobě v komerčním objemu. Pokrok CXMT u LPDDR je podstatný, ale údaj o výtěžnosti zkušební výroby HBM připomíná, že vyrobit paměť určité generace a vyrábět ji konkurenceschopně jsou dvě různé věci.
27
1
33