هذه القفزة مهمة لأن تصنيع الرقائق المتقدمة غالباً ما يتطلب أنماطاً دقيقة للغاية. في الأجيال السابقة كان المصنعون يعتمدون على تقنية الطباعة متعددة الأنماط (multi‑patterning)، حيث تُطبع الطبقة نفسها عدة مرات ثم تُدمج النتائج. هذه العملية تزيد التعقيد والتكلفة واحتمالات العيوب.

باستخدام High‑NA يمكن طباعة بعض هذه الأنماط الدقيقة مباشرة في خطوة واحدة، ما قد يؤدي إلى:

• تقليص حجم الترانزستورات والوصلات داخل الشريحة
• تقليل عدد خطوات التصنيع لبعض الطبقات الحرجة
• تحسين العائد الإنتاجي وتسريع دورة الإنتاج

لهذا السبب تُعد التقنية عاملاً رئيسياً لتمكين العقد التصنيعية أقل من 2 نانومتر وكذلك الأجيال القادمة من الذاكرة المتقدمة.

آلة معقدة وثمنها مئات الملايين

تُعد أنظمة High‑NA EUV من أكثر الآلات تعقيداً في تاريخ التصنيع الصناعي.

• السعر التقريبي: بين 350 و400 مليون دولار لكل نظام.
• الحجم: آلة ضخمة بحجم يقارب حافلة بطابقين وتضم آلاف المكونات الدقيقة.
• الإنتاجية: يمكنها معالجة نحو 175 إلى 200 رقاقة سيليكون في الساعة في الأنظمة الإنتاجية الحالية.

وبسبب هذا السعر المرتفع، يتعين على شركات تصنيع الرقائق تقييم ما إذا كانت الفوائد — مثل تقليل خطوات الطباعة وزيادة كثافة الترانزستورات — تبرر هذا الاستثمار الضخم.

الشركات التي بدأت في تبني التقنية

حتى الآن يقتصر استخدام هذه الأنظمة على أكبر شركات أشباه الموصلات في العالم.

• Intel كانت من أوائل الشركات التي تسلمت أنظمة High‑NA وتعاونت مع ASML في تطويرها.
• Samsung Electronics حصلت على أنظمة مخصصة لخطوط الإنتاج المستقبلية.
• SK hynix قامت بتركيب آلة High‑NA لتسريع تطوير ذاكرة الجيل القادم.

وتشير تقارير الصناعة إلى أن هذه الشركات ستكون ضمن أوائل المستخدمين مع انتقال التقنية إلى الإنتاج التجاري الكامل خلال السنوات المقبلة.

متى سنرى أولى الرقائق المصنعة بهذه التقنية؟

بدأت أنظمة High‑NA بالفعل في الخروج من مرحلة التجارب إلى الاستخدام الصناعي.

• بدأت الشحنات الأولى من الآلات إلى العملاء في 2025، مع توسع عمليات التسليم خلال 2026.
• تشير تقديرات الصناعة إلى أن الإنتاج واسع النطاق باستخدام High‑NA قد يبدأ بين 2027 و2028.

وخلال هذه الفترة ستستمر الأنظمة الحالية من EUV في العمل جنباً إلى جنب مع High‑NA، إذ لا تزال مناسبة للعديد من طبقات الرقائق حتى في العقد المتقدمة.

لماذا تهم هذه التقنية المعالجات والذاكرة؟

معالجات الحوسبة المتقدمة

في المعالجات مثل CPU وGPU ومسرّعات الذكاء الاصطناعي، تسمح High‑NA بـ:

• تقليل حجم البوابات والوصلات الكهربائية
• زيادة كثافة الترانزستورات داخل الشريحة
• تحسين الأداء وكفاءة استهلاك الطاقة

هذه العوامل أساسية خصوصاً لمعالجات الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء حيث ترتبط القدرة الحسابية مباشرة بعدد الترانزستورات المتاحة.

رقائق الذاكرة

تلعب التقنية أيضاً دوراً مهماً في تطوير ذاكرة DRAM المتقدمة، التي تحتاج إلى تصغير مستمر للحفاظ على نمو السعة والكفاءة.

وتشير بعض التوقعات إلى أن High‑NA قد تساعد في تطوير هياكل DRAM أقل من 2 نانومتر اللازمة لأنظمة الذاكرة عالية النطاق المستخدمة في تطبيقات الذكاء الاصطناعي.

