ماذا يكشف تفكيك معالج Panther Lake عن تقنية Intel 18A؟

يقدّم تفكيك SemiAnalysis لمعالج Intel Core Ultra 7 365 نظرة قريبة على تقنية 18A داخل معالج تجاري. ويُظهر استخدام ترانزستورات RibbonFET من نوع البوابة المحيطة بالقناة، إلى جانب PowerVia لتوصيل الطاقة من الجهة الخلفية. لكنه يوضح أيضاً أن Panther Lake ليس معالجاً مصنوعاً بالكامل بتقنية 18A، وأن نجاح دمج التقنية في منتج لا يثبت وحده تفوق Intel على TSMC أو Samsung. 12

ماذا أظهر التفكيك عن Intel 18A؟

تُظهر المقاطع المأخوذة من الشريحة ترانزستورات RibbonFET بأربع صفائح سيليكون أفقية مكدسة، تحيط البوابة بكل قناة منها. أما PowerVia، فتنقل الطاقة عبر شبكة معدنية مخصصة في الجهة الخلفية، ثم عبر وصلات نانوية تخترق السيليكون. ويساعد ذلك على تحرير مساحة من التوصيلات الأمامية التي كانت ستُستخدم لتوزيع الطاقة. 34

هذه خيارات تصميم ودمج مهمة، لكنها لا تعني مكاسب مجانية في الأداء. فالتفكيك يشير إلى مفاضلات تشمل زيادة السعة الكهربائية والمقاومة الحرارية وتعقيد التصنيع. وتوضح المقاطع كيف بُنيت الترانزستورات، لكنها لا تثبت وحدها أن المنتج أسرع أو أبرد من تصاميم المنافسين. 4

Panther Lake يجمع أكثر من عقدة تصنيع

يتكوّن Panther Lake من ثلاثة قوالب فعّالة موصولة فوق قالب قاعدة خامل باستخدام تغليف Foveros-S. يُصنع قالب الحوسبة بتقنية Intel 18A. أما قالب الرسوميات فيختلف بحسب الفئة: خيار GT1 الأصغر يستخدم Intel 3، بينما يستخدم خيار GT2 الأكبر تقنية TSMC N3E. ويُصنع قالب الإدخال والإخراج بتقنية TSMC N6. 12

وهذا التفصيل مهم لفهم ما يثبته المعالج: تقنية 18A مستخدمة في قالب الحوسبة، لا في كل أجزاء الحزمة. ويضم هذا القالب أنوية المعالج ووحدة المعالجة العصبية ومحركات الوسائط وذاكرةً مخبئية مرتبطة بالذاكرة؛ فيما تبقى الرسوميات والإدخال والإخراج في قوالب منفصلة. 34

كثافة منطقية قريبة من TSMC N3E

قاست SemiAnalysis كثافة المنطق في قالب الحوسبة المصنوع بتقنية 18A، وقارنتها بكثافة منطق الرسوميات المصنوعة بتقنية TSMC N3E، ووجدت أن القيمتين متقاربتان. ووفق المقارنة نفسها، لم تتصدر 18A نتائج الكثافة القصوى المعلنة لعقد TSMC N3P وN2 أو Samsung SF2. وهذه مقارنة لمناطق منطقية محددة، وليست حكماً شاملاً على كل خصائص العقد أو المنتجات المصنوعة بها. 2

RibbonFET وMBCFET: اختلاف في البنية لا حكم على الحرارة

يعتمد كل من RibbonFET من Intel وMBCFET من Samsung على ترانزستورات من نوع البوابة المحيطة بالقناة وبصفائح نانوية. ويصف التفكيك بنية Intel ذات الصفائح الأربع ودمجها مع توصيل الطاقة من الخلف، كما يقارنها بترتيب Samsung SF2 الذي يُبقي توصيل الطاقة في الجهة الأمامية ويستخدم مواد مختلفة في التلامسات والتوصيلات. 34

تُظهر هذه الفروق أن الشركتين اتبعتا خيارات دمج مختلفة، لكنها لا تحسم أي التصميمين أقل حرارة أو أعلى أداءً. فالإشارة إلى المقاومة الحرارية تصف مفاضلة في عملية التصنيع، وليست مقارنة حرارية مباشرة بين منتجات Intel وSamsung بعد اكتمالها. 4

ما الذي تقوله مؤشرات التصنيع — وما الذي لا تقوله؟

تقول Intel وASML إن أكثر من مليون رقاقة عولجت باستخدام تقنية الطباعة بالأشعة فوق البنفسجية القصوى ذات الفتحة العددية العالية (High-NA EUV)، عبر اعتماد الأدوات والاختبار والبحث والتطوير والإنتاج. واستُخدمت التقنية في طبقات مختارة من بعض معالجات Panther Lake. هذا الرقم يعكس خبرة تراكمية في استخدام المعدات، لا عدد رقائق Panther Lake المكتملة، ولا رقائق عولجت كلها بتقنية High-NA. 19

ويذكر تقرير منفصل أن إنتاجية جهاز EXE:5200B تبلغ 175 رقاقة في الساعة في أحد الأوضاع، وتنخفض إلى نحو 125 عند الحاجة إلى دمج تعريضات الطباعة (stitching). يوضح ذلك مفاضلة في سرعة المعالجة عند استخدام الدمج، لكنه لا يكفي وحده لقياس تكلفة Intel التصنيعية الإجمالية أو حجم إنتاجها. 22

ويقدّر محلل عائد تصنيع 18A بنحو 80%، لكن طريقة القياس لم تُكشف، كما لم تنشر Intel رقماً مطلقاً للعائد. لذلك لا يمكن اعتبار التقدير دليلاً على مستوى العائد في كامل إنتاج 18A أو على تكافؤ التكلفة مع المنافسين. 24

أما Wildcat Lake، فيشير إلى خيار تصميمي آخر: يُقال إن قالب الحوسبة فيه أصغر بنسبة 38% من نظيره في Panther Lake، كما يستخدم حزمة متعددة الشرائح ذات ركيزة عضوية بدلاً من Foveros. ويوسّع ذلك نطاق المنتجات التي تستخدم تقنيات ذات صلة، لكن صغر القالب أو تفكيك Panther Lake لا يثبت أن Intel تجاوزت المنافسين في الكثافة أو اقتصاديات التصنيع أو إنتاج الرسوميات المتقدمة. 5

الخلاصة

يقدّم Panther Lake دليلاً ملموساً على أن Intel دمجت RibbonFET وPowerVia في معالج تجاري، وجمعت قالب حوسبة بتقنية 18A مع قوالب مصنوعة بعمليات أخرى. لكن نتيجة الكثافة واضحة أيضاً: كانت كثافة المنطق المقاسة في 18A قريبة من N3E، ولم تتقدم على كل العقد المنافسة. وتشير خبرة High-NA وتقديرات العائد المتداولة إلى تقدم في التصنيع، إلا أن البيانات المتاحة لا تحسم نطاق العائد أو الإنتاجية أو القدرة التنافسية من حيث التكلفة. 2192224