CXMT توسّع إنتاج DRAM بمنصة G5 وتدرس دخول سوق NAND

دخلت شركة تشانغشين لتقنيات الذاكرة الصينية، المعروفة اختصارًا بـCXMT، مرحلة الإنتاج الكمي لمنصتها الخامسة G5 لذاكرة DRAM. وفي المقابل، لا يزال دخولها المحتمل إلى سوق ذاكرة التخزين NAND عند مستوى خطة بحثية وردت في تقارير صحفية، لا إطلاق منتج تجاري.845 وهذا الفارق هو المفتاح لفهم موقع الشركة في المنافسة.

ماذا تضيف G5 إلى أعمال CXMT؟

تعمل ذاكرة DRAM مساحةً سريعةً ومؤقتةً للبيانات التي يستخدمها المعالج أثناء تشغيل الهاتف أو الحاسوب أو الخادم أو أنظمة الذكاء الاصطناعي. وهي تحتاج إلى الطاقة للاحتفاظ بتلك البيانات. أعلنت CXMT الإنتاج الكمي لمنصة G5 بالتزامن مع الكشف عن منتجين من LPDDR5X، وهي ذاكرة منخفضة استهلاك الطاقة للأجهزة المحمولة، بسعة 24 غيغابت لكل منهما.488

أبرز أرقام الإعلان هو ارتفاع العدد الإجمالي للشرائح الممكن استخراجها من الرقاقة بنسبة لا تقل عن 50% مقارنةً بمنصة G4، عند القياس على أساس سعة مكافئة تبلغ 8 غيغابت.37 هذا أساس موحّد للمقارنة بين إنتاجية جيلَي التصنيع، ولا يعني أن المنتجين الجديدين بسعة 8 غيغابت. كما أن العدد الإجمالي يسبق استبعاد الشرائح المعيبة أو التي لا تجتاز الاختبارات؛ لذلك لا يساوي بالضرورة عدد الشرائح القابلة للبيع.

ولا تتحول زيادة الإنتاجية تلقائيًا إلى خفض مماثل في الكلفة. فلو زاد عدد الشرائح المكافئة 50% بالضبط، وبقيت كلفة معالجة الرقاقة ونسبة الشرائح السليمة ثابتتين، لانخفضت كلفة المعالجة لكل شريحة مكافئة بنحو الثلث، لا بنسبة 50%. أما النتيجة الفعلية فتتوقف على مردود التصنيع وكلفة العملية الجديدة. وكانت تقديرات سابقة نقلتها ذا كوريا هيرالد تضع كلفة CXMT لكل بت من ذاكرة DDR5 عند مستوى يزيد بأكثر من 30% على كلفة الموردين الثلاثة الكبار؛ ولا يكفي إعلان G5 وحده لإثبات زوال هذه الفجوة.19

وتقول الشركة إن منصة G5 حققت قياسًا يبلغ 11.95 نانومتر لنصف المسافة بين العناصر المتكررة في المنطقة النشطة لمصفوفة الذاكرة، باستخدام تقنية تشكيل الأنماط الرباعية ذاتية المحاذاة.49 يصف هذا الرقم جزءًا محددًا من بنية الشريحة، وليس أبعاد كل مكوّن فيها أو أداءها وكلفتها الإجمالية.

أين تقف أمام كبار منتجي DRAM؟

وفق أرقام «ترندفورس»، احتلت CXMT المرتبة الرابعة في إيرادات سوق DRAM خلال الربع الثاني من 2026 بحصة 9.5%، خلف سامسونغ (39.4%) وإس كيه هاينكس (24.9%) ومايكرون (23.3%).6 وقدّرت «كاونتربوينت» حصة CXMT بنحو 10%؛ وهو اختلاف يوضح أن تقديرات الحصص تتباين باختلاف جهة البحث.4

مع ذلك، لا تعني الحصة المتنامية تكافؤًا تقنيًا. فقدّرت جمعية صناعة أشباه الموصلات الكورية أن الصين تتأخر عن كوريا بنحو عامين في DRAM وثلاثة أعوام في الذاكرة عالية النطاق HBM؛ وهي تقديرات عامة للقطاع، لا قياسًا مباشرًا لمنصة G5.30 وتتحدث تقارير عن إنتاج محدود لذاكرة HBM3E لدى CXMT واختبارها مع مصممي رقائق صينيين، من دون إثبات إنتاج تجاري واسع منافس أو جدول زمني مؤكد للأجيال التالية.3430

وقد يتيح تركيز سامسونغ وإس كيه هاينكس ومايكرون على HBM المستخدمة مع معالجات الذكاء الاصطناعي وذاكرة الخوادم مساحةً لموردين أصغر في بعض منتجات DRAM التقليدية، مع تباطؤ نمو المعروض منها.22 لكن الأدلة المتاحة لا تحدد مقدار مساهمة هذا التحول في زيادة حصة CXMT.

لماذا يُعد دخول NAND خطوة مختلفة؟

على خلاف DRAM المؤقتة، تحتفظ ذاكرة NAND بالبيانات عند انقطاع الكهرباء، وتُستخدم في التخزين الدائم، مثل وحدات الحالة الصلبة وتخزين الهواتف. لذلك يتطلب دخولها تطوير تقنية تصنيع مختلفة وتأهيل منتجاتها، لا مجرد بيع رقائق G5 لعملاء جدد.

ذكرت رويترز في 18 سبتمبر، نقلًا عن أشخاص مطلعين على الخطط، أن CXMT تعتزم إنشاء خط إنتاج للبحث والتطوير في ذاكرة NAND داخل مصنعها الجديد في بكين.45 وإذا نجح هذا المسار، فستدخل الشركة سوقًا يضم موردين راسخين، إلى جانب شركة YMTC الصينية المتخصصة أصلًا في NAND.3545 غير أن خطًا بحثيًا ليس مصنعًا تجاريًا واسع النطاق؛ ولا يحدد التقرير موعد إطلاق منتج مؤهل للبيع أو الطاقة الإنتاجية المنتظرة أو التزامات مؤكدة من العملاء.

ولإدراك حجم المنافسة القائمة، بلغت حصة سامسونغ من سوق NAND في الربع الثاني 29.3%، مقابل 18.2% لإس كيه هاينكس، وفق «ترندفورس».6 هذه حصص لسوق تفكر CXMT في دخولها، وليست مبيعات حققتها فيها.

الخلاصة: التقدم المؤكد الآن يقع في DRAM: إنتاج كمي لمنصة جديدة وحصة إيرادات تجعل CXMT رابع أكبر مورد وفق تقديرات «ترندفورس».86 أما الاختبار التالي لـG5 فهو تحويل مكاسب الكثافة إلى شرائح سليمة بكلفة منافسة. وبالنسبة إلى NAND، فالاختبار الأول أبسط وأسبق: هل يتحول مشروع بكين البحثي إلى منتج تجاري مؤهل أصلًا؟345