هجوم TSMC التوسعي الأكبر في تاريخها: 180 ألف شريحة 3 نانومتر شهرياً و5 مصانع لـ 2 نانومتر في 2026

تنفّذ TSMC أكبر حملة توسع في تاريخها خلال عام 2026، مدفوعة بطلب هائل ومستمر على رقائق الذكاء الاصطناعي من عمالقة التكنولوجيا مثل NVIDIA و AMD و Broadcom و Apple. وقد تم حجز كامل طاقة الإنتاج لتقنيتي 3 نانومتر و 2 نانومتر حتى نهاية عام 2026، مع رفع أهداف الإنتاج فوق الخطط الأصلية بكثير . إليكم تفصيل دقيق لأهم المراحل والأهداف والجداول الزمنية.

زيادة إنتاج 3 نانومتر: 180 ألف شريحة شهرياً — قبل الموعد المحدد

• الهدف الجديد: 180,000 شريحة أولية شهرياً — بزيادة 20% عن الخطة الأصلية البالغة 150,000 شريحة .
• تسريع الجدول الزمني: من المتوقع أن تصل TSMC لطاقة 180 ألف شريحة بحلول الربع الرابع من 2026، أي قبل 2-3 أشهر من التوقعات السابقة .
• النمو السنوي: يمثل هذا زيادة تزيد عن 40% مقارنة بعام 2025 .
• العملاء الرئيسيون: NVIDIA و AMD و Broadcom يقومون بتأمين الطلبات بقوة، بالإضافة إلى Apple . تؤكد شركة Omdia أن تقنيتي 2 نانومتر و 3 نانومتر من TSMC "محجوزة إلى حد كبير" من قبل قادة الذكاء الاصطناعي هؤلاء .
• أسعار الشرائح: يبلغ سعر شريحة 3 نانومتر (N3/N3E) حوالي 19,500 دولار أمريكي للشريحة الواحدة مع بداية 2026، مع فترات تسليم تتجاوز 50 أسبوعاً .

تسريع إنتاج 2 نانومتر: 5 مصانع ونمو سنوي مركب 70%

• بدء الإنتاج التجاري: دخلت تقنية 2 نانومتر (N2) مرحلة الإنتاج التجاري في الربع الرابع من 2025، منتقلة من بنية FinFET إلى الترانزستورات النانوية الصفائحية (GAA) .
• هدف نهاية 2026: تهدف TSMC للوصول إلى 100,000 شريحة شهرياً لتقنية 2 نانومتر بحلول نهاية 2026 .
• معدل النمو السنوي المركب: تتوقع TSMC أن تنمو طاقة 2 نانومتر بمعدل سنوي مركب 70% من 2026 حتى 2028 .
• قائمة العملاء: تستهدف AMD بدء إنتاج معالجاتها بتقنية 2 نانومتر في 2026؛ Google و AWS تهدفان أيضاً للاعتماد المبكر . من المتوقع أن تنقل NVIDIA طلبات مسرعات الذكاء الاصطناعي إلى 2 نانومتر بكميات كبيرة .
• الإنتاجية: منحنى تعلم الإنتاجية لتقنية 2 نانومتر يتفوق على سابقتها 3 نانومتر في نفس المرحلة .

خطط توسع المصانع: تايوان، أريزونا، اليابان

تايوان (القاعدة الأم):

• يُذكر أن ما يصل إلى 10 مصانع قيد الإنشاء أو ستبدأ العمل في 2026 في مختلف المجمعات العلمية في شمال ووسط وجنوب تايوان .
• 5 مصانع لتقنية 2 نانومتر تشتغل في وقت واحد هذا العام — 2 في هسينشو (Fab 20) و 3 في كاوشيونغ (Fab 22) — وهو أكبر بناء لتقنية واحدة في تاريخ TSMC .
• ضاعفت TSMC وتيرة البناء التاريخية، لتبني أو تحوّل تسعة مراحل مصانع سنوياً في 2025-2026، ارتفاعاً من متوسط تاريخي بلغ 4 مراحل .

أريزونا، الولايات المتحدة الأمريكية:

• أعلنت TSMC عن استثمار إضافي بقيمة 100 مليار دولار في أريزونا في يوليو 2026، ليصل إجمالي الاستثمار المخطط له إلى 265 مليار دولار .
• المصنع 1 (4 نانومتر): دخل مرحلة الإنتاج ويساهم في الأرباح .
• المصنع 2: جدول نقل المعدات في الربع الرابع من 2026، مع تقديم الإنتاج التجاري إلى النصف الثاني من 2027 (بدلاً من 2028) .
• المصنع 3: يستهدف نقل المعدات في سبتمبر 2027 .
• تشتري TSMC قطعة أرض ثانية في أريزونا لإنشاء "مجمع مصانع ضخم" مستقل .

اليابان (كوماموتو):

• أعلنت TSMC في فبراير 2026 عن خطط لتصنيع رقائق 3 نانومتر في كوماموتو باستثمار يبلغ حوالي 17 مليار دولار .

النظرة المستقبلية للجيل التالي 1.4 نانومتر (A14)

• موقع المصنع: مجمع تايچونغ العلمي (وسط تايوان).
• حالة البناء: متقدم عن الجدول الزمني. من المتوقع اكتمال المبنى الأول (المرحلة 1) قبل أبريل 2027 .
• الإنتاج التجريبي: قد يبدأ مبكراً في الربع الثالث من 2027 .
• هدف الإنتاج التجاري: منتصف 2028 (النصف الثاني من 2028) .
• الاستثمار: يُقدر بـ 48.5-49 مليار دولار لمنشأة 1.4 نانومتر .
• التكنولوجيا: ستستخدم الجيل الثاني من ترانزستورات GAAFET (NanoFlex Pro) مع الطباعة الضوئية الحالية بالأشعة فوق البنفسجية الشديدة (EUV) — وقد أخبرت TSMC شركة ASML بأنها لن تتبنى تقنية High-NA EUV قبل 2029 .
• اهتمام العملاء: اهتمام قوي من Apple و Qualcomm و NVIDIA و AMD وعملاء الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء؛ التحقق الداخلي من تقنية A14 يقترب من 90% من الهدف .
• الخريطة الزمنية الأبعد: بعد A14 (1.4 نانومتر)، تتوقع TSMC أن يصل كل من A13 و A12 إلى الإنتاج التجاري في 2029 .