وتصل كثافة البتات في الذاكرة الجديدة إلى أكثر من 37 Gb/mm²، أي بزيادة تقارب 60% مقارنة بتقنية الجيل الثامن . وتعتمد الذاكرة على بنية تضم 332 طبقة نشطة، مع واجهة تصل سرعتها إلى 4.8 Gb/s باستخدام معيار Toggle DDR6.0 .
تستخدم BiCS10 تقنية CMOS Directly Bonded to Array (CBA)، حيث تُصنّع دوائر CMOS المنطقية ومصفوفة الذاكرة على ركيزتين منفصلتين، ثم تُلصقان معاً بمحاذاة دقيقة. وتساعد هذه الطريقة في تحسين كفاءة استهلاك الطاقة، إلى جانب تمكين الزيادة الكبيرة في كثافة التخزين .
وقدمت Kioxia وSandisk الذاكرة خلال عرض مباشر في المؤتمر . وكانت الشركتان قد بدأتا في يوليو 2026 أخذ عينات من ذاكرة BiCS10 بسعة 1Tb من نوع TLC، وهي نسخة تخزن ثلاثة بتات في الخلية وتحقق كثافة تتجاوز 29 Gb/mm² . أما نسخة QLC التي عُرضت في FMS، فتخزن أربعة بتات في كل خلية، ما يتيح كثافة أعلى.
نشرت Sandisk وSK hynix أول مواصفة تقنية معيارية لذاكرة High Bandwidth Flash (HBF) عبر Open Compute Project (OCP)، وهو مشروع يتيح تطوير مواصفات مفتوحة لمكونات البنية التحتية لمراكز البيانات .
وتعرّف المواصفة HBF كطبقة ذاكرة جديدة تستهدف أعباء استدلال الذكاء الاصطناعي، خصوصاً عندما تحتاج النماذج الكبيرة إلى سعة تتجاوز ما يمكن توفيره اقتصادياً عبر HBM وحدها.
تحاول HBF معالجة ما يُعرف بـ«جدار الذاكرة»: فالمسرّعات تحتاج إلى نقل كميات ضخمة من بيانات النماذج بسرعة، بينما تظل سعة HBM محدودة ومكلفة، في حين توفر وحدات SSD سعة كبيرة لكن بزمن استجابة وعرض نطاق أقل.
وبحسب Sandisk، يمكن لـHBF توفير سعة أكبر من HBM بنحو 8 إلى 16 مرة بتكلفة مماثلة تقريباً. كما أظهرت محاكاة على نموذج Llama 3.1 ذي 405 مليارات معامل أداءً يقل بفارق 2.2% فقط عن إعداد افتراضي يعتمد على HBM بسعة غير محدودة . وتظل هذه الأرقام نتائج محاكاة وتقديرات معلنة من الشركة، وليست قياسات لمنتج تجاري متاح بعد.
أصبحت المواصفة المفتوحة منشورة حالياً، بينما يُتوقع وصول عينات الذاكرة في أواخر 2026، على أن تظهر الأجهزة التجارية في أوائل 2027 .
لم تقتصر المشاركة على الكشف عن التقنيات، إذ ركز برنامج المؤتمر على كيفية إعادة تنظيم الذاكرة والتخزين لتلبية متطلبات الذكاء الاصطناعي.
قدمت Sandisk جلسة بعنوان «NAND: الأساس المرن والقابل للتوسع لعصر الذكاء الاصطناعي» يوم الأربعاء 5 أغسطس 2026، عند الساعة 11:40 صباحاً بتوقيت المحيط الهادئ، في قاعة Mission City Ballroom بمركز مؤتمرات سانتا كلارا.
وشارك في الجلسة Jim Elliott، الرئيس التنفيذي للإيرادات، وKhurram Ismail، الرئيس التنفيذي للمنتجات، وAlper Ilkbahar، الرئيس التنفيذي للتقنية. وتناولت الجلسة تحسين الأنظمة على مستوى البنية الكاملة، ودور NAND في تمكين استدلال نماذج الذكاء الاصطناعي على نطاق واسع .
في يوم افتتاح المؤتمر، قدم Kim Chun-sung وKang Uk-song من SK hynix كلمة بعنوان «تنسيق بنية ذكاء اصطناعي فعالة عبر الذاكرة متعددة الطبقات في عصر الذكاء الاصطناعي الوكيلي»، وركزت على حلول الذاكرة الطبقية للبنية التحتية للذكاء الاصطناعي .
كان من المقرر عقد جلسة مشتركة يوم 6 أغسطس عند الساعة 9:45 صباحاً بتوقيت المحيط الهادئ بعنوان «كسر جدار الذاكرة باستخدام High Bandwidth Flash»، بمشاركة Rajeev Nagabhirava من Sandisk، وLim Eui-cheol من SK hynix، وXiaoyu Ma، كبير مهندسي الموظفين في Google DeepMind. وناقشت الجلسة طريقة تعامل HBF مع الفجوة بين قدرات المعالجة والذاكرة في أعباء استدلال الذكاء الاصطناعي .
ملاحظة: تؤكد عدة مصادر رسمية وإخبارية عنوان جلسة «كسر جدار الذاكرة»، لكن التفاصيل الكاملة لوصف الجلسة يُفضل الرجوع فيها إلى جدول FMS 2026 المباشر. أما وجود جلسة مخصصة لهذا الموضوع، فتدعمه التغطية الرسمية ومواد Sandisk .
تعالج إعلانات FMS 2026 تحديين متلازمين في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي: كثافة التخزين وعرض نطاق الذاكرة.
فذاكرة BiCS10 QLC يمكن أن تمهّد لوحدات SSD أكثر كثافة وكفاءة في استهلاك الطاقة، ما يفيد مستودعات بيانات التدريب وطبقات التخزين ذات السعة الكبيرة. وفي المقابل، تقدم HBF تصوراً لفئة جديدة من الذاكرة السريعة وعالية السعة، توضع بالقرب من مسرّع الذكاء الاصطناعي لتقليل الحاجة إلى توسيع HBM المكلفة.
كما أن نشر المواصفة عبر OCP، بمشاركة Google وTenstorrent، يشير إلى محاولة بناء منظومة مفتوحة ومتوافقة بدلاً من حصر هذا النوع من الذاكرة في حلول مملوكة لشركة واحدة . وإذا تحولت المواصفة إلى منتجات واسعة التوافق، فقد تصبح HBF طبقة إضافية في هرم الذاكرة بين الذاكرة عالية الأداء والتخزين التقليدي.