الطلقة الأولى في حرب ذواكر HBM4E: سامسونج تسبق الجميع وتقفز بقيمتها السوقية إلى 1.47 تريليون دولار

في تطور وصفه المحللون بأنه "إعلان حرب" في سوق رقاقات الذكاء الاصطناعي، أطلقت شركة سامسونج للإلكترونيات الطلقة الأولى رسمياً. ففي 29 مايو 2026، أعلنت الشركة أنها بدأت شحن أول عينات من ذاكرة الجيل السابع "HBM4E" (ذاكرة النطاق الترددي العالي 4 الممتدة) بتصميم مكون من 12 طبقة إلى كبار عملائها العالميين، بمن فيهم إنفيديا وAMD وجوجل . يأتي هذا الإنجاز بعد ثلاثة أشهر فقط من بدء سامسونج الإنتاج الضخم للجيل السابق HBM4، مما يضع عملاق التكنولوجيا الكوري في مقدمة السباق بفارق ستة أشهر على الأقل عن أقرب منافسيه، SK Hynix، في تسليم العينات .

لم يتأخر رد فعل المستثمرين. فقد قفز سهم سامسونج بنسبة 5.84% في يوم الإعلان، في موجة شراء دفعت القيمة السوقية المجمعة للشركة (الأسهم العادية والممتازة) لتتجاوز لأول مرة في التاريخ حاجز 2,015 تريليون وون كوري، أي ما يعادل 1.47 تريليون دولار أمريكي، لتكون بذلك أول شركة كورية جنوبية تخترق هذا الحاجز النفسي . ويعكس هذا الصعود السعري إجماعاً متزايداً في وول ستريت، يتزعمه بنك جولدمان ساكس، بأن النقص في رقاقات الذاكرة الناجم عن طفرة الذكاء الاصطناعي تم التقليل من شأنه بشكل كبير، وأن السوق سيظل يعاني من شح شديد حتى عام 2028 على الأقل .

المواصفات التقنية لذاكرة HBM4E: قفزة جيلية هائلة

تأتي ذاكرة HBM4E الجديدة بمكاسب أداء هائلة صُممت خصيصاً لتلبية المتطلبات النهمة لنماذج اللغات الكبيرة (LLMs) وأنظمة الذكاء الاصطناعي من الجيل التالي . وتفصّل المواصفات الرسمية لسامسونج منتجاً هندسياً تم تحسينه بدقة لكل من السرعة الفائقة وكفاءة الطاقة على نطاق مراكز البيانات العملاقة.

المواصفة	التفاصيل
التكوين الأساسي	مجموعة من 12 طبقة بسعة 48 جيجابايت
سرعة النقل المستقرة لكل طرف	14 جيجابت في الثانية
السرعة القصوى لكل طرف	قابلة للتوسع حتى 16 جيجابت في الثانية
عرض النطاق الترددي للذاكرة	3.6 تيرابايت في الثانية لكل مجموعة، مع تصاميم مستقبلية تستهدف 4.0 تيرابايت في الثانية
الأداء مقارنة بـ HBM4	زيادة في السرعة بأكثر من 20%
السعة مقارنة بـ HBM4	زيادة في السعة بأكثر من 30%
كفاءة الطاقة	تحسن بنسبة 16% مقارنة بالجيل السابق
مقاومة الحرارة	تحسن بأكثر من 14%
تقنية التصنيع	عملية 1c DRAM (الجيل السادس من فئة 10 نانومتر) وشريحة قاعدة منطقية بتقنية 4 نانومتر
الطرازات المستقبلية	سيتم إطلاق إصدارات بسعة 32 جيجابايت (8 طبقات) و64 جيجابايت (16 طبقة)

تمكنت سامسونج من تحقيق هذه القفزات بفضل مزيج من تقنيات التغليف المتقدمة، وتصميم جديد منخفض الطاقة، وتحسينات معمارية شاملة . ويتوقع المراقبون أن يكون الانتقال من مرحلة العينات إلى الإنتاج الضخم أكثر سلاسة من المعتاد، لأن HBM4E تشارك نفس عملية التصنيع الأساسية 1c DRAM ونفس تصميم شريحة القاعدة المنطقية 4 نانومتر المستخدمة في HBM4 التي دخلت بالفعل مرحلة الإنتاج التجاري .

