ميكرون تفتتح مصنعًا بقيمة 9.3 مليار دولار في هيروشيما لصنع رقائق الذاكرة فائقة السرعة للذكاء الاصطناعي

في 4 يوليو 2026، أقامت شركة ميكرون تكنولوجي حفل وضع حجر الأساس لتوسعة ضخمة في مصنعها القائم في هيغاشيهيروشيما، محافظة هيروشيما، بتكلفة 1.5 تريليون ين ياباني (نحو 9.3 مليار دولار أمريكي) مخصصة بالكامل لإنتاج ذاكرة عالية النطاق الترددي (HBM) . المصنع صُمم خصيصًا لتصنيع أحدث أجيال رقائق HBM4، وهي الذاكرة المتطورة التي توضع بجانب معالجات تسريع الذكاء الاصطناعي مثل وحدات معالجة الرسوميات من إنفيديا. تُمثل هذه الخطوة رهان ميكرون الأكبر حتى الآن على دورة الطلب الفائقة لذاكرة الذكاء الاصطناعي .

حجر الأساس وحجم الاستثمار

حدد حفل 4 يوليو 2026 الانطلاقة الرسمية لأعمال بناء مصنع HBM المتخصص . الاستثمار الإجمالي هو 1.5 تريليون ين، ويُعادل ما بين 9.3 مليار دولار و 9.6 مليار دولار حسب سعر الصرف المستخدم . مما يجعل هذا المشروع واحدًا من أكبر استثمارات أشباه الموصلات الفردية في تاريخ اليابان الحديث.

المنتجات المستهدفة والعملاء

ستركز توسعة هيروشيما على إنتاج الجيل التالي من ذاكرة HBM، وتحديدًا معيار HBM4 وما بعده، الذي سيخلف معيار HBM3E الحالي . هذه الرقائق هي عناصر حاسمة لمسرعات تدريب واستدلال نماذج الذكاء الاصطناعي. وفقًا لتقارير بلومبرغ وغيرها، فإن العميل الرئيسي المستهدف هو شركة إنفيديا، التي تعتمد وحدات معالجة الرسوميات من سلسلة H100 و B200 والأجيال القادمة على ذاكرة HBM لعرض النطاق الترددي المطلوب . يُهيئ المصنع ميكرون لتزويد إنفيديا وعملاء رقائق الذكاء الاصطناعي الآخرين مع انتقالهم إلى معماريات الذاكرة من الجيل التالي.

الجدول الزمني للإنتاج

• بدء الإنشاء: مايو 2026، مع أعمال تحضير الموقع التي بدأت مسبقًا .
• الشحنات الأولى المستهدفة: صيف 2028، تحديدًا بين يونيو وأغسطس 2028 .
• الإنتاج التجاري بكامل الطاقة: مُتوقع بين مارس ومايو 2030 .

يعني هذا الجدول أن إنتاج ميكرون من HBM في هيروشيما سيصل في النصف الثاني من العقد الحالي، مما قد يلتقط الطلب من الموجة التالية لبناء مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي .

التزام اليابان بالإعانات والدعم

التزمت وزارة الاقتصاد والتجارة والصناعة اليابانية (METI) بدعم مالي كبير:

• 500 مليار ين (~3.3 مليار دولار) مخصصة مباشرة لتوسعة HBM هذه، وتغطي نحو ثلث التكلفة الرأسمالية .
• وبإضافة المنح السابقة من METI لعمليات ميكرون في هيروشيما، يصل إجمالي الدعم الحكومي الياباني الآن إلى 774.5 مليار ين .
• تشير تقارير سابقة أيضًا إلى حزمة دعم بقيمة 536 مليار ين (3.6 مليار دولار) أُعلنت في سبتمبر 2025 .

يُتماشى هذا الدعم مع استراتيجية اليابان الأوسع لإحياء صناعة أشباه الموصلات المحلية وتأمين تصنيع الذاكرة المتقدمة على أراضيها .

كيف يتحدى هذا استحواذ SK Hynix على سوق HBM

سياق السوق الحالي: سيطرت شركة SK Hynix لفترة طويلة على سوق HBM كمورد رئيسي لإنفيديا لرقائق HBM3 و HBM3E، مما منحها تقدمًا كبيرًا في حجم الإنتاج واعتماد التكنولوجيا . وتحتل سامسونج المركز الثاني، بينما كانت ميكرون في المركز الثالث البعيد للجيل الحالي من HBM.

استراتيجية ميكرون التنافسية مع هذا المصنع:

• مصنع HBM مخصص: على عكس خطوط الإنتاج المشتركة لذاكرة DRAM/HBM لدى SK Hynix، هذا المصنع مخصص بالكامل لـ HBM، مما قد يُحقق كفاءة أعلى ومردود أفضل .
• القفزة إلى HBM4: من خلال استهداف إنتاج HBM4 بدءًا من 2028، تهدف ميكرون إلى المنافسة على عقدة التكنولوجيا التالية بدلًا من محاولة اللحاق بالركب في جيل HBM3E الحالي .
• الدعم الحكومي الياباني يُقلل المخاطر الرأسمالية ويمنح ميكرون ميزة تكلفة مقارنة بعمليات SK Hynix في كوريا .
• التنويع الجيوسياسي: يضيف مصنع هيروشيما سلسلة توريد لذاكرة HBM مقرها اليابان، مما يُقلل الاعتماد على تايوان وكوريا الجنوبية، وهو عامل يزداد أهمية لشركات الذكاء الاصطناعي الأمريكية واليابانية .

التحدي يواجه رياحًا معاكسة: تعمل SK Hynix بالفعل على تطوير HBM4 بجدول زمني طموح، مع استهداف إنتاج تجاري في وقت مبكر من 2026-2027 . تاريخ أول شحنة لميكرون في 2028 يعني أن SK Hynix قد تحظى بتقدم يتراوح من سنة إلى سنتين في دورة الجيل التالي من HBM . ولكن، ضمن دورة الطلب الفائقة لذاكرة الذكاء الاصطناعي حيث من المتوقع أن ينمو الطلب على HBM بنسبة 40-50% سنويًا حتى 2030، قد يكون هناك مجال للعديد من الفائزين. ودخول ميكرون المتأخر بمصنع مخصص شديد الدعم قد يمكنها من الاستحواذ على حصة كبيرة كمصدر ثانٍ لإنفيديا وعملاء رقائق الذكاء الاصطناعي الآخرين .