الذكاء الاصطناعي يدفع الطلب على هذه الأنظمة

يرتبط نمو ASML بشكل وثيق بزيادة الطلب على الرقائق المتقدمة، خاصة مع طفرة الذكاء الاصطناعي. فقد أعلنت الشركة في نتائجها المالية لعام 2025 عن:

• مبيعات صافية بلغت 32.7 مليار يورو
• صافي أرباح حوالي 9.6 مليار يورو

وتقول الشركة إن الطلب المتزايد على قدرة الحوسبة وكثافة الترانزستورات وذاكرة النطاق العالي لتشغيل نماذج الذكاء الاصطناعي أصبح محركاً أساسياً لنمو سوق معدات تصنيع الرقائق.

توسع عالمي وشراكة مع الهند

إلى جانب تطوير التكنولوجيا، تعمل ASML على توسيع حضورها في الأسواق الناشئة لصناعة الرقائق.

في عام 2026 وقعت شركة Tata Electronics الهندية اتفاقية مع ASML لدعم إنشاء أول مصنع متكامل لصناعة الرقائق في ولاية غوجارات الهندية.

المشروع يقدَّر استثماره بحوالي 11 مليار دولار لبناء مصنع يعتمد على رقائق سيليكون بقطر 300 مم، وهو جزء من خطة الهند لتأسيس صناعة محلية لأشباه الموصلات.

لكن المعلومات المتاحة علناً لا تؤكد أن المصنع سيستخدم تقنية High‑NA تحديداً.

الصورة الأكبر

تمثل تقنية High‑NA EUV أكبر تحديث في الطباعة الضوئية منذ إدخال EUV نفسه قبل أكثر من عقد. بفضل قدرتها على طباعة أنماط أدق في خطوات أقل، تمنح شركات تصنيع الرقائق مساراً للاستمرار في زيادة كثافة الترانزستورات مع دخول عصر ما دون 2 نانومتر.

لكن هذه القفزة تأتي بتكلفة وتعقيد هندسي هائلين، ما يعني أن عدداً محدوداً فقط من الشركات قادر على تبنيها في البداية. وإذا سارت الجداول الزمنية الحالية كما هو متوقع، فقد يصبح أواخر العقد الحالي الفترة التي تتحول فيها High‑NA EUV من تقنية متقدمة للغاية إلى الأساس الذي تُبنى عليه أقوى الرقائق في العالم.

هذه القفزة مهمة لأن تصنيع الرقائق المتقدمة غالباً ما يتطلب أنماطاً دقيقة للغاية. في الأجيال السابقة كان المصنعون يعتمدون على تقنية الطباعة متعددة الأنماط (multi‑patterning)، حيث تُطبع الطبقة نفسها عدة مرات ثم تُدمج النتائج. هذه العملية تزيد التعقيد والتكلفة واحتمالات العيوب.

باستخدام High‑NA يمكن طباعة بعض هذه الأنماط الدقيقة مباشرة في خطوة واحدة، ما قد يؤدي إلى:

• تقليص حجم الترانزستورات والوصلات داخل الشريحة
• تقليل عدد خطوات التصنيع لبعض الطبقات الحرجة
• تحسين العائد الإنتاجي وتسريع دورة الإنتاج

لهذا السبب تُعد التقنية عاملاً رئيسياً لتمكين العقد التصنيعية أقل من 2 نانومتر وكذلك الأجيال القادمة من الذاكرة المتقدمة.

آلة معقدة وثمنها مئات الملايين

تُعد أنظمة High‑NA EUV من أكثر الآلات تعقيداً في تاريخ التصنيع الصناعي.

• السعر التقريبي: بين 350 و400 مليون دولار لكل نظام.
• الحجم: آلة ضخمة بحجم يقارب حافلة بطابقين وتضم آلاف المكونات الدقيقة.
• الإنتاجية: يمكنها معالجة نحو 175 إلى 200 رقاقة سيليكون في الساعة في الأنظمة الإنتاجية الحالية.

وبسبب هذا السعر المرتفع، يتعين على شركات تصنيع الرقائق تقييم ما إذا كانت الفوائد — مثل تقليل خطوات الطباعة وزيادة كثافة الترانزستورات — تبرر هذا الاستثمار الضخم.

الشركات التي بدأت في تبني التقنية

حتى الآن يقتصر استخدام هذه الأنظمة على أكبر شركات أشباه الموصلات في العالم.

• Intel كانت من أوائل الشركات التي تسلمت أنظمة High‑NA وتعاونت مع ASML في تطويرها.
• Samsung Electronics حصلت على أنظمة مخصصة لخطوط الإنتاج المستقبلية.
• SK hynix قامت بتركيب آلة High‑NA لتسريع تطوير ذاكرة الجيل القادم.

