كما ألمحت إنتل إلى مزيد من التبني، فمن المتوقع أن تستخدم High-NA EUV في عقدتها القادمة 14A .
تحول الجدول الزمني لسامسونج بشكل كبير. ففي مؤتمر NGL لعام 2026، صرح نائب الرئيس للتكنولوجيا تشانجمين بارك (ChangMin Park) أن الشركة تخطط لتبني High-NA EUV كتقنية تصنيع أساسية ابتداءً من عقدة 1nm (A10)، حوالي عام 2030 . كانت سامسونج تأمل في إدخال الأداة في عقد 2nm و1.4nm، لكنها تحتاج لمزيد من التحسينات التقنية .
ورغم هذا التبني الإنتاجي الحذر، قامت سامسونج بالفعل بتركيب نظامين من High-NA EUV — الأول في حرمها في هواسونغ (Hwaseong) في 2025 والثاني في النصف الأول من 2026 — باستثمار يتجاوز تريليون وون كوري . ومع ذلك، فهي تتردد في بدء الإنتاج الضخم بهما للسيطرة على التكاليف .
تجدر الإشارة إلى أن تقارير سابقة في 2025 كانت تشير إلى احتمالية نشر سامسونج لـ High-NA في عقدة 2nm لرقاقات مثل Exynos 2600 ورقاقات Tesla من الجيل القادم ، إلا أن أحدث تصريحات مسؤولي سامسونج تتعارض مباشرة مع تلك التوقعات .
تعتبر TSMC الأكثر حذراً بين الثلاثة. الرئيس التنفيذي سي. سي. وي (C.C. Wei) صرح في مكالمة أرباح الربع الثاني من 2026 أن الشركة لا تحتاج High-NA للعقد من 2nm (N2) وحتى A16 وA14، وأن التبني يعتمد على القدرات التقنية، وحساسية العميل للتكلفة، ونضج المعدات .
تلقت TSMC نظام R&D من High-NA (EXE:5000) وبدأت فعلياً في تطوير عمليات الليثوغرافيا لماسحات High-NA الضوئية في 2025، لكنها ليست في عجلة من أمرها لنشرها في الإنتاج .
توقعات إيرادات ASML الإجمالية تبقى قوية، إذ سجلت صافي مبيعات إجمالي قدره 32.7 مليار يورو لعام 2025، مع رقم قياسي ربع سنوي بلغ 9.7 مليار يورو في الربع الرابع من 2025، وأنهت العام بطلبية مؤجلة (order backlog) بقيمة 38.8 مليار يورو . بالنسبة لعام 2026، تستهدف ASML شحن أكثر من 60 نظام EUV منخفض الفتحة (Low-NA) — بزيادة حوالي 25% عن مستويات 2025 — وتخطط لزيادة الطاقة الإنتاجية الإجمالية بنسبة 30% سنوياً للعامين المقبلين لتلبية الطلب المتزايد على رقاقات AI .
تأجيل طلبات High-NA الضخمة من TSMC وسامسونج إلى أواخر العشرينيات/2030 يعني أن تبني High-NA سيكون أبطأ من التوقعات السوقية الأولى. المحللون يشيرون إلى أن تأجيل TSMC تحديداً "يثقل كاهل توقعات" ASML للقطاع الراقي . كل طلبية مؤجلة توفر حوالي 350-400 مليون يورو للعميل، ولكن بالنسبة لـ ASML فهذا يعني أن الإيرادات المتوقعة بقيمة مليارات اليورو من High-NA ستستغرق وقتاً أطول لتتحقق .
تدير ASML التبني الأبطأ لـ High-NA بالتركيز على نظامها من الجيل التالي EXE:5200B (الذي تم شحنه لأول مرة في الربع الثاني من 2025) والاعتماد على إنتل — وبدرجة أقل SK hynix لذاكرة DRAM — كعميل رئيسي لـ High-NA في المدى القريب . كما قامت الشركة بشحن إجمالي ثمانية أنظمة High-NA حتى أوائل 2026 .
| الشركة | العقدة المستهدفة للإنتاج بـ High-NA | العام المستهدف | الحالة |
|---|---|---|---|
| Intel | Intel 18A (طبقات مختارة); 14A مخطط لها | 2026 (18A) | تشحن حالياً رقاقات Panther Lake |
| Samsung | 1nm (A10) | ~2030 | جهازين مثبتين، الإنتاج متوقف |
| TSMC | A13/A12 أو أحدث | 2029 أو أحدث | تطوير العملية جارٍ، لا جدول إنتاج محدد |
تقدم إنتل المبكر في High-NA EUV حقيقي وملموس: إنها الشركة الوحيدة اليوم التي تشحن منتجاً منطقياً بكميات كبيرة مصنوعاً بهذه الأداة. سامسونج وTSMC تتبنيان نهج الانتظار والترقب، مع إعطاء الأولوية للتكلفة والإنتاجية على كونها الأولى في السوق. بالنسبة لـ ASML، هذا يعني أن تبني High-NA سيكون تدريجياً وليس انفجارياً، لكن أعمال الشركة تبقى قوية بفضل الطلب الذي لا يشبع على أدواتها الناضجة من Low-NA EUV وDUV بفعل تصنيع رقاقات الذكاء الاصطناعي.