CXMT تتجه إلى NAND في بكين، لكن المشروع لا يزال خط بحث وتطوير لا مصنعاً تجارياً

تستعد شركة تشانغشين للذاكرة (CXMT)، وفقاً لما نقلته رويترز عن مصادر مطلعة، لإنشاء خط للإنتاج البحثي والتطويري لذاكرة NAND flash في منشأتها الجديدة في بكين. وإذا نُفّذ المشروع، فسيكون خطوة تتجاوز بها الشركة مجالها الأساسي، وهو ذاكرة DRAM، نحو رقائق التخزين الدائم المستخدمة في خوادم الذكاء الاصطناعي ومنتجات الحوسبة الأخرى. لكن التفصيل الحاسم هو أن الأمر يتعلق بخط بحث وتطوير وإنتاج تجريبي مُبلّغ عنه، لا بإعلان عن مصنع NAND تجاري للإنتاج الكمي. 1

ما الذي يُقال إن CXMT تخطط له في بكين؟

قالت مصادر مطلعة لرويترز إن CXMT تخطط لإنشاء خط إنتاج للبحث والتطوير في NAND flash داخل مصنعها الجديد في بكين. كما أنشأت الشركة معهداً بحثياً في العاصمة الصينية، وتشمل مشاريعه تطوير NAND. 1

وبحسب التقرير، ناقشت CXMT مبادرة NAND مع عملاء محتملين، من بينهم شركة ناشئة تسعى إلى شراء رقائق تخزين لاستخدامها في أنظمة الذكاء الاصطناعي والحواسيب الفائقة. وهذا يشير إلى محاولة اختبار الطلب ومتطلبات العملاء بالتوازي مع تطوير التقنية، وليس إلى اتفاق توريد كمي مؤكد. 1

وللتفريق بين نوعي الذاكرة: توفر DRAM مساحة عمل سريعة للمعالج أثناء التشغيل، بينما تحتفظ NAND بالبيانات بصورة دائمة، وتُستخدم مثلاً في أقراص الحالة الصلبة (SSD) وأنظمة التخزين في مراكز البيانات. لذلك، قد يتيح برنامج NAND لـ CXMT تقديم حزمة أوسع من مكونات الذاكرة للعملاء الذين يشترون أو يقيّمون منتجات DRAM التابعة لها.

لماذا تتوسع CXMT إلى NAND الآن؟

يأتي هذا التوجه المبلّغ عنه وسط نقص عالمي في الذاكرة مرتبط بالطلب على بنية الذكاء الاصطناعي التحتية. وأفادت رويترز بأن مسؤولين تنفيذيين في القطاع توقعوا استمرار ضغوط الإمداد حتى عام 2027 على الأقل، فيما ظلت إضافات الطاقة الإنتاجية لـ NAND مقيدة بسبب إعطاء كبار المصنّعين أولوية لاستثمارات DRAM وذاكرة النطاق الترددي العالي HBM. 1

بالنسبة إلى CXMT، يمكن أن تفتح NAND الباب أمام قاعدة أوسع من المشترين المحليين، مثل مطوري أنظمة الذكاء الاصطناعي، ومصنّعي الخوادم، ومشغلي مراكز البيانات، وشركات حلول التخزين، وصانعي الحواسيب والأجهزة. وتبقى المناقشات المبلّغ عنها بشأن تخزين أنظمة الذكاء الاصطناعي والحوسبة الفائقة أوضح دليل معلن على هذا المنطق التجاري. 1

كما أن الخطوة قد تمنح الشركة محفظة ذاكرة أكثر تكاملاً. ولا يضمن ذلك أن تتحول سريعاً إلى مورّد NAND مؤثر، لكنه قد يعزز جاذبيتها للعملاء الذين يرغبون في شراء ذاكرة العمل وذاكرة التخزين من مورّدين صينيين.

منافسة أقرب مع YMTC وتحدٍّ بعيد المدى للموردين العالميين

ارتبط اسم CXMT أساساً بذاكرة DRAM، في حين تُعد شركة Yangtze Memory Technologies Co. (YMTC) المتخصصة الصينية الراسخة في NAND. ومن شأن دخول CXMT إلى NAND أن يضع الشركتين في مساحة سوقية أكثر تقاطعاً. كما ذكرت رويترز أن YMTC أرسلت عينات من DRAM منخفضة الطاقة إلى العملاء، ما يدل على أن الفصل التقليدي بين اختصاص CXMT في DRAM واختصاص YMTC في NAND بدأ يتراجع بالفعل. 1

