الذكاء الاصطناعي يضغط سوق الذاكرة.. والإنفراج قد لا يأتي قريباً

لم يعد نقص الذاكرة مجرد دورة معتادة من الصعود والهبوط في قطاع أشباه الموصلات. فشركات الحوسبة السحابية العملاقة التي تبني مراكز بيانات للذكاء الاصطناعي تحتاج إلى ذاكرة عالية النطاق الترددي HBM قرب معالجات الذكاء الاصطناعي المتقدمة، وإلى DRAM عالية الكثافة داخل الخوادم، فضلاً عن كميات كبيرة من تخزين NAND. ويدفع ذلك المصنّعين إلى إعطاء أولوية لمنتجات الذاكرة الأعلى قيمة، بينما يستمر الطلب من الحواسيب والهواتف وبقية الأجهزة الإلكترونية. النتيجة: هامش أقل من الإمدادات المتاحة في سوق الذاكرة التقليدية. 28

لماذا يطال الأثر DRAM وNAND معاً؟

تُعد HBM نقطة الاختناق الأوضح. فهي نوع متخصص من DRAM يُستخدم بجوار معالجات الذكاء الاصطناعي المتقدمة، ويتطلب طاقات تصنيع متقدمة ونادرة، إلى جانب عمليات تغليف متخصصة. وتقول IDC إن الطلب على بنية الذكاء الاصطناعي التحتية، وخصوصاً HBM وDRAM عالية الكثافة في خوادم وحدات معالجة الرسوميات، هو المحرك الرئيسي للاختلال الحالي؛ إذ ينمو طلب الخوادم أسرع من قدرة المعروض على الاستجابة. 8

لكن المسألة لا تقف عند HBM. فأنظمة الذكاء الاصطناعي تحتاج كذلك إلى تجمعات تخزين كبيرة وسريعة، ما يدعم الطلب المؤسسي على NAND. ومع تحويل شركات الذاكرة الإنتاج والاستثمارات نحو منتجات الذكاء الاصطناعي ذات الهوامش الأعلى، يجد مشترو DRAM وNAND التقليديين أنفسهم أمام منافسة أشد على الطاقة الإنتاجية أو أسعار أعلى. وتربط IDC هذا التحول في تخصيص الطاقة الإنتاجية بنقص امتد أثره إلى الإلكترونيات الاستهلاكية. 48

لماذا يُرجح استمرار الضيق حتى 2027؟

زيادة إنتاج الذاكرة ليست عملية فورية. فالطاقة الجديدة تحتاج إلى بناء وتجهيز وتأهيل ورفع تدريجي لمعدلات العائد المقبولة، فيما تتطلب HBM المتقدمة تغليفاً متخصصاً أيضاً. وقال ساسين غازي، الرئيس التنفيذي لشركة Synopsys، إن الأزمة ستستمر خلال 2026 و2027، مشيراً إلى المدة اللازمة لإدخال طاقات إنتاجية جديدة إلى الخدمة. 12

أما Micron فقالت إن الذكاء الاصطناعي يعيد تشكيل الطلب بوتيرة أسرع من قدرة القطاع على إضافة المعروض، وتتوقع استمرار ضيق السوق إلى ما بعد 2027. 7 وتوضح أرقام IDC حجم القيد: فقد توقعت نمواً في معروض DRAM بنسبة 16% على أساس سنوي خلال 2026، ونمواً في NAND بنسبة 17%، وكلاهما دون المستويات التاريخية المعتادة. 14

ولا يعني ذلك أن جميع منتجات الذاكرة ستعاني الدرجة نفسها من النقص. فالعقود، والجيل التقني للمنتج، وتخصيصات الموردين، والطلب في كل سوق نهائية، كلها عوامل قد تخلق أوضاعاً مختلفة بين HBM وDRAM الخوادم وDRAM الأجهزة الشخصية وNAND. لكن القاسم المشترك هو أن المعروض الجديد يصل أبطأ من نمو الطلب الذي يقوده الذكاء الاصطناعي.

كيف قد تنعكس التكلفة على الهواتف والحواسيب؟

تشكل الذاكرة جزءاً مؤثراً من تكلفة مكونات الجهاز. وتشير IDC إلى أن الهواتف الذكية والحواسيب الشخصية تواجهان ارتفاعاً في تكلفة المكونات يعيد رسم اقتصاديات الأجهزة. 8 وقد تختار الشركات المصنعة امتصاص الزيادة من هوامش الربح، أو رفع الأسعار، أو تعديل سعات الذاكرة والتخزين في الطرازات، أو إعادة النظر في خطط المنتجات.