وتشير تقارير الصناعة إلى أن هذه الشركات ستكون ضمن أوائل المستخدمين مع انتقال التقنية إلى الإنتاج التجاري الكامل خلال السنوات المقبلة.

متى سنرى أولى الرقائق المصنعة بهذه التقنية؟

بدأت أنظمة High‑NA بالفعل في الخروج من مرحلة التجارب إلى الاستخدام الصناعي.

• بدأت الشحنات الأولى من الآلات إلى العملاء في 2025، مع توسع عمليات التسليم خلال 2026.
• تشير تقديرات الصناعة إلى أن الإنتاج واسع النطاق باستخدام High‑NA قد يبدأ بين 2027 و2028.

وخلال هذه الفترة ستستمر الأنظمة الحالية من EUV في العمل جنباً إلى جنب مع High‑NA، إذ لا تزال مناسبة للعديد من طبقات الرقائق حتى في العقد المتقدمة.

لماذا تهم هذه التقنية المعالجات والذاكرة؟

معالجات الحوسبة المتقدمة

في المعالجات مثل CPU وGPU ومسرّعات الذكاء الاصطناعي، تسمح High‑NA بـ:

• تقليل حجم البوابات والوصلات الكهربائية
• زيادة كثافة الترانزستورات داخل الشريحة
• تحسين الأداء وكفاءة استهلاك الطاقة

هذه العوامل أساسية خصوصاً لمعالجات الذكاء الاصطناعي والحوسبة عالية الأداء حيث ترتبط القدرة الحسابية مباشرة بعدد الترانزستورات المتاحة.

رقائق الذاكرة

تلعب التقنية أيضاً دوراً مهماً في تطوير ذاكرة DRAM المتقدمة، التي تحتاج إلى تصغير مستمر للحفاظ على نمو السعة والكفاءة.

وتشير بعض التوقعات إلى أن High‑NA قد تساعد في تطوير هياكل DRAM أقل من 2 نانومتر اللازمة لأنظمة الذاكرة عالية النطاق المستخدمة في تطبيقات الذكاء الاصطناعي.

الذكاء الاصطناعي يدفع الطلب على هذه الأنظمة

يرتبط نمو ASML بشكل وثيق بزيادة الطلب على الرقائق المتقدمة، خاصة مع طفرة الذكاء الاصطناعي. فقد أعلنت الشركة في نتائجها المالية لعام 2025 عن:

• مبيعات صافية بلغت 32.7 مليار يورو
• صافي أرباح حوالي 9.6 مليار يورو

وتقول الشركة إن الطلب المتزايد على قدرة الحوسبة وكثافة الترانزستورات وذاكرة النطاق العالي لتشغيل نماذج الذكاء الاصطناعي أصبح محركاً أساسياً لنمو سوق معدات تصنيع الرقائق.

توسع عالمي وشراكة مع الهند

إلى جانب تطوير التكنولوجيا، تعمل ASML على توسيع حضورها في الأسواق الناشئة لصناعة الرقائق.

في عام 2026 وقعت شركة Tata Electronics الهندية اتفاقية مع ASML لدعم إنشاء أول مصنع متكامل لصناعة الرقائق في ولاية غوجارات الهندية.

المشروع يقدَّر استثماره بحوالي 11 مليار دولار لبناء مصنع يعتمد على رقائق سيليكون بقطر 300 مم، وهو جزء من خطة الهند لتأسيس صناعة محلية لأشباه الموصلات.

لكن المعلومات المتاحة علناً لا تؤكد أن المصنع سيستخدم تقنية High‑NA تحديداً.

الصورة الأكبر

تمثل تقنية High‑NA EUV أكبر تحديث في الطباعة الضوئية منذ إدخال EUV نفسه قبل أكثر من عقد. بفضل قدرتها على طباعة أنماط أدق في خطوات أقل، تمنح شركات تصنيع الرقائق مساراً للاستمرار في زيادة كثافة الترانزستورات مع دخول عصر ما دون 2 نانومتر.

لكن هذه القفزة تأتي بتكلفة وتعقيد هندسي هائلين، ما يعني أن عدداً محدوداً فقط من الشركات قادر على تبنيها في البداية. وإذا سارت الجداول الزمنية الحالية كما هو متوقع، فقد يصبح أواخر العقد الحالي الفترة التي تتحول فيها High‑NA EUV من تقنية متقدمة للغاية إلى الأساس الذي تُبنى عليه أقوى الرقائق في العالم.