وعلى مستوى سوق NAND العالمي، ستكون CXMT منافساً محتملاً إضافياً للموردين الراسخين، ومنهم سامسونغ إلكترونيكس وSK hynix وMicron. غير أن مشروع بكين لا ينبغي تفسيره على أنه دليل بأن CXMT باتت تضاهي هذه الشركات في تقنية NAND أو حجم الإنتاج أو القدرة التصنيعية أو تأهيل المنتجات لدى العملاء؛ فالخطة المعروفة تخص البحث والإنتاج التجريبي، بينما تدير الشركات القائمة أعمال NAND تجارية راسخة. 1

ما الذي لا نعرفه حتى الآن؟

ترك تقرير رويترز أسئلة التنفيذ الأهم بلا إجابات معلنة:

• موعد التشغيل: لا يوجد تاريخ مُبلّغ عنه لبدء عمل خط البحث والتطوير. 1
• الانتقال إلى الإنتاج التجاري: لم تؤكد CXMT علناً ما إذا كان الخط التجريبي سيتحول إلى مصنع NAND عالي الإنتاجية. 1
• التقنية: لم تُكشف عقدة تصنيع، أو عدد الطبقات، أو بنية NAND، أو تقنية تكديس أو ربط محددة للخط المقترح. 1
• الطاقة والإنتاج: لا توجد أهداف معلنة لبدء رقائق الوافر، أو نسب العائد التصنيعي، أو مواعيد الشحن، أو المبيعات، أو أحجام الإنتاج التجارية. 1

وهذه الفجوات مهمة: فخط البحث والتطوير قد يبني خبرة في العمليات التصنيعية ويُنتج عينات للعملاء، لكنه لا يضيف بمفرده إمدادات NAND مؤثرة قريباً. ولا تكفي الأدلة المتاحة علناً للقول إن NAND من CXMT ستخفف النقص الحالي في التخزين بشكل ملموس أو ستصبح قريباً مصدراً رئيسياً لذاكرة الفلاش الخاصة بأقراص SSD وتخزين الخوادم. 1

من المهم عدم خلط المشروع بمبادرات CXMT الأخرى

مصنع الذاكرة الثاني المقترح في بكين

في أغسطس/آب، أفادت رويترز بأن CXMT تدرس إنشاء مصنع ثانٍ لرقائق الذاكرة مقاس 12 بوصة في منطقة ييتشوانغ في بكين، وأنها تجري محادثات تمويل مع مركز تصنيع تقني مدعوم من الحكومة المحلية. ووصف التقرير توسعاً محتملاً للطاقة الإنتاجية، لكنه لم يثبت أن المشروع سيكون مصنع NAND تجارياً ولم يكشف عن جدول ملزم لإنتاج NAND. 3

HBM مسار منفصل قائم على DRAM

تُفيد تقارير أيضاً بأن CXMT بدأت إنتاج HBM3E بكميات محدودة، وأن مصممي رقائق صينيين، من بينهم T-Head التابعة لمجموعة علي بابا وCambricon، يختبرون هذه الذاكرة مع معالجاتهم. وHBM هي ذاكرة DRAM مكدسة ومصممة لحوسبة الذكاء الاصطناعي، وليست ذاكرة NAND flash. 2

كما قدّرت تقارير منفصلة عائد الإنتاج التجريبي المبكر لـ HBM3 لدى CXMT بنحو 25%، مقارنةً بمرجع يقارب 80% للإنتاج الكمي. لكن هذا الرقم يتعلق بتصنيع HBM، ولا يصح اعتباره عائداً لإنتاج NAND أو دليلاً على أداء خط NAND المقترح في بكين. 17

لا توجد خارطة طريق مؤكدة لتقنية XStacking في خط NAND المبلّغ عنه

لم يذكر تقرير رويترز الصادر في 18 سبتمبر/أيلول تقنية XStacking، ولا أي عملية ربط أو تكديس مسماة أخرى لـ NAND ضمن خط CXMT المقترح. وبناءً على الأدلة المتاحة، لا يمكن إسناد تقنية NAND محددة، أو عقدة تصنيع، أو خارطة إنتاج للمشروع. 1

الخلاصة العملية

تحمل خطة CXMT المبلّغ عنها في بكين أهمية استراتيجية لأنها قد توسع الشركة من DRAM إلى سوق تخزين مكمل في وقت تشهد فيه سوق الذاكرة العالمية شحاً في الإمدادات. وقد تزيد أيضاً حدة المنافسة مع YMTC داخل الصين، وتضيف على المدى الأطول منافساً آخر إلى سوق NAND العالمي. 1

لكن في الوقت الراهن، الأنسب هو النظر إليها كمبادرة مبكرة للبحث والإنتاج التجريبي. فما زالت المؤشرات التي تجعلها حدثاً كبيراً في السوق غائبة: موعد تشغيل واضح، ومواصفات تقنية، وتأهيل لدى العملاء، وطاقة إنتاج تجارية، وعوائد تصنيع، وقرار بالانتقال إلى الإنتاج الكمي.