وفي سيناريوهات IDC لعام 2026، قد يرتفع متوسط سعر بيع الهواتف الذكية بنسبة تتراوح بين 3% و5% في الحالة المتوسطة، وبين 6% و8% في الحالة المتشائمة. وهذه سيناريوهات تقديرية وليست تأكيداً بأن كل هاتف سيرتفع سعره بهذه النسب. 14

أما مورّدو المكونات في المراحل اللاحقة من سلسلة التوريد، فيتركز الخطر بصورة غير مباشرة: ارتفاع تكلفة الحواسيب أو الهواتف أو الملحقات قد يغير أحجام شحنات العملاء، ومزيج المنتجات، واحتياجات المخزون. ولا تثبت المواد المتاحة أثراً مالياً محدداً، أو توقعات، أو إرشادات خاصة بشركة Sonix Technology؛ لذلك لا يمكن تقدير أثر خاص بالشركة استناداً إلى هذه الأدلة.

ماذا تعني تحذيرات Phison بشأن NAND؟

حذّر كيهين-سينغ بوا، الرئيس التنفيذي لشركة Phison، من أن ذاكرة NAND flash قد تواجه أسوأ نقص لها في 2027. 17 وفي تقارير منفصلة عن تصريحاته، نُقل أنه أُبلغ بأن وصول طاقة NAND الجديدة إلى مستوى الطلب قد يستغرق نحو أربع سنوات، وهو تقدير يشير إلى 2030 أو ما بعده إذا ثبتت صحته. 19

ويجب التعامل مع ذلك بوصفه تقديراً للمخاطر، لا توقعاً محسومًا للسوق. فالخلاصة الأقوى دعماً بالأدلة على المدى القريب هي إمكان استمرار شح المعروض وارتفاع الأسعار حتى 2027. أما سيناريو 2030 فيعتمد على سرعة دخول الطاقات الجديدة إلى الإنتاج، وتحسن معدلات العائد، وحجم الإنتاج الذي سيظل مخصصاً لذاكرة الذكاء الاصطناعي، واستمرار نمو الطلب على بنيته التحتية بالوتيرة الحالية. 71219

متى يمكن للطاقة الجديدة أن تخفف الضغط؟

يوضح مشروع SK hynix في ولاية إنديانا، الذي تتجاوز قيمته 4 مليارات دولار، ضخامة الاستجابة وطول المدة المطلوبة في الوقت نفسه. تخطط الشركة لاستكمال الغرفة النظيفة بحلول أكتوبر 2028، وبدء الإنتاج الكمي لذاكرة HBM4E في الربع الثالث من 2029. وقال الرئيس التنفيذي كواك نو-جونغ إنه يتوقع استمرار نقص الذاكرة حتى نهاية 2030.

ومن المنتظر أن تضيف المنشأة طاقة مهمة لتغليف HBM داخل الولايات المتحدة بدءاً من أواخر 2029. لكنها ليست حلاً فورياً لجميع فئات الذاكرة: فمصنع تغليف موجه إلى الجيل التالي من HBM لا يضيف، بمفرده، ما يكفي من طاقة إنتاج الشرائح، ولا يحل القيود التي تواجه DRAM التقليدية وNAND.

الخلاصة العملية

لم يعد ضغط الذاكرة قصة تخص سوق أشباه الموصلات وحده؛ بل أصبح مسألة تخطيط منتجات لمصنعي الأجهزة، ومسألة توريد وشراء للشركات التي تزودهم بالمكونات. فمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي تستهلك طاقة من الذاكرة كانت ستخدم نطاقاً أوسع من أسواق الإلكترونيات، في حين تستغرق الطاقات البديلة سنوات كي تصل إلى الإنتاج.

ومن المرجح أن يبقى الضغط الأكثر وضوحاً في الذاكرة المخصصة للذكاء الاصطناعي والخوادم، مع انتقال جزء من الأثر إلى أسعار DRAM وNAND الموجهة للمستهلكين حتى 2027 على الأقل. وقد يأتي التحسن تدريجياً وبصورة غير متساوية مع بدء تشغيل طاقات جديدة، لكن من الحكمة التعامل بحذر مع أي ادعاء بموعد محدد لانفراج شامل، ولا سيما عندما تكون الطاقة المضافة موجهة إلى HBM لا إلى سلسلة إمداد الذاكرة بأكملها.