رد فعل السوق: قيمة سوقية تاريخية غير مسبوقة

كان شحن العينات بمثابة مُحفز قوي لسهم سامسونج، الذي يشهد موجة صعود متواصلة منذ بداية عام 2026، مدعوماً بنجاح الشركة المتزايد في تضييق الفجوة مع منافستها SK Hynix في سباق ذواكر الذكاء الاصطناعي. في 29 مايو 2026، قفز السهم بأكثر من 6% خلال ساعات التداول ليصل إلى 317,500 وون .

لكن الصورة الأكبر أكثر إثارة. فقد تجاوزت القيمة السوقية المجمعة لأسهم سامسونج العادية والممتازة حاجز 2,000 تريليون وون، مسجلةً رقماً قياسياً تاريخياً للشركة ولسوق الأسهم الكوري ككل . وتُوّج هذا الصعود بموجة ارتفاعات بدأت في فبراير من نفس العام، حين اخترق السهم حاجز 180,000 وون لأول مرة مع بدء الإنتاج الضخم لذاكرة HBM4، متجاوزاً لفترة وجيزة القيمة السوقية لبنك جيه بي مورجان تشيس، أكبر بنك أمريكي . وقد أجمع المحللون على أن إطلاق عينات HBM4E يضع سامسونج في مقدمة السباق بفارق زمني كبير عن SK Hynix، التي لا يُتوقع أن تقدم عيناتها حتى النصف الثاني من 2026، مع استهدافها الإنتاج الضخم لعام 2027 .

"عصر شح الذاكرة": جولدمان ساكس يتوقع أزمة مستمرة حتى 2028

في الوقت الذي تحتفل فيه الأسواق بتفوق سامسونج التقني، يأتي تحذير بالغ الأهمية من أحد أعرق البنوك الاستثمارية في العالم. في مذكرة بحثية حديثة، أكد محللو بنك جولدمان ساكس بقيادة جيوني لي وجيمس شنايدر أن النقص في رقاقات الذاكرة الناجم عن طفرة الذكاء الاصطناعي سيكون "أعلى وأطول" مما تتوقعه الأسواق، وسيظل خانقاً حتى عام 2028 .

ويستند البنك في توقعاته إلى ثلاثة عوامل رئيسية: الطلب الهائل والمتزايد من خوادم الذكاء الاصطناعي، والنمو المحدود في طاقة العرض الجديدة، بالإضافة إلى اتفاقيات التوريد طويلة الأجل التي أصبحت أكثر جموداً. ونتيجة لذلك، قام البنك برفع توقعاته بشكل حاد لأسعار شرائح DRAM بنسبة تتجاوز 300% على أساس سنوي في 2026، ولأسعار NAND بنسبة تزيد عن 250% .

والأكثر إثارة للانتباه، رفع جولدمان ساكس توقعاته لسوق HBM ليصل إلى 116 مليار دولار في عام 2027، بزيادة عن تقدير سابق بلغ 75 مليار دولار، كما توقع أن تواصل أسعار هذه الرقاقات المتخصصة ارتفاعها بنسبة 44% إضافية في العام نفسه . وبمراجعة توقعاته للعرض والطلب حتى 2028، قام البنك بمضاعفة توقعاته للعجز في السوق لعام 2027 من -2.5% إلى -5.9%، مؤكداً أن السوق ستكون أكثر ضيقاً في 2027 مما هي عليه الآن .

الطريق إلى القمة ليس مفروشاً بالورود

على الرغم من الإنجاز التقني الهائل، فإن السيطرة على سوق HBM ليست مضمونة. فوفقاً لتحليلات TradingKey، لا تزال SK Hynix مسيطرة على 57% من سوق HBM في الربع الرابع من 2025، مقابل 22% فقط لسامسونج . وهذا يعني أن المعركة الحقيقية لسامسونج بدأت للتو، وستعتمد على قدرتها على تحويل تفوقها التكنولوجي المبكر إلى عقود توريد ضخمة وطويلة الأجل مع عمالقة مثل إنفيديا.

المحللون يشيرون إلى أن المخاطر لا تزال قائمة . الاختبار الحقيقي سيكون في قدرة سامسونج على إثبات موثوقية الرقاقة الجديدة في اختبارات العملاء، ثم الانتقال السريع إلى الإنتاج الضخم لتلبية الطلب المتعطش. لكن في هذه اللحظة، ومع شحنها لأول عينات HBM4E في العالم، تكون سامسونج قد وجهت بالفعل أقوى رسالة إلى منافسيها وأسواق المال: عصر جديد من الهيمنة على ذواكر الذكاء الاصطناعي قد بدأ للتو.