في 4 أغسطس 2026، وخلال مؤتمر Future of Memory and Storage (FMS) 2026 في سانتا كلارا بولاية كاليفورنيا، كشفت SK hynix وSandisk عن أول مواصفات تقنية رسمية لذاكرة HBF عبر Open Compute Project (OCP) .
وتكتسب الخطوة أهميتها من كون المواصفة:
تحدد المواصفة تكوينين رئيسيين لشرائح NAND:
يعني ذلك أن HBF لا تحاول منافسة HBM في السرعة فقط، بل تراهن على تقديم سعة أكبر بكثير بتكلفة وخصائص أقرب إلى NAND.
تقسم المواصفة الأداء إلى ثلاث درجات لسرعة القراءة :
| الدرجة | سرعة القراءة التقريبية |
|---|---|
| المبتدئة | 0.4 تيرابايت/ثانية |
| المتوسطة | 1.6 تيرابايت/ثانية |
| العالية | 3.0 تيرابايت/ثانية |
وتستهدف Sandisk في الجيل الأول سرعة قراءة تصل إلى 1.6 تيرابايت/ثانية، وهي سرعة تقارب ما توفره حزمة واحدة من HBM4 وفق المقارنة الواردة في المصادر، لكن بسعة أكبر بنحو عشرة أضعاف تقريبًا .
بدل التعامل معها كوحدة SSD تقليدية، تستخدم HBF ناقل ذاكرة متوازيًا عالي السرعة متصلًا مباشرة بوحدة معالجة الرسوميات أو مسرّع الذكاء الاصطناعي، في تصميم قريب من واجهة HBM . كما نُشرت المواصفات الفيزيائية والكهربائية ضمن إطار العتاد المفتوح لـOCP .
تقود SK hynix وSandisk تحالف HBF، فيما أعلنت شركتان بارزتان مشاركتهما في المنظومة خلال عملية توحيد المواصفات:
ولا تزال أسماء مشاركين إضافيين غير معلنة رسميًا. في المقابل، تشير التقارير إلى أن Samsung تطور تقنية HBF خاصة بها بالتوازي، من دون أن تكون جزءًا من تحالف SK hynix وSandisk.
وفق الجداول الزمنية التي أعلنتها Sandisk سابقًا:
ولم يعلن مؤتمر FMS 2026 عن تعديل هذا الجدول، لذلك تظل هذه المواعيد مبنية على توجيهات الشركة السابقة .
لا تتنافس كل المشروعات في السوق على المستوى نفسه؛ فبعضها يضع NAND مباشرة في مسار الذاكرة، بينما يركز بعضها الآخر على تطوير وحدات SSD فائقة السرعة.
| الشركة أو النهج | التقنية | السعة والسرعة المستهدفتان | الجدول الزمني | الملاحظات |
|---|---|---|---|---|
| SK hynix وSandisk | معيار OCP مفتوح وتكديس NAND باستخدام TSV | حتى 512 غيغابايت و3.0 تيرابايت/ثانية؛ الجيل الأول 1.6 تيرابايت/ثانية | عينات في النصف الثاني من 2026 وأجهزة في أوائل 2027 | Google وTenstorrent ضمن المنظومة |
| Samsung | NAND عالي النطاق الترددي بتصميم خاص | تستهدف سعة وسرعة مماثلتين تقريبًا لـHBF | أواخر 2027 إلى أوائل 2028 لمنتجات Nvidia وAMD وGoogle | تطور الحل بالتوازي خارج تحالف SK hynix وSandisk |
| Kioxia | سلسلة GP المعتمدة على XL-Flash ووحدات SSD متصلة عبر PCIe 5.0 | وحدة بسعة 5 تيرابايت ونطاق ترددي يبلغ 64 غيغابايت/ثانية، مع خارطة طريق تصل إلى 100 مليون IOPS | وحدات GP Series من الربع الثالث من 2026، و100 مليون IOPS في 2027 | تصميم مختلف؛ فهي تظل وحدة SSD متصلة عبر PCIe وليست جهاز ذاكرة متصلًا بناقل الذاكرة |
| Nvidia | لا تطور HBF مباشرة، لكنها عميل وبوابة تأهيل رئيسية | غير منطبق | تتعاون مع Kioxia على وحدات SSD فائقة السرعة وتقيّم HBF من Samsung لوحدات معالجة مستقبلية | تمثل جهة اعتماد مهمة لوصول أي منتج HBF إلى منظومة GPU |
في حلول HBF التي تطورها SK hynix وSandisk، وكذلك في مسار Samsung، تُكدّس شرائح NAND باستخدام وصلات TSV وتُوصل مباشرة بناقل ذاكرة المعالج. وهذا يتيح سرعات تبلغ 1.6 تيرابايت/ثانية أو أكثر، لتقترب من مستوى HBM.
أما نهج Kioxia، فيُبقي الذاكرة ضمن وحدة متصلة عبر PCIe، ما يخفض النطاق الترددي إلى نحو 64 غيغابايت/ثانية، لكنه يمنح الوحدة سعة أكبر بكثير تصل إلى 5 تيرابايت ويجعل دمجها في الأنظمة أبسط .
تراهن SK hynix وSandisk على مواصفة مفتوحة عبر OCP يمكن للشركات الأخرى البناء عليها. أما Samsung وKioxia فتتبعان تصاميم خاصة بهما. وقد يساعد النهج المفتوح في تسريع التوافق بين الذاكرة والمسرّعات والأنظمة، لكن نجاح HBF سيعتمد في النهاية على جاهزية المنتجات، وعمليات التأهيل، وقدرة الشركات على توفير سلسلة توريد مستقرة.
لا تمثل HBF بديلًا مباشرًا لـHBM أو SSD، بل تحاول سد فجوة واضحة بينهما: سعة أكبر من HBM مع سرعة أعلى بكثير من التخزين التقليدي. ومع نشر أول مواصفة مفتوحة، وانضمام Google وTenstorrent، انتقلت التقنية من مرحلة الفكرة والتحالفات إلى مرحلة يمكن للمصنعين ومطوري المسرّعات العمل عليها.
لكن الاختبار الحقيقي سيبدأ مع العينات في النصف الثاني من 2026، ثم أجهزة الذكاء الاصطناعي الأولى المتوقعة في 2027. عندها سيتضح ما إذا كانت HBF ستصبح طبقة ذاكرة أساسية في بنية الاستدلال، أم ستبقى واحدة من عدة طرق لزيادة سعة الذاكرة المتاحة لوحدات GPU.